芳賀 健也 | 東北大院理
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概要
関連著者
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須藤 彰三
東北大院理
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芳賀 健也
東北大院理
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堀井 広幸
東北大院理
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山田 太郎
理研
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粕谷 厚生
東北大学際セ
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須藤 彰三
東北大学大学院理学研究科
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粕谷 厚生
学際セ
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Szuba S.
Poznun Univ. of Tech. (Poland)
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粕谷 厚生
東北大学国際高等融合領域研究機構
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東北大院理
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Osiecki Jacek
Linkoping大
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鈴木 貴幸
東北大院理
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Czajka R.
東北大学際セ
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粕谷 厚生
東北大学工学部学際科学国際高等研究センター
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須藤 彰三
東北大学大学院理学研究科物理学専攻
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Osiecki J.
東北大院理
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松下 ステファン悠
東北大院理
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川本 絵里奈
東北大院理
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松下 ステファン
東北大院理
著作論文
- 23aWS-8 Si(111)7×7表面ポテンシャルに束縛された(Ag)_n多原子状態の構造(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pHA-6 温度可変型STMによるSi(111)7×7表面ポテンシャルに束縛された(Ag)_n多原子状態の構造と電子状態(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-28 水素終端Si(110)-(1×1)表面のSTM観察(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 19aFE-2 Si(111)7×7表面上におけるAg原子のウェッティングレイヤー初期形成過程(19aFE 表面界面構造・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30pAP-2 水素終端Si(110)-(1×1)面の作成法の改良と表面状態(30pAP 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面・結晶成長))