Osiecki J. | 東北大院理
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概要
関連著者
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粕谷 厚生
東北大学際セ
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須藤 彰三
東北大院理
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粕谷 厚生
学際セ
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粕谷 厚生
東北大学国際高等融合領域研究機構
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Osiecki J.
東北大院理
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須藤 彰三
東北大学大学院理学研究科
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Szuba S.
Poznun Univ. of Tech. (Poland)
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須藤 彰三
東北大学大学院理学研究科物理学専攻
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Osiecki Jacek
Linkoping大
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粕谷 厚生
東北大学際
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早川 美徳
東北大学大学院理学研究科
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早川 美徳
東北大院理
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冷清水 裕子
東北大院理
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田鎖 幸樹
東北大院理
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Czajka R.
東北大学際セ
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千葉 朋
電通大電子
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名取 晃子
電通大電子
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加藤 大樹
東北大院理
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泉水 一紘
東北大院理
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早川 美穂
東北大院理
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堀井 広幸
東北大院理
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芳賀 健也
東北大院理
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名取 晃子
電気通信大学電子工学科
著作論文
- 25pTE-15 Si(111)7×7表面上のAg原子の吸着及び協力的拡散によるクラスター形成過程(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19aTG-7 Si(111)7×7表面上のAg原子の吸着及びクラスター形成過程(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25aYH-9 Si(111)7×7表面上のAg原子の拡散及びクラスター形成過程(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pHA-6 温度可変型STMによるSi(111)7×7表面ポテンシャルに束縛された(Ag)_n多原子状態の構造と電子状態(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))