森川 良忠 | 阪大産研

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概要

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関連著者

• 森川 良忠

  阪大産研

• 森川 良忠

  阪大院工

• 森川 良忠

  大阪大学大学院工学研究科

• 森州 良忠

  阪大産研

• 寺倉 清之

  産総研:北陸先端大

• 濱田 幾太郎

  東北大WPI-AIMR

• 寺倉 清之

  東大物性研

• 濱田 幾太郎

  阪大産研

• 森川 良忠

  東大物性研

• 柳澤 将

  阪大産研

• 柳澤 将

  阪大院工

• 寺倉 清之

  北陸先端大

• 小林 一昭

  無機材研(jrcat)

• 森川 良忠

  産業技術総合研究所計算科学研究部門 ナノ機能合成技術プロジェクト研究体

• 奥山 弘

  京大院理

• 小林 一昭

  無機材研

• 浜田 幾太郎

  東北大

• 有賀 哲也

  京大院理:jst-crest

• 八田 振一郎

  京大院理:jst-crest

• 浜田 幾太郎

  科技団:阪大基礎工

• 八田 振一郎

  京大院理

• 有賀 哲也

  京大院理

• 熊谷 崇

  京大院理

• 岡崎 一行

  阪大工

• 有賀 哲也

  京都大学大学院理学研究科

• 森川 良忠

  阪大工

• 森川 良忠

  JRCAT

• 山崎 隆浩

  株式会社富士通研究所

• 池田 稔

  富士通研究所

• 池田 稔

  富士通研究所:富士通

• 寺倉 清之

  Jrcat

• 橋本 保

  産総研

• 山崎 隆浩

  富士通研究所

• 池田 稔

  富士通厚木研究所

• 海津 政久

  京都大学大学院理学研究科化学専攻

• 海津 政久

  京大院理

• 山崎 隆浩

  富士通厚木研究所

• 岡崎 一行

  産業技術総合研究所

• 池田 稔

  富士通厚木研

• 青木 優

  東大院総合文化

• 増田 茂

  東大院総合文化

• 吉田 博

  阪大基礎工

• 寺倉 清之

  産総研

• 香山 正憲

  産総研ユビキタスエネルギー

• 青木 優

  東大院総合

• 増田 茂

  東大教養

• 香山 正憲

  産総研ユビキタス

• 藤川 安仁

  東北大金研

• 桜井 利夫

  東北大wpi

• 櫻井 利夫

  東北大学金属材料研究所

• Lagally M.

  Univ. of Wisconsin-Madison

• 岩田 圭司

  Jrcat-atpa

• 奥山 弘

  京都大学大学院理学研究科

• 浜田 幾太郎

  阪大産研

• 橋本 保

  産総研計算科学

• 寺倉 清之

  Jrcat 産業技術融合領域研究所

• 豊田 健治

  阪大産研

• 中野 洋輔

  阪大産研

• 名兒耶 彰洋

  阪大産研

• Blugel S.

  ユーリッヒ固体研

• 櫻井 利夫

  東北大学際センター

• Katayama-yoshida Hiroshi

  Department Of Physics Tohoku University

• 吉田 博

  阪大産研:科技団

• S Bluegel

  ユーリッヒ固体研

• 豊田 健治

  阪大産研:パナソニック(株)

• 増田 茂

  東大院総合

• 藤谷 忠博

  産業技術総合研究所環境化学技術研究部門

• 長谷川 幸雄

  東大物性研

• 魚住 昭文

  阪大産研

• 柳瀬 章

  阪大産研

• 小野 雅紀

  東大物性研

• 江口 豊明

  東大物性研

• 田中 真悟

  産総研ユビキタスエネルギー

• 杉野 修

  東大物性研

• 中村 潤児

  筑波大学物質工学系

• 柳瀬 章

  阪大・産研

• 森川 良忠

  産総研

• 池庄司 民夫

  産総研計算科学

• 中村 潤児

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 安 東秀

  東大物性研:jst

• 長谷川 幸雄

  東京大学物性研究所

• 江口 豊明

  東京大学物性研究所

• 秋山 琴音

  東京大学物性研究所

• 小野 雅紀

  理化学研究所

• 藤川 安仁

  東北大学金属材料研究所

• 中山 正敏

  九大教養

• 中山 正敏

  九州大学:日本物理学会

• 大谷 実

  東大物性研:産総研計算科学

• 森川 良忠

  京大理

• 中村 潤児

  筑波大学大学院数理物質科学研究科物性分子工学専攻

• 小林 一昭

  東大物性研

• 寺倉 清之

  東京大学物性研究所

• 森川 良忠

  東京大学物性研究所

• 藤谷 忠博

  資環研

• Lee Kyuho

  Rutgers Univ.

• 池庄司 民夫

  (独)産業技術総合研究所計算科学研究部門

• 中村 潤児

  筑波大学 大学院数理物質科学研究科

• 井上 耕一郎

  九大教養

• 岡本 穏治

  NEC基礎研

• 大谷 実

  東大物性研

• 竹内 康祐

  阪大産研

• 竹内 康祐

  阪大産研:jst-crest

• 田中 真悟

  産総研ユビキタス

• 関 一彦

  名大院理

• 佐々木 恵太

  東大院総合文化

• 十河 真生

  東大院総合文化

• 坂本 雄一

  東大院総合文化

• 鎌田 豊弘

  東大院総合

• 小井出 祐一

  東大院総合

• 田中 真悟

  産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門

• 香山 正憲

  産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門

• 草部 浩一

  阪大基礎工

• 大門 寛

  奈良先端大物質

• 大門 寛

  奈良先端科学技術大学院大学

• 市林 拓

  阪大産研

• 金崎 順一

  阪大産研

• 谷村 克己

  阪大産研

• 浜田 典昭

  東理大理工

• 紺谷 浩

  東大物性研

• 櫻井 利夫

  東北大金研

• 大門 寛

  奈良先端大

• 石井 久夫

  千葉大学先進科学研究教育センター

• 石井 久夫

  東北大・通研

• 谷村 克己

  大阪大学産業科学研究所

• 森川 良忠

  大阪大学産業科学研究所

• 関 一彦

  名大物質国際研

• 服部 賢

  奈良先端大物質創成

• 福山 秀俊

  東京大学物性研究所:アウグスブルグ大:jrcat

• 石井 久夫

  東北大通研

• 香山 正憲

  産総研関西

• 安 東秀

  東大物性研

• 市川 聡

  大阪大学ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構

• 市川 聡

  産業技術総合研究所

• 市川 聡

  産総研関西セ

• 市川 聡

  東京大学大学院新領域創成科学研究科

• 浜田 典昭

  物性研

• 浜田 典昭

  東大物性研

• 木野 日織

  物材機構

• 秋山 琴音

  東大物性研

• 安 東秀

  東京大学物性研究所

• 小野 雅紀

  東京大学物性研究所

• 橋本 保

  産業技術総合研究所計算科学部門

• 寺倉 清之

  北海道大学創成科学研究機構

• LAGALLY Max

  University of Wisconsin-Madison

• 細谷 直樹

  阪大基礎工

• 花岡 大輔

  阪大基礎工

• 服部 賢

  奈良先端大物質

• 大谷 実

  産総研

• 上野 哲

  東京工業大学

• 八田 振一郎

  JST-CREST

• 有賀 哲也

  JST-CREST

• 稲葉 雄一

  奈良先端大物質創成

• 安居 麻美

  奈良先端大物質創成

• 澤田 英明

  JRCAT

• 寺倉 清之

  産業技術融合領域研究所

• 櫻井 俊夫

  東北大

• Lagally M.

