半導体スピンエレクトロニクスの将来展望

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 1999-03-18

著者

• 吉田 博

  大阪大学産業科学研究所

• 吉田 博

  大阪大学産業科学研究所量子物性研究分野

関連論文

• 24pY-5 第一原理計算によるSi中の遷移金属の拡散
• 23aK-7 II-VI族希薄磁性半導体の磁性とキャリアドーピングの効果
• 22aTG-2 希薄磁性半導体における磁気励起の研究(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22aTG-3 TiO_2ベース希薄磁性半導体の第一原理計算(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 計算機で作ったアモルファスシリコン
• 半導体における第一原理計算からの物質設計
• 5p-L-5 電子励起によるアモルファス半導体の低温結晶化促進反応機構(理論)
• 29p-YL-5 第一原理分子動力学法によるアモルファス半導体欠陥の電子励起原子移動
• 3a-J-9 第一原理分子動力学法によるアモルファスシリコンの光誘起結晶化機構
• Prediction of Intrinsic Defects in Hydrogenated Amorphous Silicon by ab initio Molecular Dynamics
• 30p-L-2 第一原理分子動力学法による非晶質シリコンの電子励起結晶化機構 (1)
• 30p-L-1 第一原理分子動力学法によるa-Si:Hの欠陥と電子励起状態計算
• 第一原理計算による新機能性半導体のマテリアルデザイン -予言と実験の比較 -
• 熱非平衡結晶成長における同時ドーピング法による新しい価電子制御法とスピン制御法 : 結晶成長の理論(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
• 第一原理計算法III : 界面と欠陥のナノダイナミクス
• 22aTL-2 日本企業の成長性(経済物理I,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 23aXE-6 企業の成長戦略とその分析(23aXE 経済物理,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 第一原理計算法II : 計算機ナノマテリアルデザイン
• 24aZD-8 第一原理計算による結晶SiにおけるCN分子の解析(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28aZK-1 ホウ素とその化合物の電子状態と圧力依存
• 17pYH-6 GaNベース希薄磁性半導体の平均場解の群論的分類
• 24aY-9 同時ドーピングによるSi金属化の第一原理計算
• 半導体スピンエレクトロニクスの将来展望

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク