30aWP-11 Agナノ粒子の表面プラズモンのエネルギーと分散(ナノ構造量子物性)(領域9)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2004-03-03

著者

• 山田 太郎

  理研

• 須藤 彰三

  東北大院理

• 加藤 大樹

  東北大院理

• Czajka R.

  学際セ

• Wawro A.

  学際セ

• 粕谷 厚生

  学際セ

• 永島 幸延

  東北大院理

• Czajka R.

  Poznan Univ. of Tech. (Poland)

• Wawro A.

  Institute of Physics, Polish Academy of Sciences (Warsaw, Poland)

• 須藤 彰三

  東北大学大学院理学研究科物理学専攻

関連論文

• 20pGQ-11 高周波測定対応STMと表面電子スピン検出(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aRK-10 STMによる流動モデル細胞膜のナノスケール観測(生物物理,領域12,ソフトマター物理,化学物理,生物物理)
• 27aRD-11 水素及び重水素終端Si(111)-(1×1)の表面フォノン(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aWD-6 レーザーアブレーションによるSiI_4の重合反応の理論的解析(24aWD 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 21aQF-13 Sr_3Ru_2O_7に対する不純物効果の観察(21aQF 秩序型酸化物・Ru酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 26aYG-11 高周波測定対応STMの開発と表面電子スピンの検出について(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 全学理科系学生を対象とした"自然科学総合実験"
• 19pPSB-16 C_/Siヘテロ接合の界面空準位と結合配置
• 28aXE-9 シクロヘキサシランとシリコン表面の相互作用
• 22aWA-8 Si表面に吸着したC_の電子状態 : K共吸着量依存性II
• 24aPS-55 Si(111)7×7表面におけるシクロヘキサシランの振動状態と吸着構造
• 24aPS-20 Si(111)-(7×7)表面上の準安定分子状酸素の吸着過程II
• 24aPS-17 Si(111)7×7表面上に吸着したC_の空分子軌道の研究
• 22aW-6 NEXAFSによるC_吸着Si(001)-(2×1)表面の電子状態の研究
• 26aPS-57 Si(111)7x7表面に吸着したC_の吸着状態
• 25pW-14 In/Si(111)表面の振動状態
• 25pW-12 Si(111)-(7x7)表面上の準安定分子状酸素の吸着過程
• 25pW-11 Si表面に吸着したC_の電子状態 : K共吸着量依存性
• 28a-Q-10 Si(001)-(2×1)表面に吸着したC_の電子状態:温度依存性
• 25aYH-8 H:Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aXB-6 H:Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程の研究II(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aTD-6 H:Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程の研究(表面界面ダイナミクス,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pXL-5 高品位H:Si(111)1×1表面作成法と表面フォノン(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aWH-6 D:Si(111)1×1の表面フォノン(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pPSB-37 水素終端Si表面の改質とHREELS測定(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pZL-15 STM/STSによるSr_3(Ru,Mn)_2O_7の局所電子状態観察(24pZL Ru系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 27aTC-7 STM/STSによる高純度Sr_3Ru_2O_7の電子状態観察(27aTC Ru系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 27pXJ-4 Al表面初期酸化の高分解能電子エネルギー損失分光測定(27pXJ 表面ダイナミックス(金属表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pXA-5 D:Si(111)-(1×1)表面のフォノン(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aWB-9 D:Si(111)-(1×1)表面のフォノン(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 14pXF-4 Ag ナノクラスターの表面プラズモンのエネルギーと分散(表面界面ダイナミクス, 領域 9)
• 13pXF-7 VT-STM による H/Si(111)1×1 表面上の Ag クラスターの成長過程 II(微粒子・クラスタ, 領域 9)
• 30aWP-11 Agナノ粒子の表面プラズモンのエネルギーと分散(ナノ構造量子物性)(領域9)
• 27aWR-1 VT-STMによるH/Si(111)1×1表面上のAgクラスターの成長過程(微粒子・クラスタ)(領域9)
• 20aPS-58 H/Si(111)1×1 表面上の Al ナノクラスターの成長過程
• 28aZA-11 東北大学における融合型理科実験の導入 : 特色GPの計画と文科系開講(28aZA 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
• 19pXC-5 東北大学における融合型理科実験の導入1年半を経過して(物理教育(教育方法・実践・開発),領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
• 28a-ZG-5 オリゴシランの電子状態と光励起ダイナミクス
• 01aD06 ビシナルステップを用いたペンタセン薄膜結晶の成長方向の制御(バイオ・有機(1),第36回結晶成長国内会議)
• 01aD05 H-Si(111)表面上でのペンタセン薄膜結晶の低速電子顕微鏡観察II : ドメイン構造の生成機構(バイオ・有機(1),第36回結晶成長国内会議)
• 01aD04 H-Si(111)表面上で成長するペンタセン薄膜結晶の低速電子顕微鏡観察I : エピタキシャル構造(バイオ・有機(1),第36回結晶成長国内会議)
• 5p-H-12 C_を用いたSiC薄膜の成長機構
• 5p-H-11 Si(111)7×7表面に吸着したC_とSiダングリングボンドの相互作用
• 22pPSB-31 第一原理による(CdSe)_クラスターの光吸収スペクトル計算(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aYE-12 東北大学の自然科学総合実験 : 実施5年を経過して(28aYE 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
• 21aRA-6 東北大学理学部物理学科の実験教育 : 導入から専門課程まで(21aRA 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
• 24aRC-9 理科実験の文科系学部への開講III : 評価と展望(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
• 25pTE-15 Si(111)7×7表面上のAg原子の吸着及び協力的拡散によるクラスター形成過程(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 理科実験の文科系学部開講(実験室)
• 22pYJ-10 Si(111)7×7表面で原子数に依存して成長する(Ag)_nのSTM解析(領域9,領域7合同シンポジウム主題:精密に原子配列させた1nm構造体が示す特徴的な物性と展望,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23pTV-14 理科実験の文科系学部への開講II : 東北大学の試み(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
