千葉 朋 | 電通大電子
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概要
関連著者
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千葉 朋
電通大電子
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名取 晃子
電通大電子
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名取 晃子
電気通信大学電子工学科
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早川 美徳
東北大学大学院理学研究科
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粕谷 厚生
東北大学際セ
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須藤 彰三
東北大院理
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須藤 彰三
東北大学大学院理学研究科
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中村 淳
電通大電子
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粕谷 厚生
学際セ
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早川 美徳
東北大院理
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Szuba S.
Poznun Univ. of Tech. (Poland)
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須藤 彰三
東北大学大学院理学研究科物理学専攻
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粕谷 厚生
東北大学国際高等融合領域研究機構
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冷清水 裕子
東北大院理
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泉水 一紘
東北大院理
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Osiecki J.
東北大院理
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早川 美穂
東北大院理
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中村 淳
電通大院先進理工:電通大電子
著作論文
- 21aHW-4 Si/SiO_2量子井戸内D-イオン束縛エネルギーの井戸幅依存性 : valley-orbit相互作用効果(21aHW 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pTE-15 Si(111)7×7表面上のAg原子の吸着及び協力的拡散によるクラスター形成過程(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)