西松 毅 | 東北大学金属研
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概要
関連著者
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西松 毅
東北大学金属研
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西松 毅
東北大金研
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川添 良幸
東北大金研
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川添 良幸
東北大学
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水関 博志
東北大金研
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川添 義幸
東北大金研
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東北大 金属材料研
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Waghmare Umesh
インドJNCASR
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池田 義秋
NECトーキン(株)
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橋本 孝俊
東北大金研:necトーキン(株)
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吉田 博
阪大基礎工
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佐々木 淳
Necトーキン(株)
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佐藤 譲
セイコーエプソン
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橋本 孝俊
東北大金研
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織田 望
産総研
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上原 正光
セイコーエプソン株式会社
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Sluiter Marcel
東北大金研
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上原 正光
セイコーエプソン研究開発本部
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上原 正光
セイコーエプソン
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佐藤 譲
セイコーエプソン研究開発本部
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Kangawa Yoshihiro
Department Of Applied Chemistry Tokyo University Of Agriculture And Technology
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伊藤 満
東工大応セラ研
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伊藤 満
東京工業大学応用セラミックス研究所
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伊藤 満
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東北大金研
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静岡大学GRL
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吉田 博
阪大産研
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寺崎 治
ストックホルム大学アレニウス研究所構造化学部門
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鈴木 久男
静岡大学工学部物質工学科
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符 徳勝
静岡大学 若手グロバール研究リーダー育成拠点
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坂元 尚紀
静岡大学 工学部 物質工学科
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脇谷 尚樹
静岡大学 工学部 物質工学科
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岩本 昌也
東北大金研
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Waghmare Umesh
JNCASR
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ラトガース大
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橋本 孝俊
NECトーキン(株)
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斉藤 義孝
NECトーキン(株)
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宮田 正靖
セイコーエブソン研究開発本部
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北村 周平
東北大金研
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Majumder Chiranjib
東北大金研
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Chen Hao
東北大金研
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東北大金研
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寺崎 治
ストックホルム大学
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寺崎 治
ストックホルム大学アレニウス研
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Soderberg Karin
ストックホルム大学アレニウス研
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Haussermann Ulrich
ストックホルム大学アレニウス研
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脇谷 尚樹
静岡大学工学部
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吉田 博
大阪大産研
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Itoh M
Materials And Structures Laboratory Tokyo Institute Of Technology
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Ishizuka M
Research Center For Materials Science At Extreme Conditions Osaka University
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Itoh M
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Shinshu University
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Itoh M
Institute Of Livestock Industry's Environmental Technology Livestock Industry's Environmen
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Itoh Minoru
Department Of Electrical And Electronic Engineering Shishu University
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Suzuki H
Research Institute For Electronic Science Hokkaido University
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Suzuki H
Hiroshima Univ. Higashi‐hiroshima‐shi Jpn
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Itoh Minobu
Department Of Applied Science Faculty Of Engineering Shinshu
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坂元 尚紀
静岡大学工学部
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深町 浩平
静岡大学工学部
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鈴木 久男
静岡大学工学部:静岡大学大学院
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伊藤 満
東京工業大学工業材料研究所
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鈴木 久男
静岡大学工学部
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Itoh Minoru
Department of Physics, Kyoto University
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伊藤 満
東工大応セラ
著作論文
- 25pYR-7 SrTiO_3の全エネルギー表面に対する格子歪み効果の理論的解析(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 29pXK-2 ペロブスカイト型強誘電体の全エネルギー表面の谷底線の第一原理計算(誘電体)(領域10)
- 28pRB-8 半経験的ポテンシャルによるBaTiO_3とPbTiO_3の分子動力学シミュレーション(28pRB 誘電体(シミュレーション・理論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pVE-1 BaTiO_3強誘電体薄膜キャパシターのヒステリシス・ループの分子動力学計算(22pVE 誘電体(ペロフスカイト),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 20aYM-12 強誘電体薄膜の高速な分子動力学シミュレーション(誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pXA-4 ペロブスカイト型強誘電体のより正確なエネルギー表面の表式化
- 21pXA-6 全電子混合基底法によるシリコン自己格子間原子と原子空孔の XPS スペクトルの予想
- 21aTH-13 第一原理計算による Fe, Mo をドープした SrTiO_3 の磁性の評価
- 17pTG-15 全電子混合基底法によるシリコン自己格子間原子のXPSスペクトルの予想
- 28aYS-3 導電性高分子配線の電気伝導シミュレーション研究
- 14aXE-10 第一原理計算による CaAl_Zn_x の構造安定性の研究(溶融塩, 金属結合, 合金, 領域 6)
- 26aWY-5 強誘電体の相転移の高精度な分子動力学計算 : リラクサーの理解をめざして(26aWY 領域10,領域8,領域7,領域3合同シンポジウム:誘電体に潜む新しい秩序-最近の話題-,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 25pWY-1 強誘電体薄膜キャパシタのインプリント現象の分子動力学シミュレーション(25pWY 薄膜・酸化物系,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 26aWY-5 強誘電体の相転移の高精度な分子動力学計算 : リラクサーの理解をめざして(26aWY 領域10,領域8,領域7,領域3合同シンポジウム:誘電体に潜む新しい秩序-最近の話題-,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 19aYN-10 リンドープダイヤモンドの局所対称性の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27aXT-9 ボロン水素複合欠陥によるn型ダイヤモンドの可能性についての第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 18pTG-7 半導体中の点欠陥の第一原理計算
- 27pTM-1 強誘電体メモリのインプリント現象と格子欠陥(27pTM 酸化物系,光散乱,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 25pTM-7 負圧効果によるBaTiO_3の強誘電相転移温度の巨大増加(25pTM リラクサー,酸化物系,ペロブスカイト,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pGN-3 強誘電体ドメイン境界の格子欠陥によるピン留めの分子動力学シミュレーション(22pGN 酸化物・ペロヴスカイト,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))