半導体表面とペンタセン薄膜間の界面形成過程の微視的構造観察
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概要
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Interface formation process of pentacene thin films on semiconductor surfaces has been studied using low energy electron microscopy (LEEM) and scanning tunneling microscopy. Interface interaction between clean Si surface and pentacene film is optimized by inserting bismuth thin film at the interface, resulting in the formation of monolayer islands larger than 0.2 mm in diameter. Systematic surface reactivity control on Si substrate reveals that the surface states nearby the Fermi level are the origin of the interface interaction between pentacene molecules and semiconductor surfaces. Effect of kinetic growth process on the pentacene film growth is also examined by detailed LEEM observations. The anisotropic growth speed originating from the anisotropic structure of pentacene accompanied with the kinetic growth condition could result in the formation of textured structure inside the single grain grown from a single nucleus.
- 日本真空協会の論文
- 2007-12-20
著者
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中嶋 一雄
東北大金研
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中嶋 一雄
東北大学金属材料研究所
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藤川 安仁
東北大金研
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桜井 利夫
東北大wpi
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藤川 安仁
東北大学金属材料研究所
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櫻井 利夫
東北大学金属材料研究所
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吉川 元起
東北大金研
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Al-Mahboob A.
東北大金研
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サドウスキー J.
東北大金研
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吉川 元起
東北大学金属材料研究所
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吉川 元起
東京大学大学院理学系研究科
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Sadowski Jerzy
東北大金研
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アルマフーブ A.
東北大金研
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櫻井 利夫
東北大学際センター
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サドウスキー J.
東北大学金属材料研究所
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アルマフーブ A.
東北大学金属材料研究所
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巾嶋 一雄
東北大・金研
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中嶋 一雄
京都大
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