  University of Wisconsin-Madison

• 森川 良忠

  産業技術融合領域研究所

• BOERO Mauro

  アトムテクノロジー研究体

• 木野 日織

  東京大学物性研究所

• 紺谷 浩

  東京大学物性研究所

• 宇田 毅

  東京大学物性研究所

• 上野 哲

  東大物性研

• 杉野 修

  東京大学物性研究所

• 廣田 幾太郎

  東北大WPI-AIMR

• Lee Kyuho

  Rensselaer Polytechnic Institute

• 服部 賢

  奈良先端大

• 實宝 秀幸

  阪大産研

• 岡崎 一行

  CRESR JST

• 岡崎 一行

  産経研ユビキタス

• 田中 真悟

  産経研ユビキタス

• 香山 正憲

  産経研ユビキタス

• 岡崎 一行

  産総研関西セ

• 田中 真悟

  産総研関西セ

• 實宝 秀幸

  富士通研

• 宇田 毅

  アドバンスソフト

• 上羽 弘

  富山大学工学部電子情報工学科

• 澤田 英明

  新日鉄先端技術

• 上羽 弘

  富山大工

• 谷村 克巳

  阪大産研

• Frederiksen Thomas

  富山大

• 上羽 弘

  富山大

• Knab D

  東大物性研

• 坂本 好史

  東大物性研

• Lee Kyuho

  阪大産研

• Frederiksen Thomas

  富山大:dipc

• 稲葉 雄一

  奈良先端大・物質創成

• 関 一彦

  名古屋大学物質科学国際研究センター

• 紺谷 浩

  東京大学物性研究所:アウグスブルグ大:jrcat

• 杉野 修

  東大 物性研

• 平松 雅規

  阪大産研

• 安居 麻美

  奈良先端大・物質創成

• 吉田 博

  阪大院基礎工

• 平松 雅規

  阪大産研:crest-jst

• 市川 聡

  大阪大学ナノサイエンスデザイン教育研究センター

• 香山 正憲

  産総研ユビキタス:JST-CREST

• 宇田 毅

  (株)ASMS

• 浜田 典昭

  JRCAT-ATP

• 上羽 弘

  富山大学工学部

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著作論文

• 21pPSA-15 Cu(110)表面における水少数クラスターの実空間観測(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pYG-1 C_-Pt(111)系の局所電子状態 : 金属波動関数の漸近特性(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pTE-3 分子-金属界面における局所電子状態 : C_6H_5SH,C_6H_5SeH/Pt(111)(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSA-84 Pt(111)-アルカンチオール系における吸着誘起準位(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29pTE-7 第一原理熱力学計算によるインテリジェント触媒の表面構造の解明(29pTE 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• Ge/Si(105)表面の原子間力顕微鏡観察
• 28pWP-2 Ge/Si(105)-2×1表面の高分解能AFM観察(表面界面構造(半導体))(領域9)
• 27aYG-2 電子励起原子移動によるダイマーフラーレン合成の第一原理的研究(27aYG フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aYH-1 Pt-グラフェン間の相互作用に対する欠陥や添加物の効果(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aPS-73 Pt_/グラファイトの原子構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aYH-12 金属表面におけるプロトン移動の実空間観測(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27aRD-7 単分子水和反応の制御と可視化(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSB-13 Cu(110)におけるアセチレンの環化反応(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aXB-3 単分子異性化反応のトンネルダイナミクス(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSB-9 第一原理計算によるSi(111) 2x2表面でのN原子及びO原子吸着(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26pXC-6 Ge/Si(105)の第一原理計算(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 31aWD-9 Ge/Si(105)1×2 のリボンデッド S_B ステップ・モデル
• 触媒反応の第一原理シミュレーション:動的過程の解明に向けて
• 24aPS-44 第一原理電子状態計算によるメタノール合成反応の研究(III)
• 24aPS-6 Phase Transitions and Electronic Structures on Si(100)
• 24aW-9 第一原理分子動力学法によるメタノール合成反応の研究(II)
• 31p-S-9 第一原理計算によるZn蒸着Cu表面上でのCO_2とH_2からのメタノール合成反応の研究
• 31p-W-9 電子構造計算によるLaMnO_3のJahn-Teller歪みと磁気秩序
• 29a-WB-10 Ultrasoft pseudopotentialによるO/K/Si(001)表面系の研究
• 29a-YR-3 第一原理計算による水素結合の量子効果の研究
• 第一原理分子動力学法 : カー・パリネロ法 (「第一原理による電子物性」)
• 29p-PSB-8 SI(001)上のAl、Gaの吸着IV
• 27a-Y-9 Si(001)上へのAl、Gaの吸着 III
• 27a-Y-8 Si(001)表面の低被覆率でのアルカリ金属吸着構造と電子状態
