31pYH-2 第一原理計算による 4f 希土類金属および 3d 遷移金属ドープ IV 族 (Si, Ge, Diamond) 強磁性半導体の物質設計

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2003-03-06

著者

• 佐藤 和則

  阪大基礎工

• 吉田 博

  阪大産研

• 佐藤 和則

  ユーリッヒ研

• 荒木 和也

  阪大産研

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