26pPSB-28 水素終端Si(110)-(1×1)表面のSTM観察(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 2012-03-05

著者

• 山田 太郎

  理研

• 須藤 彰三

  東北大院理

• 芳賀 健也

  東北大院理

• 松下 ステファン悠

  東北大院理

• 新村 紘和

  東北大院理

• 鈴木 貴幸

  東北大院理

• 姜 正敏

  東北大院理

• 梅津 新

  東北大院理

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