第一原理計算による半導体材料のダイナミックスとマテリアルデザイン (<計算機ナノマテリアルデザイン〉特集号) -- (第一原理計算の現実物質への応用とマテリアルデザイン)

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概要

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著者

• 白井 光雲

  阪大産研

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• 22pGQ-13 ダイヤモント中の単一NV中心の電子状態について(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 前田康二,竹内伸, 結晶欠陥の物理, 裳華房, 東京, 2011, ix+216p, 22×16cm, 本体3,500円, [大学院・学部向], ISBN978-4-7853-2917-4
• 24aCJ-7 第一原理計算によるα正方晶ホウ素の構造安定性の研究(24aCJ 籠状物質,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aCD-9 シリコン結晶中の銅不純物の安定配置II(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 18pEC-11 第一原理計算によるボロンカーバイドの構造安定性の研究(18pEC 籠状物質・ネットワーク物質,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aXF-2 第一原理計算によるα正方晶ホウ素の構造安定性の研究II(27aXF 籠状物質・ネットワーク物質,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aXF-1 ボロンカーバイトの構造安定性について(27aXF 籠状物質・ネットワーク物質,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pXZB-12 第一原理計算に基づくシリコン結晶中の銅不純物の安定配置II(28pXZB 格子欠陥・ナノ構造(点欠陥・照射損傷・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 8pSP-8 放射光内殻励起による新物質創成の第一原理マテリアルデザイン(主題:電子励起による表面ナノテクノロジーの展開,領域9シンポジウム,領域9)
• 22aSH-5 ^Cuのβ-NMR測定(高スピン・核融合・宇宙物理・軽イオン,実験核物理領域)
• 27pDF-12 第一原理計算によるα正方晶ホウ素の構造安定性の研究 III(籠状物質・ネットワーク物質,領域7(分子性個体・有機導体))
• 25pPSA-6 シリコン結晶中の点欠陥銅不純物の第一原理計算(領域10ポスターセッション(格子欠陥・ナノ構造・誘電体・中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 6aSB-6 高圧下におけるβホウ素の第一原理計算(層状・低次元物質・化合物半導体,領域4)
• 24pSA-14 圧力下におけるβホウ素の第一原理計算(24pSA 化合物半導体,層状・低次元物質,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

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