織田 望 | 電総研
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概要
関連著者
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織田 望
電総研
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織田 望
産総研
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吉田 博
阪大産研
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西松 毅
阪大産研
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吉田 博
大阪大学産業科学研究所
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吉田 博
東北大理
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新関 駒二郎
東北大理
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進藤 浩一
岩手大人社
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佐々木 泰造
金材技研
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西松 毅
東北大金研
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佐々木 泰造
物質・材料研究機構
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佐々木 泰造
NRIM
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佐々木 泰造
物質・材料研究機構・計算科学センター
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松村 隆嘉
東北大理
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佐々木 泰造
東北大 理
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織田 望
東北大 理
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新関 駒二郎
東北大 理
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進藤 浩一
岩手大・人文社会
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吉川 博
東北大理
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山本 哲也
高知工科大学
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本白水 幸則
阪大産研
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吉田 博
阪大産研
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山本 哲也
阪大産研
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吉田 博
阪大産研、科技団
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西松 毅
東北大理
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松村 孝嘉
東北大理
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織田 望
東北大理
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織田 望
東北大・理
著作論文
- 24aY-4 ダイヤモンド中の酸素-水素複合欠陥
- 26pYL-13 第一原理tight-binding法によるダイヤモンド巾の硫黄の電子状態
- 26pYL-11 ダイヤモンド中の硫黄-水素複合欠陥
- 31a-ZA-14 半導体ダイヤモンド中の水素II:アクセプター : ドナーとの共演
- 25p-T-12 半導体ダイヤモンド中の水素 : アクセプター/ドナーとの共演
- 25p-T-11 ダイヤモンド中の窒素・原子空孔対による窒素不純物の新しい拡散機構
- 7p-E-6 第一原理計算による価電子制御と物質設計 : CuInS_2, GaN, ZnSeからダイヤモンドまで
- 8a-S-6 同時ドーピングによる低抵抗n型ダイヤモンド半導体の実現方法の提案
- 5p-L-5 電子励起によるアモルファス半導体の低温結晶化促進反応機構(理論)
- 3a-M-7 ダイヤモンド中の不純物の第一原理計算
- 29p-YL-5 第一原理分子動力学法によるアモルファス半導体欠陥の電子励起原子移動
- 3a-J-9 第一原理分子動力学法によるアモルファスシリコンの光誘起結晶化機構
- Prediction of Intrinsic Defects in Hydrogenated Amorphous Silicon by ab initio Molecular Dynamics
- 30p-L-2 第一原理分子動力学法による非晶質シリコンの電子励起結晶化機構 (1)
- 30p-L-1 第一原理分子動力学法によるa-Si:Hの欠陥と電子励起状態計算
- 31p-M-3 ab initio分子動力学法によるa-Si:Hの光誘起欠陥の電子構造
- 6a-A2-16 V族結晶の高圧相
- 29p-L-14 ヨウ素常圧相の電子構造
- 29p-F-6 ヨウ素高圧相の電子構造
- 5a-B-11 ヨウ素高圧相の第一原理からの全エネルギー計算と構造安定性
- 28p-F-3 PbI_2のバンド構造と圧力依存性
- 3a-B3-4 固体ヨウ素の電子構造と圧力変化