Prediction of Intrinsic Defects in Hydrogenated Amorphous Silicon by ab initio Molecular Dynamics
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
この論文は国立情報学研究所の電子図書館事業により電子化されました。
- 物性研究刊行会の論文
- 1994-05-20
著者
関連論文
- 27a-PS-12 K_xC_の光電子分光 : 薄膜のアニール効果
- 27p-PS-53 K_xC_, K_xC_の光電子分光
- 27a-A-4 Na_xC_60, Cs_xC_60の光電子分光
- 30p-APS-22 C_アルカリ金属化合物の光電子分光
- 24pY-5 第一原理計算によるSi中の遷移金属の拡散
- 23aK-7 II-VI族希薄磁性半導体の磁性とキャリアドーピングの効果
- 31p-K-4 Sr_2RuO_4の高エネルギー分解能角度分解光電子分光
- 31p-K-3 Sr_2RuO_4の共鳴光電子分光
- 27p-APS-101 XPSによるK_xC_の電子状態の研究
- 5a-A-16 高温超伝導体の軟X線分光
- Bi_2Sr_2CaCu_2O_8単結晶の角度分解逆光電子分光 : 非占有電子帯構造
- 30p-APS-20 Bi系超伝導体、非超伝導体単結晶の偏極酸素 : K吸収分光
- 27p-PS-7 LnBa_2Cu_3O_(Ln=Y, Sm)のUPS, XPS, SOR光電子分光
- 2p-TD-10 酸化物高温超伝導体Y系、La系におけるCu及びOのNMR
- 30a-TC-3 La_Sr_xCuO_4 (X=0.0-0.55)およびYBa_2Cu_3O_の軟X線吸収分光
- 31p-Z-6 Bi系酸化物超伝導体のSTM/TS測定 (II)
- 5a-ZA-12 Bi_2Sr_2CaCu_2O_8におけるBiO面のSTM/TS測定
- Bi系非超伝導体単結晶の角度分解光電子分光
- 27a-ZL-2 角度分解光電子分光によるBi系超伝導体のホール濃度依存
- 25a-PS-24 フェルミ準位を横切るバンドの数 : Bi系角度分解光電子分光実験の比較
- 6a-ZA-2 La_Sr_xCuO_4、La_Sr_xNiO_4の光電子分光
- 30a-W-1 Bi_2Sr_2CaCu_2O_8単結晶の電子エネルギー損失分光
- 22aTG-2 希薄磁性半導体における磁気励起の研究(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22aTG-3 TiO_2ベース希薄磁性半導体の第一原理計算(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 5a-PS-38 高温超伝導体(La,Y,Bi系)の偏極軟X線分光
- 計算機で作ったアモルファスシリコン
- 半導体における第一原理計算からの物質設計
- 5p-L-5 電子励起によるアモルファス半導体の低温結晶化促進反応機構(理論)
- 29p-YL-5 第一原理分子動力学法によるアモルファス半導体欠陥の電子励起原子移動
- 3a-J-9 第一原理分子動力学法によるアモルファスシリコンの光誘起結晶化機構
- Prediction of Intrinsic Defects in Hydrogenated Amorphous Silicon by ab initio Molecular Dynamics
- 30p-L-2 第一原理分子動力学法による非晶質シリコンの電子励起結晶化機構 (1)
- 30p-L-1 第一原理分子動力学法によるa-Si:Hの欠陥と電子励起状態計算
- 3p-W-3 物質設計システムの試作
- 31p-Z-9 Bi_2Sr_2CaCu_2O_8の弾性係数温度依存性
- 28a-PS-78 ヘム蛋白質の電子状態の簡単な模型
- 31a-YC-1 シリコン中の炭素-水素複合体の構造と電子状態II
- 4a-YG-6 シリコン中の炭素-水素複合体の構造と電子状態
- 12p-DK-7 シリコン中の格子間酸素の断熱ポテンシャル
- 27p-H-3 シリコン中の格子間酸素の低エネルギー非調和運動に対する炭素の影響
- 29p-K-2 シリコン中の炭素 : 酸素複合体に起因する赤外吸収
- 2p-Z-12 シリコン中の炭素-酸素複合体による赤外吸収
- 31a-Z-7 シリコン中の炭素-酸素複合体の安定構造
- 3p-Q-11 シリコン中の炭素-酸素複合体の安定構造
- 27a-N-5 黒リンの格子振動
- 3a-A-4 黒リンの格子振動
- 黒リンの電子構造と物性について(計算機による固体相転移の研究,科研費研究会報告)
