28pXZB-12 第一原理計算に基づくシリコン結晶中の銅不純物の安定配置II(28pXZB 格子欠陥・ナノ構造(点欠陥・照射損傷・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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