8aSB-4 第一原理計算によるIV族半導体中の遷移金属不純物の研究(磁性半導体,領域4)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2002-08-13

著者

• 吉田 博

  阪大・産研

• 荒木 和也

  阪大・産研

関連論文

• 27aYM-6 シリコン中の水素の振動問題(領域10, 領域4合同格子欠陥・ナノ(半導体),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 15aTB-10 第一原理計算によるシリコン中の水素の振動問題(電子系 : 第一原理計算, 領域 11)
• 24pYF-7 Si結晶中の単原子空孔の弾性定数への影響(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24pYF-8 シリコン中のCu複合体のフォトルミネッセンス : 解釈(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 23aZB-1 高圧でのボロンの分子動力学シミュレーション(23aZB クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pTD-11 結晶シリコンにおける単原子空孔の弾性定数への影響(格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 22aYC-12 高圧下におけるホウ素結晶の振る舞い(格子欠落・アモルファス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 31a-PS-25 固体表面に吸着したDNA関連分子のSTM像の電子状態計算による解釈
• 27pH-6 遷移金属元素ドープSr(Ti_M_x)O_3薄膜の作製と電気輸送特性
• 17pYJ-2 BNの弾性的性質と圧力相転移
• 30aTB-1 BN構造の弾性的性質と圧力相転移
• 6aSB-5 第一原理分子動力学法によるBNの構造相転移(層状・低次元物質・化合物半導体,領域4)
• 8aSB-5 希土類原子ドープによる希薄磁性半導体のマテリアルデザイン(磁性半導体,領域4)
• 8aSB-4 第一原理計算によるIV族半導体中の遷移金属不純物の研究(磁性半導体,領域4)
• 8aSB-1 第一原理計算による強磁性半導体(Ga,Cr)Nのキャリア濃度依存性(磁性半導体,領域4)
• 26pPSB-5 BNのズレに対する安定性と相転移(26pPSB,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク