西松 毅 | 東北大金研
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概要
関連著者
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西松 毅
東北大金研
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西松 毅
東北大学金属研
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川添 良幸
東北大金研
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川添 良幸
東北大学
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水関 博志
東北大金研
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水関 博志
東北大学金属材料研究所
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川添 義幸
東北大金研
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川添 良幸
東北大 金属材料研
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織田 望
産総研
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吉田 博
阪大産研
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Waghmare Umesh
インドJNCASR
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池田 義秋
NECトーキン(株)
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西松 毅
阪大産研
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織田 望
電総研
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橋本 孝俊
東北大金研:necトーキン(株)
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吉田 博
阪大基礎工
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佐々木 淳
Necトーキン(株)
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佐藤 譲
セイコーエプソン
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橋本 孝俊
東北大金研
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上原 正光
セイコーエプソン株式会社
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Waghmare Umesh
JNCASR
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Sluiter Marcel
東北大金研
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上原 正光
セイコーエプソン研究開発本部
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上原 正光
セイコーエプソン
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佐藤 譲
セイコーエプソン研究開発本部
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Kangawa Yoshihiro
Department Of Applied Chemistry Tokyo University Of Agriculture And Technology
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Barr J.
アイオワ州立大学
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Beckman Scott
アイオワ州立大学
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Wan L.
アイオワ州立大学
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Kumar Vijay
東北大金研
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寺崎 治
ストックホルム大学アレニウス研究所構造化学部門
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木口 賢紀
東北大金研
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今野 豊彦
東北大金研
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岩本 昌也
東北大金研
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Vanderbiit David
ラトガース大
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橋本 孝俊
NECトーキン(株)
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斉藤 義孝
NECトーキン(株)
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宮田 正靖
セイコーエブソン研究開発本部
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北村 周平
東北大金研
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Majumder Chiranjib
東北大金研
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Chen Hao
東北大金研
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Wu Jian
東北大金研
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Esfarjani Keivan
東北大金研
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寺崎 治
ストックホルム大学
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寺崎 治
ストックホルム大学アレニウス研
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Soderberg Karin
ストックホルム大学アレニウス研
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Haussermann Ulrich
ストックホルム大学アレニウス研
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吉田 博
大阪大産研
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青柳 健太
東北大金研
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Kumar Anil
Rutgers大
著作論文
- 25pYR-7 SrTiO_3の全エネルギー表面に対する格子歪み効果の理論的解析(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 29pXK-2 ペロブスカイト型強誘電体の全エネルギー表面の谷底線の第一原理計算(誘電体)(領域10)
- 28pRB-8 半経験的ポテンシャルによるBaTiO_3とPbTiO_3の分子動力学シミュレーション(28pRB 誘電体(シミュレーション・理論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pVE-1 BaTiO_3強誘電体薄膜キャパシターのヒステリシス・ループの分子動力学計算(22pVE 誘電体(ペロフスカイト),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 20aYM-12 強誘電体薄膜の高速な分子動力学シミュレーション(誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pXA-4 ペロブスカイト型強誘電体のより正確なエネルギー表面の表式化
- 21pXA-6 全電子混合基底法によるシリコン自己格子間原子と原子空孔の XPS スペクトルの予想
- 21aTH-13 第一原理計算による Fe, Mo をドープした SrTiO_3 の磁性の評価
- 17pTG-15 全電子混合基底法によるシリコン自己格子間原子のXPSスペクトルの予想
- 28aYS-3 導電性高分子配線の電気伝導シミュレーション研究
- 14aXE-10 第一原理計算による CaAl_Zn_x の構造安定性の研究(溶融塩, 金属結合, 合金, 領域 6)
- 26aWY-5 強誘電体の相転移の高精度な分子動力学計算 : リラクサーの理解をめざして(26aWY 領域10,領域8,領域7,領域3合同シンポジウム:誘電体に潜む新しい秩序-最近の話題-,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 25pWY-1 強誘電体薄膜キャパシタのインプリント現象の分子動力学シミュレーション(25pWY 薄膜・酸化物系,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 26aWY-5 強誘電体の相転移の高精度な分子動力学計算 : リラクサーの理解をめざして(26aWY 領域10,領域8,領域7,領域3合同シンポジウム:誘電体に潜む新しい秩序-最近の話題-,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 19aYN-10 リンドープダイヤモンドの局所対称性の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27aXT-9 ボロン水素複合欠陥によるn型ダイヤモンドの可能性についての第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 24aY-4 ダイヤモンド中の酸素-水素複合欠陥
- 26pYL-11 ダイヤモンド中の硫黄-水素複合欠陥
- 31a-ZA-14 半導体ダイヤモンド中の水素II:アクセプター : ドナーとの共演
- 18pTG-7 半導体中の点欠陥の第一原理計算
- 27pTM-1 強誘電体メモリのインプリント現象と格子欠陥(27pTM 酸化物系,光散乱,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pGN-3 強誘電体ドメイン境界の格子欠陥によるピン留めの分子動力学シミュレーション(22pGN 酸化物・ペロヴスカイト,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 24aCL-5 PbTiO_3の昇温/降温分子動力学シミュレーション(24aCL 誘電体(酸化物,ペロヴスカイト,光散乱),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 20pAR-1 BaTiO_3の電気熱量効果の分子動力学計算(20pAR 誘電体(ペロフスカイト,酸化物,量子効果),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pRB-9 大規模探索計算で切り開く材料計算科学(27pRB 素粒子論領域,理論核物理領域,領域11,領域9,領域8,領域7,領域3,領域4,領域5,領域6,領域12合同シンポジウム:エクサスケールに向けて歩み出す計算物理学,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pRB-9 大規模探索計算で切り開く材料計算科学(27pRB 素粒子論領域,理論核物理領域,領域11,領域9,領域8,領域7,領域3,領域4,領域5,領域6,領域12合向シンポジウム:エクサスケールに向けて歩み出す 計算物理学,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28pXS-10 強誘電体の電気熱量効果の直接的な分子動力学計算(28pXS 誘電体(マルチフェロイック,シミュレーション他),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pRB-9 大規模探索計算で切り開く材料計算科学(27pRB 素粒子論領域,理論核物理領域,領域11,領域9,領域8,領域7,領域3,領域4,領域5,領域6,領域12合同シンポジウム:エクサスケールに向けて歩み出す計算物理学,素粒子論領域)