InGaAs三元バルク結晶成長技術の開発(<小特集>基板結晶)
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概要
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我々は,ゾーン法によりInGaAs三元バルク結晶成長技術の開発を進めており,この方法により,組成均一で単結晶のInGaAs結晶が得られることを達成している.本稿では,ゾーン法に用いるInGaAs種結晶の成長技術やInGaAsソース原料の作製方法,およびInGaAsゾーン成長法,さらに新しいゾーン成長法として,優先方位のGaAsを種結晶に用いるゾーン成長法について報告する.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2005-03-31
著者
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