• 20pXJ-7 自然法則の普遍性と文化の多様性 : Evidence Based Decisionの基礎としての理科実験(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
• 20pXJ-15 理科実験の文化系学部への開講 : 東北大学の試み(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
• 19aWH-9 炭酸ガスレーザ照射によるSi(100)表面の酸化膜成長過程II(表面局所光学現象,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 19aTG-7 Si(111)7×7表面上のAg原子の吸着及びクラスター形成過程(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25aYH-9 Si(111)7×7表面上のAg原子の拡散及びクラスター形成過程(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pPSB-50 H/Si(111) 1×1 表面上の Ag ナノクラスターの成長過程
• 23aWS-8 Si(111)7×7表面ポテンシャルに束縛された(Ag)_n多原子状態の構造(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27a-PS-24 Si表面に吸着したC_の振動状態:吸着量及び温度依存性
• 29a-PS-13 Si表面に吸着したC_からのSiC薄膜の形成
• 18aTG-1 水素終端n型及びp型ケイ素(111)表面の化学反応性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 30aYQ-11 磁性金属微粒子のトンネル発光円偏光度空間分布
• 24aPS-8 磁性薄膜(Co,Ni)のトンネル発光における円扁光度依存測定
• 28a-YR-6 C_吸着Si(001)-(2×1)表面の光電子分光
• 28a-YR-5 C_吸着Si(111)-(7×7)表面の電子状態 : 温度依存性
• 2a-YE-10 C_吸着Si表面の電子状態
• 24pWS-3 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の開発と表面フォノン(24pWS 表面ダイナミクス・水素,ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSB-30 構成原子数まで揃った1nm-CdSeナノ粒子の成長に伴う発光強度の顕著な増大(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29pTE-6 NMRを用いた1nm台(CdSe)_nナノ粒子の異なるnに対する構造解析(29pTE 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXB-6 単一表面サイトからなる中空な(CdSe)_nナノ粒子(22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pXK-3 (CdSe)nナノ粒子の構造と光物性(微粒子・クラスタ,水素ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20pTG-7 水溶液中で作製した(CdSe)_nの光吸収(水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20pTG-8 NMRによる(CdSe)_粒子の解析(水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 28p-YE-1 CuClナノ結晶における励起子, 励起子分子発光の時間応答
• New Reconstructions of Platinum Silicide Surface (Special Issue: Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques)
• 31p-ZG-7 ZnOエピタキシャル薄膜のポンプ・プローブ分光II
• 27p-YP-14 ZnOエピタキシャル薄膜のポンプ・プローブ分光
• 23aYC-1 炭酸ガスレーザ照射によるSi(100)表面の酸化膜成長過程(23aYC 表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aYB-11 Si(111)表面におけるPtシリサイドの形成と表面構造(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 東北大学における融合型理科実験の導入
• 28pWQ-6 東北大学における融合型理科実験の導入(物理教育(教育調査・教育開発))(領域13)
• 17pYJ-1 γ型Ga_2Se_3の構造と光学的性質
• 文科系のための自然科学総合実験(物理教育は今)
• 28pTJ-1 BaTiO_3の構造と欠陥評価(28pTJ 格子欠陥・ナノ構造(金属・転位・点欠陥,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27p-YL-7 カーボン60とシリコン表面の相互作用 : 吸着、膜成長、SiC膜形成
• 22pGQ-6 チタン酸バリウムの構造観察(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21pHA-6 温度可変型STMによるSi(111)7×7表面ポテンシャルに束縛された(Ag)_n多原子状態の構造と電子状態(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aGQ-4 HF-CVD反応を用いて作製したナノアルミナ微粒子のTEM評価(23aGQ 格子欠陥・ナノ構造(炭素ナノ材料・ダイナミクス),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22pHA-9 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の開発と表面フォノンII(22pHA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSB-28 水素終端Si(110)-(1×1)表面のSTM観察(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pBB-7 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の表面フォノン(26pBB 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 19aFE-2 Si(111)7×7表面上におけるAg原子のウェッティングレイヤー初期形成過程(19aFE 表面界面構造・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 18pFN-3 水素終端Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程(18pFN 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pXK-7 水素終端Si(111)-(1×1)面上におけるAgナノクラスターの表面プラズモンのエネルギー分散(29pXK 表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pJB-4 水素終端Si(111)-(1×1)面上におけるAgナノクラスターの電子励起状態(表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pJA-2 水素終端Si(110)-(1×1)表面の初期酸化過程(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 6pPSB-28 C70/Siヘテロ接合の界面の電子状態(表面界面結晶成長,領域9)
• 25pPSB-59 Si(111)7×7表面上のFeクラスターの形成過程(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 24aYF-3 Si(111)7×7表面上のAg超薄膜形成過程とプラズモンの研究(24aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 30pAP-2 水素終端Si(110)-(1×1)面の作成法の改良と表面状態(30pAP 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面・結晶成長))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク