22pHA-9 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の開発と表面フォノンII(22pHA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
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概要
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- 2011-08-24
著者
-
山田 太郎
理研
-
粕谷 厚生
東北大学際セ
-
須藤 彰三
東北大院理
-
須藤 彰三
東北大学大学院理学研究科
-
加藤 大樹
東北大院理
-
中矢 博樹
東北大院理
-
田岡 琢己
東北大院理
-
田岡 琢巳
東北大院理
-
粕谷 厚生
学際セ
-
Szuba S.
Poznun Univ. of Tech. (Poland)
-
粕谷 厚生
東北大学国際高等融合領域研究機構
-
粕谷 厚生
東北大学際
-
松井 一記
東北大院理
-
松下 ステファン悠
東北大院理
-
高田 弘樹
東北大院理
-
加藤 大樹
東理大理
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