藤川 安仁 | 東北大金研

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概要

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関連著者

• 藤川 安仁

  東北大金研

• 桜井 利夫

  東北大wpi

• 櫻井 利夫

  東北大学金属材料研究所

• 櫻井 利夫

  東北大学際センター

• 櫻井 利夫

  東北大金研

• 藤川 安仁

  東北大学金属材料研究所

• Sadowski J.

  東北大金研

• Al-Mahboob A.

  東北大金研

• サドウスキー J.

  東北大金研

• Sadowski Jerzy

  東北大金研

• アルマフーブ A.

  東北大金研

• 長尾 忠昭

  物材機構

• 柳沼 晋

  物材機構

• 森川 良忠

  阪大産研

• 寺倉 清之

  北陸先端大

• 中嶋 一雄

  東北大金研

• 寺倉 清之

  産総研:北陸先端大

• 橋本 保

  産総研

• Lagally M.

  Univ. of Wisconsin-Madison

• 吉川 元起

  東北大金研

• SADOWSKI J.

  東北大学金属材料研究所

• 吉川 元起

  東北大学金属材料研究所

• 吉川 元起

  東京大学大学院理学系研究科

• 王 治涛

  東北大学金属材料研究所

• 高村 山田

  北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科

• 巾嶋 一雄

  東北大・金研

• 長尾 忠昭

  物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター

• 柳 沼晋

  物材機構ナノマテ研:筑波大院数物

• 池田 進

  東北大 理GCOE

• 斉木 幸一朗

  東大 新領域

• 佐崎 元

  東北大・金研

• 長谷川 幸雄

  東大物性研

• 小野 雅紀

  東大物性研

• 江口 豊明

  東大物性研

• 寺倉 清之

  産総研

• 佐崎 元

  東北大金研

• 須藤 彰三

  東北大院理

• 森川 良忠

  産総研

• 西方 督

  金研

• 須藤 彰三

  東北大学大学院理学研究科物理学専攻

• 安 東秀

  東大物性研:jst

• 長谷川 幸雄

  東京大学物性研究所

• 江口 豊明

  東京大学物性研究所

• 秋山 琴音

  東京大学物性研究所

• 小野 雅紀

  理化学研究所

• 霍間 勇輝

  東大院新領域

• 池田 進

  東大院新領域

• 斉木 幸一朗

  東大院新領域

• 佐崎 元

  北大低温研:jst-さきがけ

• 橋本 保

  産総研計算科学

• 西方 督

  東北大金研

• 寺倉 清之

  Jrcat 産業技術融合領域研究所

• 池田 進

  高エネルギー研

• 佐〓 元

  東北大学・金研

• 西方 督

  徳島大学工学部

• 佐崎 元

  豊橋技術科学大学 エレクトロニクス先端融合研究所

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 斎藤 峯雄

  金沢大自然

• 齊藤 英治

  東北大金研

• 長尾 忠昭

  東北大金研

• Hauge Robert

  Department of Electrical and Computer Engineering, Rice University

• 森川 良忠

  大阪大学産業科学研究所

• 中嶋 一雄

  東北大学金属材料研究所

• 安 東秀

  東大物性研

• 長谷川 修司

  東京大学大学院理学系研究科物理学専攻

• 秋山 琴音

  東大物性研

• 安 東秀

  東京大学物性研究所

• 小野 雅紀

  東京大学物性研究所

• 橋本 保

  産業技術総合研究所計算科学部門

• 寺倉 清之

  北海道大学創成科学研究機構

• LAGALLY Max

  University of Wisconsin-Madison

• 大野 隆央

  物質・材料研究機構

• Al-Mahboob A.

  東北大WPI

• 櫻井 利夫

  東北大WPI

• 齋木 幸一朗

  東大理

• 斉藤 峯雄

  物質・材料研究機構計算材料科学研究センター

• 斎藤 峯雄

  金沢大院自然

• 大野 隆央

  金属材料技術研究所

• 大野 隆央

  物質・材料研究機構計算科学センター

• 櫻井 俊夫

  東北大

• Lagally M.

  University of Wisconsin-Madison

• 長尾 忠昭

  東北大学金属材料研究所

• 柳沼 晋

  東北大学金属材料研究所

• Tromp R.

