24aY-9 同時ドーピングによるSi金属化の第一原理計算

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2000-03-10

著者

• 白井 光雲

  阪大産研

• 吉田 博

  大阪大学産業科学研究所

• 白井 光雲

  大阪大学産業科学研究所 ナノテクノロジーセンター

• 川崎 達郎

  大阪大学産業科学研究所

関連論文

• 領域10「グリーンテクノロジーにおける格子欠陥・ナノ構造の役割」(第65回年次大会シンポジウムの報告)
• 21pGP-8 グラファイトの高圧における電気伝導特性(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aGE-7 BC系における高圧による超伝導探索(20aGE 銅酸化物・その他の超伝導,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 22pGR-10 Liドープされたαホウ素の動的安定性(22pGR ゼオライト・クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24pY-5 第一原理計算によるSi中の遷移金属の拡散
• 23aK-7 II-VI族希薄磁性半導体の磁性とキャリアドーピングの効果
• 28aYE-9 グラファイトの高圧における電気特性と超伝導(グラフェン電子物性(物性予測),領域7,分子性固体・有機導体)
• 25aYD-1 Li添加したαホウ素の動的安定性(クラスレート・ゼオライト,領域7,分子性固体・有機導体)
• 22pWF-9 αホウ素の不純物添加による金属化(22pWF クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aTF-3 αホウ素の不純物添加による金属化(ゼオライト・クラスター,領域7,分子性固体・有機導体)
• 23pTH-2 不純物添加した固体ホウ素の物性(クラスレート・新物質,領域7,分子性固体・有機導体)
• 30aRC-1 ベータホウ素の高圧における構造(30aRC クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aYJ-10 a-Si:Hの光誘起構造変化に関する第一原理計算
• 26aTF-2 α-Boronの高温高圧合成の可能性(ゼオライト・クラスター,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26aTF-1 α-Boronにおけるクラスター構造と電子密度の圧力変化(ゼオライト・クラスター,領域7,分子性固体・有機導体)
• 30pYG-5 Li添加したα-boronの電子格子相互作用(30pYG クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 第一原理計算による半導体材料のダイナミックスとマテリアルデザイン (
• 「正20面体クラスター固体α菱面体晶ボロンの奇妙な結合」に対するコメント
• 27aYM-6 シリコン中の水素の振動問題(領域10, 領域4合同格子欠陥・ナノ(半導体),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 15aTB-10 第一原理計算によるシリコン中の水素の振動問題(電子系 : 第一原理計算, 領域 11)
• 22aTG-2 希薄磁性半導体における磁気励起の研究(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20pXB-10 XAFSによるPd/ZrO_2ナノコンポジット材料における(重)水素吸蔵過程の観測(領域10,領域9合同 格子欠陥・ナノ構造(水素ダイナミクス),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 28aRG-10 BC系における超伝導探索(層状窒化物・その他の超伝導,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 27aRB-10 シリコン中の単原子空孔と格子ダイナミクス(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 30pVL-11 ダイヤモンド構造BC5の安定構造(30pVL 多軌道系,フラストレーションなど,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 30aTL-5 BC系における超伝導探索(30aTL ダイヤモンド超伝導他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 21aRB-9 原子空孔における弾性定数の温度変化のモデル計算(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aRB-8 第一原理計算によるシリコン中原子空孔の弾性への影響の研究(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 20aQE-4 Ekimovの高圧を使ったBドープダイヤモンド作成の解析(20aQE ダイヤモンド・Si超伝導,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24pYF-7 Si結晶中の単原子空孔の弾性定数への影響(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24pYF-8 シリコン中のCu複合体のフォトルミネッセンス : 解釈(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 22aTG-3 TiO_2ベース希薄磁性半導体の第一原理計算(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22aYC-9 シリコン中不純物の光励起による選択的低温拡散の第一原理シミュレーション(格子欠落・アモルファス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 計算機で作ったアモルファスシリコン
• 半導体における第一原理計算からの物質設計
• 5p-L-5 電子励起によるアモルファス半導体の低温結晶化促進反応機構(理論)
• 29p-YL-5 第一原理分子動力学法によるアモルファス半導体欠陥の電子励起原子移動
• 3a-J-9 第一原理分子動力学法によるアモルファスシリコンの光誘起結晶化機構
• Prediction of Intrinsic Defects in Hydrogenated Amorphous Silicon by ab initio Molecular Dynamics
• 30p-L-2 第一原理分子動力学法による非晶質シリコンの電子励起結晶化機構 (1)
• 30p-L-1 第一原理分子動力学法によるa-Si:Hの欠陥と電子励起状態計算
• 23aZB-4 高圧下における固体ホウ素の性質(23aZB クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aZB-1 高圧でのボロンの分子動力学シミュレーション(23aZB クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20pXB-11 水素を吸蔵させたナノクラスターPd構造の第一原理計算(領域10,領域9合同 格子欠陥・ナノ構造(水素ダイナミクス),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 22pTD-11 結晶シリコンにおける単原子空孔の弾性定数への影響(格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 18pWF-7 シリコンにおける格子空孔による弾性定数への影響(18pWF 硼化物・炭化物・その他2,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 19aRG-1 不純物添加したα-Boronの物性(クラスレート,領域7,分子性固体・有機導体)
