31a-ZA-14 半導体ダイヤモンド中の水素II:アクセプター : ドナーとの共演

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1999-03-15

著者

• 吉田 博

  阪大産研

• 西松 毅

  東北大金研

• 織田 望

  産総研

• 西松 毅

  阪大産研

• 織田 望

  電総研

関連論文

• 17pYH-4 FLAPW・スーパーセル法によるZnSベース希薄磁性半導体のマテリアルデザイン
• 27pYD-3 遷移金属ダイカルコゲナイドのCDW相における電子状態(電荷密度波)(領域6)
• 27aYG-2 第一原理計算を用いた物質の熱電特性の評価II(化合物・輸送・アモルファス・不純物)(領域4)
• 23aTH-12 第一原理計算を用いた物質の熱電特性の評価 II
• 22aPS-78 遷移金属ダイカルコゲナイドの CDW 相における電子状態
• 28aYB-1 遷移金属ダイカルコゲナイドの CDW と電子状態
• 29aZK-7 第一原理計算を用いた物質のの熱電特性の評価
• 28aYC-12 GaN中のMg不純物とN-vacancyについての第一原理計算
• 28aYC-9 Si中のEr不純物の結晶場の第一原理計算
• 24pYP-6 Si中のEr不純物の第一原理計算
• 24aX-13 BaTiO_3中3d遷移金属不純物の電子構造と磁性
• 25p-T-14 InP中の希土類不純物電子状態のFLAPW法による計算
• 25pYR-7 SrTiO_3の全エネルギー表面に対する格子歪み効果の理論的解析(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 29pXK-2 ペロブスカイト型強誘電体の全エネルギー表面の谷底線の第一原理計算(誘電体)(領域10)
• 22aPS-134 LDA+SIC法による磁性半導体の電子構造の計算(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25aXJ-14 LDA+SIC法による希薄磁性半導体の電子状態と磁性の予測(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aXC-5 自己相互作用補正を取り入れた量子デザイン手法(28aXC 領域4,領域11合同シンポジウム:次世代第一原理量子シミュレーションによる量子デザイン手法の展開,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 28aXC-5 自己相互作用補正を取り入れた量子デザイン手法(28aXC 領域4,領域11合同シンポジウム:次世代第一原理量子シミュレーションによる量子デザイン手法の展開,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aZC-8 LDA+SIC法によるZnO系磁性半導体の電子状態と磁性の予測(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 12aYC-5 自己相互作用を補正した第一原理電子状態計算手法による ZnO 系磁性半導体の強磁性安定性の予測(磁性半導体, 領域 4)
• 26aTF-3 αホウ素の不純物添加による金属化(ゼオライト・クラスター,領域7,分子性固体・有機導体)
• 23pTH-2 不純物添加した固体ホウ素の物性(クラスレート・新物質,領域7,分子性固体・有機導体)
• 28pRB-8 半経験的ポテンシャルによるBaTiO_3とPbTiO_3の分子動力学シミュレーション(28pRB 誘電体(シミュレーション・理論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pVE-1 BaTiO_3強誘電体薄膜キャパシターのヒステリシス・ループの分子動力学計算(22pVE 誘電体(ペロフスカイト),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 20aYM-12 強誘電体薄膜の高速な分子動力学シミュレーション(誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pXA-4 ペロブスカイト型強誘電体のより正確なエネルギー表面の表式化
• 30aYF-10 ホールドープしたグラファイトの平面構造の構造安定性(アンダーソン局在・低次元物質)(領域4)
• 20aYJ-10 a-Si:Hの光誘起構造変化に関する第一原理計算
• 12aYB-8 デラフォサイト型 CuAlO_2 の欠陥についての第一原理的研究 II(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
• 27aYG-1 デラフォサイト型CuAlO_2の欠陥についての第一原理的研究(化合物・輸送・アモルファス・不純物)(領域4)
• 12aYC-2 希薄磁性半導体 (Zn, Cr)Te の電子状態計算とキュリー温度の見積もり(磁性半導体, 領域 4)
• 31pYH-3 非一様ドーピングによる強磁性半導体の物質設計
• 31pYH-2 第一原理計算による 4f 希土類金属および 3d 遷移金属ドープ IV 族 (Si, Ge, Diamond) 強磁性半導体の物質設計
• 27aYT-10 第一原理計算を用いたハーフハイスラー化合物MNiSn,MCoSb(M=Ti,Zr,Hf)の電子構造と熱電特性の評価(化合物半導体・アモルファス,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 22aYC-9 シリコン中不純物の光励起による選択的低温拡散の第一原理シミュレーション(格子欠落・アモルファス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 8a-S-4 断熱ポテンシャル交差系での動的過程解析
• 3a-Z-2 凝縮相中における準位交差系の動力学II
• 19aYN-10 リンドープダイヤモンドの局所対称性の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24aY-4 ダイヤモンド中の酸素-水素複合欠陥
• 26pYL-11 ダイヤモンド中の硫黄-水素複合欠陥
• 31a-ZA-14 半導体ダイヤモンド中の水素II:アクセプター : ドナーとの共演
• 25p-T-12 半導体ダイヤモンド中の水素 : アクセプター/ドナーとの共演
• 25p-T-11 ダイヤモンド中の窒素・原子空孔対による窒素不純物の新しい拡散機構
• 8a-S-6 同時ドーピングによる低抵抗n型ダイヤモンド半導体の実現方法の提案
• 3a-M-7 ダイヤモンド中の不純物の第一原理計算
• 22aPS-14 YNi_2B_2C のフェルミ面
• 28aPS-2 YNi_2B_2 の電子状態
• 17aZA-6 Anderson modelによるヘムタンパク質中還移金属の電子状態計算
• 6p-S-5 Si中のH-C複合欠陥の構造と電子状態(理論)
• 19pTA-10 CuAlO_2を用いた希薄磁性半導体の第一原理計算(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25aXJ-9 第一原理計算によるCuAlO_2ベース希薄磁性半導体の交換相互作用(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 14aYC-10 第一原理計算による CuAlO_2 を母体とした希薄磁性半導体の物質設計(磁性半導体, 領域 4)
• 23aZB-4 高圧下における固体ホウ素の性質(23aZB クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 19aRG-1 不純物添加したα-Boronの物性(クラスレート,領域7,分子性固体・有機導体)
• 30aRC-6 高圧下におけるα-gallium型構造を持つ固体ホウ素の安定性(30aRC クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pJ-3 第一原理計算によるワイドギャップ半導体の価電子制御
• 22pJ-3 第一原理計算によるワイドギャップ半導体の価電子制御
• 6a-E-6 同時ドーピング法によるCuInS_2, ZnSeの価電子制御
• 21aTH-12 第一原理計算による IV 族半導体 (Ge, Si) ベース希薄磁性半導体の物質設計
• 14aYC-11 磁性元素を含まない透明強磁性酸化物の第一原理マテリアルデザイン(磁性半導体, 領域 4)
• 27pYA-11 遷移金属元素を含まない透明ハーフメタリック室温強磁性酸化物の第一原理マテリアルデザイン : (II)B,C,NをドープしたCaOへの応用(磁性半導体)(領域4)
• 27aYA-7 遷移金属元素を含まない透明ハーフメタリック室温強磁性半導体の第一原理マテリアルデザイン : I.ガイドラインとSiをドープしたK_2Sへの応用(磁性半導体)(領域4)
• 24aWJ-3 3dと4d遷移金属の同時添加による希薄磁性半導体の物質設計(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 領域8,3「物性物理学における巨大物性応答のデザインと実証 : 現状と将来展望」(2007年春季大会シンポジウムの報告)
• 25aXJ-13 局所環境効果を取り入れた希薄磁性半導体の交換相互作用の第一原理計算(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 12pXA-9 第一原理計算からみた磁性半導体の電子構造(主題 : スピン制御半導体の電子構造 : 光で捉える磁性状態, 領域 3)
• 12pXA-9 第一原理計算からみた磁性半導体の電子構造(主題 : スピン制御半導体の電子構造 : 光で捉える磁性状態, 領域 5)
• 27aYT-5 固体ホウ素の高圧下の振る舞い(化合物半導体・アモルファス,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 30aYF-12 第一原理計算によるβホウ素の格子振動スペクトル(アンダーソン局在・低次元物質)(領域4)
• 12aYB-7 圧力下における固体ホウ素の安定状態(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
• 23aTL-7 固体ホウ素の圧力依存
• 27aYA-10 第一原理計算による強磁性半導体発現機構、磁気励起の研究と物質設計(磁性半導体)(領域4)
• 30pWD-3 透明磁性半導体ベースのマテリアル・デバイス・デザイン
• 31pYH-1 II-VI 族および III-V 族ベースの強磁性転移温度の第一原理計算予測と強磁性機構
• 30pWD-3 透明磁性半導体ベースのマテリアル・デバイス・デザイン
• 27aG-7 La_Ce_xCuO_4の作製とその物性
• 31pYH-4 δドーピングによる強磁性転移温度上昇のメカニズム
• 24aX-12 窒素ドープしたSrTiO_3の電子状態
• 31pYH-5 4d 遷移金属ドープによる II-VI 族および III-V 族強磁性半導体の探索
• 25aL-14 ボロンカーバイトの構造の圧力依存性
• 27ac-1 ボロンカーバイトの構造の圧力依存性の理論計算
• 25a-YE-10 ボロンカーバイトの安定構造とフォノン
• 8p-E-9 第一原理計算によるホウ素の格子振動
• 17pYH-5 GaNやAINを母体とする希薄磁性半導体の強磁性
• 29pTC-17 ZnOベース希薄磁性半導体の材料設計
• 27pYS-9 磁性半導体の物質設計およびまとめ
• 27pYS-9 磁性半導体の物質設計およびまとめ
• 領域10,3,4,8「計算機ナノマテリアルデザインとスピントロニクス : 成功物語と将来展望」(2006年秋季大会シンポジウムの報告)
• 20pYG-3 Bドープダイヤモンドの電子状態の理論(領域8シンポジウム(主題 : Bドープダイヤモンドの超伝導と電子状態,領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
• 17pYJ-6 第一原理計算によるp型伝導性透明酸化物の設計
• JPSJの抱える問題点と再建策(会員の声)
• 14pTM-7 高次機能調和量子ナノマテリアル・デバイスのデザインと実証(主題 : 計算機ナノマテリアルデザイン・量子シミュレーション手法の開発と応用, 領域 3)
• 14pTM-7 高次機能調和量子ナノマテリアル・デバイスのデザインと実証(主題 : 計算機ナノマテリアルデザイン・量子シミュレーション手法の開発と応用, 領域 11)
• 14pTM-7 高次機能調和量子ナノマテリアル・デバイスのデザインと実証(主題 : 計算機ナノマテリアルデザイン・量子シミュレーション手法の開発と応用, 領域 4)
• 8pSP-8 放射光内殻励起による新物質創成の第一原理マテリアルデザイン(主題:電子励起による表面ナノテクノロジーの展開,領域9シンポジウム,領域9)
• 27aXP-13 第一原理計算によるZnSベースの新強磁性半導体のマテリアルデザイン(27aXP 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 24pSA-3 第一原理計算におけるCuAlO_2ベースのP型伝導性透明酸化物のマテリアルデザイン(24pSA 化合物半導体,層状・低次元物質,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 6aSB-4 ホール励起下におけるグラファイト構造の安定性(層状・低次元物質・化合物半導体,領域4)
• 6aSB-6 高圧下におけるβホウ素の第一原理計算(層状・低次元物質・化合物半導体,領域4)
• 24pSA-14 圧力下におけるβホウ素の第一原理計算(24pSA 化合物半導体,層状・低次元物質,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク