エピタキシャルZrB_2薄膜を介在したシリコン基板における単一極性GaN薄膜の成長(最近の研究から)
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概要
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結晶極性を持たない基板であるSi(111)において,極性を制御したGaN薄膜を成長するために,界面構造の検討を行った.その結果,特に界面にZrB_2(0001)薄膜を用いると,GaN薄膜の成長条件にかかわらず単一窒素極性膜か得られることか分かった.GaN-ZrB_2界面を理論的に解析した結果,Nか三配位てZrと結合した界面か最安定となり,GaN薄膜の極性を決定していることか明らかになった.
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2006-07-05
著者
-
藤川 安仁
東北大金研
-
桜井 利夫
東北大wpi
-
藤川 安仁
東北大学金属材料研究所
-
櫻井 利夫
東北大学金属材料研究所
-
王 治涛
東北大学金属材料研究所
-
櫻井 利夫
東北大学際センター
-
高村 山田
北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科
-
高村(山田) 由起子
東北大学金属材料研究所
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