SiGeバルク単結晶と多結晶の成長技術およびそれらのデバイス応用 : 均一組成のバルク単結晶とミクロ分散的組成分布を有する太陽電池用バルク多結晶(<小特集>IV族系半導体結晶・混晶の新たなる展開)
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概要
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全率固溶型状態図を有するSiGeは,その物理的性質が,組成分布により広範に制御可能であり,ポストSiの電子デバイス用材料や,太陽電池材料として期待が大きい.本稿では,我々が研究に取り組んでいる,均一組成を有するSiGeバルク単結晶,および「ミクロ分散的組成分布を有するSiGe多結晶」について,その成長技術と新しい応用について解説する.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-04-30
著者
-
佐崎 元
東北大・金研
-
宍戸 統悦
東北大学金属材料研究所
-
宍戸 統悦
東北大金研
-
中嶋 一雄
東北大学金属材料研究所
-
宇佐美 徳隆
東北大学金属材料研究所
-
宇治原 徹
名古屋大学工学部
-
宇治原 徹
東北大金研
-
佐崎 元
東北大学金属材料研究所
-
藤原 航三
東北大学金属材料研究所
-
藩 伍根
東北大学金属材料研究所
-
宇治原 徹
東北大学金属材料研究所
-
宇治 原徹
名大院・工
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