21pXL-5 高品位H:Si(111)1×1表面作成法と表面フォノン(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2007-08-21
著者
-
佐崎 元
東北大・金研
-
山田 太郎
理研
-
中嶋 一雄
東北大金研
-
粕谷 厚生
東北大学際セ
-
須藤 彰三
東北大院理
-
須藤 彰三
東北大学大学院理学研究科
-
加藤 大樹
東北大院理
-
田岡 琢巳
東北大院理
-
西方 督
金研
-
佐崎 元
金研
-
山田 太郎
学際セ
-
Czajka R.
学際セ
-
Wawro A.
学際セ
-
中嶋 一雄
金研
-
粕谷 厚生
学際セ
-
Szuba S.
Poznun Univ. of Tech. (Poland)
-
須藤 彰三
東北大学大学院理学研究科物理学専攻
-
佐崎 元
北大低温研:jst-さきがけ
-
粕谷 厚生
東北大学国際高等融合領域研究機構
-
巾嶋 一雄
東北大・金研
-
佐〓 元
東北大学・金研
-
西方 督
徳島大学工学部
-
佐崎 元
豊橋技術科学大学 エレクトロニクス先端融合研究所
-
中嶋 一雄
京都大
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