• 30aRC-6 高圧下におけるα-gallium型構造を持つ固体ホウ素の安定性(30aRC クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 第一原理計算による新機能性半導体のマテリアルデザイン -予言と実験の比較 -
• 熱非平衡結晶成長における同時ドーピング法による新しい価電子制御法とスピン制御法 : 結晶成長の理論(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
• 29p-X-1 内部構造を有するベーテ格子 : 二十面体構造ネットワークへの応用
• 25a-ZG-9 分子線法によるホウ素薄膜の赤外・ラマンスペクトル
• 29p-B-12 アモルファスホウ素薄膜の光学的特性
• 第一原理計算法III : 界面と欠陥のナノダイナミクス
• 22aTL-2 日本企業の成長性(経済物理I,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 24aZD-8 第一原理計算による結晶SiにおけるCN分子の解析(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 領域10, 4「電子励起と不純物ダイナミックスのコントロール」(2005年秋季大会シンポジウムの報告)
• 19pYN-1 『電子励起と不純物ダイナミックスのコントロール』 : イントロダクトリートーク(領域10,領域4合同シンポジウム : 電子励起と不純物ダイナミックスのコントロール,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22aYC-12 高圧下におけるホウ素結晶の振る舞い(格子欠落・アモルファス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aYT-5 固体ホウ素の高圧下の振る舞い(化合物半導体・アモルファス,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 30aYF-12 第一原理計算によるβホウ素の格子振動スペクトル(アンダーソン局在・低次元物質)(領域4)
• 31a-YJ-8 ホウ素のラマンスペクトルにおける狭い線幅と非調和効果
• 12aYB-7 圧力下における固体ホウ素の安定状態(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
• 23aTL-7 固体ホウ素の圧力依存
• 28aZK-1 ホウ素とその化合物の電子状態と圧力依存
• 24aPS-1 α-Boronの高圧下電気抵抗測定(領域4ポスターセッション,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 27pGJ-11 ベータNMRによる^Cuの磁気モーメント測定(27pGJ 不安定核III,実験核物理領域)
• 29a-S-6 二十面体をベースとするアモルファス半導体ホウ素の格子振動
• 今さら比熱?(会員の声)
• 27pTJ-8 ダイヤモンド中の単一NV中心の電子状態について(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(炭素・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• どれがBNの最も安定な構造か (今月の特集も、BNなの)
• 実験ノート 第一原理分子動力学法(Osaka 2000)の開発と応用
• 17pYJ-2 BNの弾性的性質と圧力相転移
• 30aTB-1 BN構造の弾性的性質と圧力相転移
• 24aY-9 同時ドーピングによるSi金属化の第一原理計算
• 25aL-14 ボロンカーバイトの構造の圧力依存性
• 27ac-1 ボロンカーバイトの構造の圧力依存性の理論計算
• 25a-YE-10 ボロンカーバイトの安定構造とフォノン
• 8p-E-9 第一原理計算によるホウ素の格子振動
• 25pTJ-11 第一原理計算によるα正方晶ホウ素の構造探索(25pTJ ゼオライト・DNA,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pTJ-13 シリコン中のCu不純物の安定配置(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 31a-R12 結晶ホウ素の弾性的性質
• 22aGQ-2 シリコン中銅不純物の挙動観測のための核プローブ開発(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aGQ-5 シリコン結晶中の銅不純物の安定配置(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22pTD-8 α正方晶ホウ素の構造安定性(22pTD クラスレート系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pGQ-13 ダイヤモント中の単一NV中心の電子状態について(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 前田康二,竹内伸, 結晶欠陥の物理, 裳華房, 東京, 2011, ix+216p, 22×16cm, 本体3,500円, [大学院・学部向], ISBN978-4-7853-2917-4
• 24aCJ-7 第一原理計算によるα正方晶ホウ素の構造安定性の研究(24aCJ 籠状物質,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aCD-9 シリコン結晶中の銅不純物の安定配置II(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 18pEC-11 第一原理計算によるボロンカーバイドの構造安定性の研究(18pEC 籠状物質・ネットワーク物質,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aXF-2 第一原理計算によるα正方晶ホウ素の構造安定性の研究II(27aXF 籠状物質・ネットワーク物質,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aXF-1 ボロンカーバイトの構造安定性について(27aXF 籠状物質・ネットワーク物質,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pXZB-12 第一原理計算に基づくシリコン結晶中の銅不純物の安定配置II(28pXZB 格子欠陥・ナノ構造(点欠陥・照射損傷・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 8pSP-8 放射光内殻励起による新物質創成の第一原理マテリアルデザイン(主題:電子励起による表面ナノテクノロジーの展開,領域9シンポジウム,領域9)
• 22aSH-5 ^Cuのβ-NMR測定(高スピン・核融合・宇宙物理・軽イオン,実験核物理領域)
• 27pDF-12 第一原理計算によるα正方晶ホウ素の構造安定性の研究 III(籠状物質・ネットワーク物質,領域7(分子性個体・有機導体))
• 25pPSA-6 シリコン結晶中の点欠陥銅不純物の第一原理計算(領域10ポスターセッション(格子欠陥・ナノ構造・誘電体・中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 6aSB-6 高圧下におけるβホウ素の第一原理計算(層状・低次元物質・化合物半導体,領域4)
• 24pSA-14 圧力下におけるβホウ素の第一原理計算(24pSA 化合物半導体,層状・低次元物質,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク