22pTL-5 a-Si : H の薄膜成長に関する第一原理計算 III

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2003-08-15

著者

• 織田 望

  産総研

• 豊島 安健

  産総研

• 織田 望

  産総研計算科学

関連論文

• 20pHT-12 Nbドープ二酸化チタンの酸素欠損と格子間酸素のGGA+U計算(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26aWZ-10 Nbドープ二酸化チタンのスピン分極を考慮したGGA+U計算(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 21aXJ-6 Cu(001)上のLiのc(5√2×√2)R45°構造の第一原理計算(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 19aYN-10 リンドープダイヤモンドの局所対称性の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27aXT-9 ボロン水素複合欠陥によるn型ダイヤモンドの可能性についての第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 24aY-4 ダイヤモンド中の酸素-水素複合欠陥
• 計算機で作ったアモルファスシリコン
• 26pYL-13 第一原理tight-binding法によるダイヤモンド巾の硫黄の電子状態
• 26pYL-11 ダイヤモンド中の硫黄-水素複合欠陥
• 31a-ZA-14 半導体ダイヤモンド中の水素II:アクセプター : ドナーとの共演
• 半導体における第一原理計算からの物質設計
• 25p-T-12 半導体ダイヤモンド中の水素 : アクセプター/ドナーとの共演
• 25p-T-11 ダイヤモンド中の窒素・原子空孔対による窒素不純物の新しい拡散機構
• 7p-E-6 第一原理計算による価電子制御と物質設計 : CuInS_2, GaN, ZnSeからダイヤモンドまで
• 8a-S-6 同時ドーピングによる低抵抗n型ダイヤモンド半導体の実現方法の提案
• 5p-L-5 電子励起によるアモルファス半導体の低温結晶化促進反応機構(理論)
• 3a-M-7 ダイヤモンド中の不純物の第一原理計算
• 29p-YL-5 第一原理分子動力学法によるアモルファス半導体欠陥の電子励起原子移動
• 3a-J-9 第一原理分子動力学法によるアモルファスシリコンの光誘起結晶化機構
• Prediction of Intrinsic Defects in Hydrogenated Amorphous Silicon by ab initio Molecular Dynamics
• 30p-L-2 第一原理分子動力学法による非晶質シリコンの電子励起結晶化機構 (1)
• 30p-L-1 第一原理分子動力学法によるa-Si:Hの欠陥と電子励起状態計算
• 3p-W-3 物質設計システムの試作
• 22pTL-5 a-Si : H の薄膜成長に関する第一原理計算 III
• 26pYK-4 アナターゼ型Nbドープ二酸化チタンの第一原理計算II(シミュレーション,転位,点欠陥・照射損傷),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 28aRF-5 アナターゼ型Nbドープ二酸化チタンの第一原理計算(28aRF 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク