松井 一記 | 東北大院理

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概要

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関連著者

• 山田 太郎

  理研

• 粕谷 厚生

  東北大学際セ

• 須藤 彰三

  東北大院理

• 田岡 琢巳

  東北大院理

• 粕谷 厚生

  東北大学際

• 松井 一記

  東北大院理

• 松下 ステファン悠

  東北大院理

• 須藤 彰三

  東北大学大学院理学研究科

• 加藤 大樹

  東北大院理

• 中矢 博樹

  東北大院理

• 田岡 琢己

  東北大院理

• 粕谷 厚生

  学際セ

• Szuba S.

  Poznun Univ. of Tech. (Poland)

• 粕谷 厚生

  東北大学国際高等融合領域研究機構

• 高田 弘樹

  東北大院理

• 加藤 大樹

  東理大理

• 粕谷 厚生

  東北大学工学部学際科学国際高等研究センター

• 須藤 彰三

  東北大学大学院理学研究科物理学専攻

• 加藤 大樹

  東理大

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著作論文

• 24pWS-3 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の開発と表面フォノン(24pWS 表面ダイナミクス・水素,ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pHA-9 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の開発と表面フォノンII(22pHA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pBB-7 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の表面フォノン(26pBB 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))

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