- 31p-E-12 黒リンの格子振動III
- 2p-NL-19 黒リンの格子振動 II
- 30a-S-1 黒リンの格子振動
- 5p-YE-2 超高エネルギー分解能光電子分光によるTl2201のフェルミ面
- 4a-F-3 Tl_2Ba_2CuO_6の超高エネルギー分解能角度分解光電子分光
- 13a-T-9 Tl系高温超伝導体の透過型電子エネルギー損失分光
- 30a-TC-4 偏光X線吸収スペクトルによる3d正孔の対称性
- 6p-ZA-2 Nd-Ce-Cu-Oの軟X線分光
- 6a-ZA-8 Bi-Sr-Ca-Y-Cu-Oの軟X線分光
- 5a-Z-12 Bi系単結晶薄膜の光吸収
- 5a-PS-35 Bi-Sr-Ca-Cu-Oの反射スペクトル
- 27p-C-9 計算物理からの展望 : ZnSe中の不純物移動の理論
- 31a-Z-12 化合物半導体での原子空孔による格子緩和 II
- 6p-C-5 ZnSe : Liの原子配置
- 6p-C-4 化合物半導体中での原子空孔による格子緩和
- 5a-PS-33 Bi系酸化物超伝導体単結晶の育成と評価
- 29p-ZC-8 酸化物高温超伝導体のCuと^OのNMR
- 5a-Z-5 YBa_2Cu_3^O_7のサイト選択的^O置換
- 3p-Y-1 酸化物高温超伝導体の^ONMR(II)
- 6p-PS-12 Tl-Ba-Ca-Cu-O系酸化物超伝導体のNMR
- 6p-PS-11 酸化物高温超伝導体における^OのNMR
- 5a-PS-50 BiSrCaCuO超伝導酸化物のラマン散乱
- 5a-PS-34 酸化物高温超伝導体の同位体効果
- 5a-PS-32 Bi_2Sr_2CaCu_2O_8におけるUdd,V,Δ,E_F上のバンドの起源 : 共鳴光電子分光
- 5a-PS-31 Bi_2Sr_2CaCu_2O_8のバンド構造 : 角度分解光電子分光
- 5a-PS-28 高温超伝導体における酸素2p電子の相関エネルギー
- 30p-APS-5 C_結晶のラマン散乱
- 30a-TC-7 Bi_2Sr_2Ca_Y_xCu_2O_8の逆光電子分光
- 30a-TC-6 非超伝導体Bi_2Sr_2Ca_Y_Cu_2O_8単結晶の角度分解光電子分光
- 6p-C3-1 Bi系高温超伝導体単結晶のシンクロトロン放射光電子分光
- 27p-R-4 Cu中のSe,Ge不純物の4S束縛準位のXPSによる研究
- La_Sr_xNiO_4の光電子分光
- 30a-W-13 極低温・高エネルギー分解能光電子分光法による超伝導ギャップの直接観測(II)
- 28p-Q-13 高エネルギー分解光電子分光法による超伝導ギャップの直接観測 (I)
- 24p-K-10 YBa_2Cu_3O_7のド・ハース-ファン・アルフェン効果 II
- 3p-PS-59 YBa_2Cu_3O_7のド・ハースーファン・アルフェン効果
- 26a-G-6 ZnS中Cr不純物のスピン偏極した電子構造
- 29a-B-3 Si中のFe不純物系におけるsuper-hyperfine結合定数とスピン-格子緩和時間の計算
- 5p-YE-1 超高分解能光電子分光によるBi2212の超伝導ギャップの異方性
- 4a-F-2 Bi_2Sr_2CaCu_2O_8の超高エネルギー分解能角度分解光電子分光
- 11p-N-10 GaAs中のCrの電子状態
- 11p-N-9 Si中の格子間位置における軽い不純物の超微細相互作用
- 28a-N-11 Si中の格子間位置における3d遷移金属不純物の電子状態
- 2p-F-5 半導体Ge中の遷移金属不純物の電子構造I
- 3p-M-5 遷移金属におけるS対稱局所状態密度の振舞い
- 1p-PS-18 YBa_2Cu_3O_及び(La_>1-x>Sr_x)_2CuO_単結晶の育成と評価(低温(酸化物超伝導体))
- 28p-LE-3 Si中3d不純物系の超々微細構造定数に対する一般則(半導体)
- 1p-PS-22 単結晶高温超伝導体の光量子分光、逆光電子分光、および軟X線分光(低温(酸化物超伝導体))
- 31a-PS-79 YBa2Cu3O7における^OのNMR(31a PS 低温(酸化物超伝導))
- 31p-PS-15 高温超電導体(La, Y, Bi系)の紫外線逆光電子分光(31p PS 低温(酸化物超伝導))
- 31p-PS-18 酸化物高温超電導体ファミリー単結晶育成とフェルミ準位近傍の電子状態(31p PS 低温(酸化物超伝導))
- 31p-PS-16 Bi_2Sr_2CaCu_2O_8単結晶の角度分解光電子分光II(31p PS 低温(酸化物超伝導))
- 31p-PS-17 Bi_2Sr_2CaCu_2O_8単結晶の偏極光電子分光 : ホールの対称性(31p PS 低温(酸化物超伝導))