21pXL-5 高品位H:Si(111)1×1表面作成法と表面フォノン(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2007-08-21

著者

• 佐崎 元

  東北大・金研

• 山田 太郎

  理研

• 中嶋 一雄

  東北大金研

• 粕谷 厚生

  東北大学際セ

• 須藤 彰三

  東北大院理

• 須藤 彰三

  東北大学大学院理学研究科

• 加藤 大樹

  東北大院理

• 田岡 琢巳

  東北大院理

• 西方 督

  金研

• 佐崎 元

  金研

• 山田 太郎

  学際セ

• Czajka R.

  学際セ

• Wawro A.

  学際セ

• 中嶋 一雄

  金研

• 粕谷 厚生

  学際セ

• Szuba S.

  Poznun Univ. of Tech. (Poland)

• 須藤 彰三

  東北大学大学院理学研究科物理学専攻

• 佐崎 元

  北大低温研:jst-さきがけ

• 粕谷 厚生

  東北大学国際高等融合領域研究機構

• 巾嶋 一雄

  東北大・金研

• 佐〓 元

  東北大学・金研

• 西方 督

  徳島大学工学部

• 佐崎 元

  豊橋技術科学大学 エレクトロニクス先端融合研究所

• 中嶋 一雄

  京都大

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