  Ibm

• SAKURAI Toshio

  Institute for Materials Research (IMR), Tohoku University

• 柳沼 晋

  東北大金研

• Hauge Robert

  Department Of Chemistry And Rice Quantum Institute Rice University

• Sakurai Toshio

  Institute For Materials Research (imr) Tohoku University

• AL-MAHBOOB Abdullah

  東北大金研

• Sadowski J.T.

  東北大金研

• 高村 由起子

  東北大金研

• サドウスキー J.

  東北大学金属材料研究所

• アルマフーブ A.

  東北大学金属材料研究所

• 高村(山田) 由起子

  東北大金研

• 王 治涛

  東北大金研

• Tsong I.S.T.

  アリゾナ州立大

• 高村(山田) 由起子

  東北大学金属材料研究所

• FUJIKAWA Yasunori

  Institute for Materials Research, Tohoku University

• SADOWSKI Jerzy

  Institute for Materials Research, Tohoku University

• KELLY Kevin

  Institute for Materials Research, Tohoku University

• NAKAYAMA Koji

  Institute for Materials Research, Tohoku University

• MICKELSON Edward

  Department of Chemistry and Rice Quantum Institute, Rice University

• MARGRAVE John

  Department of Chemistry and Rice Quantum Institute, Rice University

• Kelly K

  Institute For Materials Research Tohoku University

• Nakayama Koji

  Institute For Materials Research Tohoku University

• Margrave John

  Department Of Chemistry And Rice Quantum Institute Rice University

• 長谷川 修司

  東京大学大学院理学研究科

• Mickelson Edward

  Department Of Chemistry And Rice Quantum Institute Rice University

• Fujikawa Yasunori

  Institute For Materials Research Tohoku University

• 中嶋 一雄

  京都大

• 齊藤 英治

  東北大金

• 内田 健一

  東北大金

• 邸志 勇

  東北大WPI

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著作論文

• Ge/Si(105)表面の原子間力顕微鏡観察
• 28pWP-2 Ge/Si(105)-2×1表面の高分解能AFM観察(表面界面構造(半導体))(領域9)
• 24aYH-3 ニホウ化ジルコニウム薄膜を介在したシリコン上の窒化ガリウム成長(24aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pYH-2 有機薄膜成長における分子の異方性と結晶成長機構(有機分子・半導体・その他,領域9,領域7合同,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 01aD05 H-Si(111)表面上でのペンタセン薄膜結晶の低速電子顕微鏡観察II : ドメイン構造の生成機構(バイオ・有機(1),第36回結晶成長国内会議)
• 01aD04 H-Si(111)表面上で成長するペンタセン薄膜結晶の低速電子顕微鏡観察I : エピタキシャル構造(バイオ・有機(1),第36回結晶成長国内会議)
• 31aWD-9 Ge/Si(105)1×2 のリボンデッド S_B ステップ・モデル
• シリコン表面上の半金属Bi超薄膜の同素変態
• 22aTB-9 ボトムコンタクトFETにおける電極 : ペンタセン界面の接合形態と輸送特性(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aYC-6 ペンタセン超薄膜のモルフォロジー変化のLEEMによるin-situ観測(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pXD-5 高分解能低速電子線回折による半金属Biナノ薄膜の構造相転移観察(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 28pPSB-38 Bi(001) エピタクシャル超薄膜の構造安定性及び表面融解メカニズム
• 半導体表面とペンタセン薄膜間の界面形成過程の微視的構造観察
• 22aXA-8 エネルギー分析型LEEMを用いた銀表面の顕微分光(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 窒化物半導体薄膜の走査プローブ顕微鏡による微視的評価
• エピタキシャルZrB_2薄膜を介在したシリコン基板における単一極性GaN薄膜の成長(最近の研究から)
• 29pYB-1 半導体界面における格子不整合歪みの表面構造への影響と構造緩和(29pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 半導体ナノ構造の構成要素としての表面構造 : 高指数表面の研究を通じて(最近の研究から)
• 半導体ヘテロ構造における表面・界面歪み制御
• Adsorption of Fluorinated C_ on the Si(111)-(7 × 7) Surface Studied by Scanning Tunneling Microscopy and High-Resolution Electron Energy Loss Spectroscopy(Surfaces, Interfaces, and Films)
• 26aXK-6 ビスマス薄膜相の成長制御とその場電気伝導測定(26aXK 表面界面電子物性・トポロジカル,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aKF-8 Spin mixing conductance at a well-controlled platinum/yttrium iron garnet interface

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