17pYH-6 GaNベース希薄磁性半導体の平均場解の群論的分類
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
23pGP-2 ケルビンプローブフォース顕微鏡像のシミュレーション方法とその応用(23pGP ナノ構造・局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
24pY-5 第一原理計算によるSi中の遷移金属の拡散
-
23aK-7 II-VI族希薄磁性半導体の磁性とキャリアドーピングの効果
-
22aTG-2 希薄磁性半導体における磁気励起の研究(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
22aTG-3 TiO_2ベース希薄磁性半導体の第一原理計算(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
計算機で作ったアモルファスシリコン
-
半導体における第一原理計算からの物質設計
-
5p-L-5 電子励起によるアモルファス半導体の低温結晶化促進反応機構(理論)
-
29p-YL-5 第一原理分子動力学法によるアモルファス半導体欠陥の電子励起原子移動
-
3a-J-9 第一原理分子動力学法によるアモルファスシリコンの光誘起結晶化機構
-
Prediction of Intrinsic Defects in Hydrogenated Amorphous Silicon by ab initio Molecular Dynamics
-
30p-L-2 第一原理分子動力学法による非晶質シリコンの電子励起結晶化機構 (1)
-
30p-L-1 第一原理分子動力学法によるa-Si:Hの欠陥と電子励起状態計算
-
24pPSA-25 計算機シミュレーションによるDihydride-Si(001)表面の非接触原子間力顕微鏡像(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
22pPSA-96 Si(111)DAS構造の原子間力顕微鏡像のシミュレーション(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
20pTG-2 強束縛近似による水素終端Si表面の原子間力顕微鏡像のシミュレーション(水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
26aYC-7 メチル終端Si表面のAFMシミュレーション(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
29pYB-4 メチル基不純物を含む水素終端Si表面のAFMシミュレーション(29pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
21aPS-45 DFTB法による有機分子/Si表面のSPMシミュレーション(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
第一原理計算による新機能性半導体のマテリアルデザイン -予言と実験の比較 -
-
熱非平衡結晶成長における同時ドーピング法による新しい価電子制御法とスピン制御法 : 結晶成長の理論(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
-
25pJ-10 Mn酸化物の軌道整列状態とその対称性
-
26p-PSB-60 三角格子、縮退ハバードモデルの平均場解の群論的分類
-
T_ハバードモデルの平均場解の群論的分類
-
E_gハバードモデルの平均場解の群論的分類
-
第一原理計算法III : 界面と欠陥のナノダイナミクス
-
29pPSB-33 計算機シミュレーションによるSi(111)DAS表面の非接触原子間力顕微鏡フォースマップ(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
22aTL-2 日本企業の成長性(経済物理I,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
-
23aXE-6 企業の成長戦略とその分析(23aXE 経済物理,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
-
第一原理計算法II : 計算機ナノマテリアルデザイン
-
24aZD-8 第一原理計算による結晶SiにおけるCN分子の解析(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
-
22aYC-12 高圧下におけるホウ素結晶の振る舞い(格子欠落・アモルファス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
27aYT-5 固体ホウ素の高圧下の振る舞い(化合物半導体・アモルファス,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
-
30aYF-12 第一原理計算によるβホウ素の格子振動スペクトル(アンダーソン局在・低次元物質)(領域4)
-
12aYB-7 圧力下における固体ホウ素の安定状態(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
-
23aTL-7 固体ホウ素の圧力依存
-
28aZK-1 ホウ素とその化合物の電子状態と圧力依存
-
17pYH-6 GaNベース希薄磁性半導体の平均場解の群論的分類
-
23aSD-7 二次元三角格子上のE_g縮退ハバードモデルにおける群論的研究
-
23aG-11 二次元三角格子上のE_g縮退ハバードモデルにおける平均場解の群論的分類
-
26pPSA-6 三角格子上における縮退ハバードモデルへの群論的アプローチ
-
28a-PS-1 三角格子、縮退ハバードモデルの平均場解の群論的分類2
-
24aY-9 同時ドーピングによるSi金属化の第一原理計算
-
半導体スピンエレクトロニクスの将来展望
-
25pDD-9 密度汎関数法によるEuおよびMgを同時ドーピングしたGaNの電子状態計算(量子井戸・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
6aSB-6 高圧下におけるβホウ素の第一原理計算(層状・低次元物質・化合物半導体,領域4)
-
24pSA-14 圧力下におけるβホウ素の第一原理計算(24pSA 化合物半導体,層状・低次元物質,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク