実験ノート 第一原理分子動力学法(Osaka 2000)の開発と応用

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概要

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著者

• 白井 光雲

  阪大産研

関連論文

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• 18pWF-7 シリコンにおける格子空孔による弾性定数への影響(18pWF 硼化物・炭化物・その他2,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
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• 30aRC-6 高圧下におけるα-gallium型構造を持つ固体ホウ素の安定性(30aRC クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
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• 第一原理計算法III : 界面と欠陥のナノダイナミクス
• 24aZD-8 第一原理計算による結晶SiにおけるCN分子の解析(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
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• 19pYN-1 『電子励起と不純物ダイナミックスのコントロール』 : イントロダクトリートーク(領域10,領域4合同シンポジウム : 電子励起と不純物ダイナミックスのコントロール,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22aYC-12 高圧下におけるホウ素結晶の振る舞い(格子欠落・アモルファス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aYT-5 固体ホウ素の高圧下の振る舞い(化合物半導体・アモルファス,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 30aYF-12 第一原理計算によるβホウ素の格子振動スペクトル(アンダーソン局在・低次元物質)(領域4)
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• 12aYB-7 圧力下における固体ホウ素の安定状態(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
• 23aTL-7 固体ホウ素の圧力依存
• 28aZK-1 ホウ素とその化合物の電子状態と圧力依存
• 24aPS-1 α-Boronの高圧下電気抵抗測定(領域4ポスターセッション,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 27pGJ-11 ベータNMRによる^Cuの磁気モーメント測定(27pGJ 不安定核III,実験核物理領域)
• 29a-S-6 二十面体をベースとするアモルファス半導体ホウ素の格子振動
• 今さら比熱?(会員の声)
• 27pTJ-8 ダイヤモンド中の単一NV中心の電子状態について(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(炭素・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
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• 実験ノート 第一原理分子動力学法(Osaka 2000)の開発と応用
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• 25aL-14 ボロンカーバイトの構造の圧力依存性
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• 22aGQ-5 シリコン結晶中の銅不純物の安定配置(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22pTD-8 α正方晶ホウ素の構造安定性(22pTD クラスレート系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pGQ-13 ダイヤモント中の単一NV中心の電子状態について(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 前田康二,竹内伸, 結晶欠陥の物理, 裳華房, 東京, 2011, ix+216p, 22×16cm, 本体3,500円, [大学院・学部向], ISBN978-4-7853-2917-4
• 24aCJ-7 第一原理計算によるα正方晶ホウ素の構造安定性の研究(24aCJ 籠状物質,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aCD-9 シリコン結晶中の銅不純物の安定配置II(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 18pEC-11 第一原理計算によるボロンカーバイドの構造安定性の研究(18pEC 籠状物質・ネットワーク物質,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aXF-2 第一原理計算によるα正方晶ホウ素の構造安定性の研究II(27aXF 籠状物質・ネットワーク物質,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aXF-1 ボロンカーバイトの構造安定性について(27aXF 籠状物質・ネットワーク物質,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pXZB-12 第一原理計算に基づくシリコン結晶中の銅不純物の安定配置II(28pXZB 格子欠陥・ナノ構造(点欠陥・照射損傷・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 8pSP-8 放射光内殻励起による新物質創成の第一原理マテリアルデザイン(主題:電子励起による表面ナノテクノロジーの展開,領域9シンポジウム,領域9)
• 22aSH-5 ^Cuのβ-NMR測定(高スピン・核融合・宇宙物理・軽イオン,実験核物理領域)
• 27pDF-12 第一原理計算によるα正方晶ホウ素の構造安定性の研究 III(籠状物質・ネットワーク物質,領域7(分子性個体・有機導体))
• 25pPSA-6 シリコン結晶中の点欠陥銅不純物の第一原理計算(領域10ポスターセッション(格子欠陥・ナノ構造・誘電体・中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 6aSB-6 高圧下におけるβホウ素の第一原理計算(層状・低次元物質・化合物半導体,領域4)
• 24pSA-14 圧力下におけるβホウ素の第一原理計算(24pSA 化合物半導体,層状・低次元物質,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

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