25pDD-9 密度汎関数法によるEuおよびMgを同時ドーピングしたGaNの電子状態計算(量子井戸・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 2013-08-26

著者

• 真砂 啓

  東北大学wpi-aimr

• 吉田 博

  大阪大学基礎工学研究科

• 佐藤 和則

  大阪大学工学部

• 真砂 啓

  大阪大学基礎工学部

• 福島 鉄也

  大阪大学基礎工学部

• 吉田 博

  大阪大学基礎工

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