• 28pYH-1 Pt/グラフェンへののCO吸着(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27pYH-3 第一原理計算によるペンタセン/貴金属界面に関する理論的研究(有機分子・半導体・その他,領域9,領域7合同,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aYG-1 Si(111)-(7×7)の表面電子構造 : 再訪(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pZK-5 界面電気二重層の起源と理論予測(分光学的手法による有機薄膜研究の最先端,領域9,領域5,領域7合同シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25aYG-2 Alq_3/金属界面における分子-基板間及び分子間相互作用の精密計算(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25aYG-1 金属上への水吸着に対するファン・デル・ワールス力の影響(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29pRD-6 第一原理計算によるベンゼン/貴金属界面の界面双極子に関する理論的研究(29pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pRD-4 Rh(111)表面に水素と共吸着した水の第一原理的研究(29pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aXA-6 第一原理電子状態計算による分子スイッチ機構の研究(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXB-2 第一原理熱力学計算によるインテリジェント触媒の自己再生機構の解明(22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aRB-9 第一原理電子状態理論による宥機分子/金属における界面電気二重層の研究(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21aXJ-1 白金表面における水素の第一原理的研究 : 被覆率、電場および溶媒効果(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23aRJ-6 水ダイマーにおける水素結合交換の観測(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24aPS-136 貴金属/無機ヘテロ界面の電子状態(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15pXE-5 TiO_2(110) 表面上に吸着した貴金属の電子状態(表面界面電子物性, 領域 9)
• 24aPS-108 一次元水素結合系における多重プロトン移動の実空間観測(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28a-ZS-1 Si(001)清浄表面再構成のシミュレーション
• 28a-E-7 Si(100)清浄表面の安定構造
• 21pWH-7 水/白金界面における電気化学反応の第一原理シミュレーション(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23pYH-2 Pt(111)表面上での電極反応の第一原理シミュレーション(23pYH 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27a-Y-7 Electronic and Atomic Structures of the (3×1) Reconstructed Surface of Na/Si(111)
• 28a-ZS-3 Si(100)上へのAl、Gaの吸着II
• 28a-ZS-2 第一原理分子動力学法による、Li/Si(001)表面の研究
• 21pWH-1 第一原理計算によるAl/Alq_3界面の構造と電子状態の解明(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24pYC-4 電極表面上の単一分子電子状態の第一原理計算(24pYC 領域9,領域7合同シンポジウム:単一分子伝導研究の現状と課題,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pYB-5 Alq_3/Al界面の構造と電子状態に関する理論的研究(29pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aYL-14 Alq_3/Al界面の構造と電子状態(導電性高分子, 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 30a-ZD-11 Si(100)上へのAl,Gaの吸着
• 28a-E-9 Na,K/Si(001)系の吸着エネルギー被覆率依存性
• 28a-E-8 Na、K/Si(001)系の低被覆率での吸着位置と電子状態
• 25a-R-9 第一原理分子動力学法によるSi(001)表面アルカリ吸着系の構造最適化IV
• 25a-R-8 第一原理分子動力学法によるSi(001)表面アルカリ吸着系の構造最適化III
• 25pYH-1 金表面上チオール系分子の吸着に関する第一原理シミュレーション(25pYH 表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 領域9,3「反転対称性の破れた表面におけるスピンと軌道」(第63回年次大会シンポジウムの報告)
• 15pXE-7 n-アルカンと金属表面との相互作用(表面界面電子物性, 領域 9)
• 25pYK-4 ルチル型TiO_2(110)面に吸着した水素に関する第一原理計算(25pYK 領域10,領域9合同 格子欠陥・ナノ構造(水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 25aWB-7 有機-金属界面の第一原理量子シミュレーション(表面・界面電子物性(理論・シミュレーション),領域9(表面・界面, 結晶成長))

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