中村 淳 | 電通大院先進理工:電通大電子
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
中村 淳
電通大院先進理工:電通大電子
-
中村 淳
電通大電子
-
名取 晃子
電通大電子
-
名取 晃子
電気通信大学電子工学科
-
平山 基
電通大電子
-
中村 淳
電通大
-
涌井 貞一
電通大電子
-
大竹 晃浩
物材機構
-
大竹 晃浩
独立行政法人 物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
-
中村 淳
電気通信大学電気通信学部電子工学科
-
名取 晃子
電気通信大学電気通信学研究科電子工学専攻
-
名取 晃子
電通大
-
名取 晃子
電気通信大学
-
中村 淳
電気通信大学大学院先進理工学専攻
-
中村 淳
電通大院先進理工
-
井上 純一
北海道大学大学院情報科学研究科
-
波田野 彰
放送大
-
杉山 忠男
河合塾
-
鈴木 亨
筑波大附高
-
堀井 滋
高知工大環理工
-
下山 淳一
東大院工
-
岸尾 光二
東大院工
-
堀井 滋
東大院工
-
岸尾 光二
東大工:jst-trip
-
千葉 朋
電通大電子
-
伊東 敏雄
電気通信大学電気通信学部
-
三間 圀興
光産業創成大学院大
-
山口 翔
電気通信大学
-
川村 清
元慶応大
-
赤井 久純
大阪大院理
-
鈴木 直
関西大システム理工
-
松澤 通生
電通大
-
中村 淳
早大材研
-
井上 純一
物材機構計算科学センター
-
田中 皓
北大理
-
井上 純一
電通大電子
-
赤井 久純
阪大理
-
下山 淳一
東京大学大学院 工学系研究科
-
北原 和夫
東京工業大学
-
北原 和夫
Icu教養学部
-
平山 基
電気通信大学電気通信学研究科電子工学専攻
-
江口 俊輔
電通大電子
-
挾間 裕一
電通大電子
-
五十嵐 正典
電通大電子
-
齋藤 浩一
電通大
-
横田 有為
東大院工
-
尾形 哲朗
東大院工
-
中村 淳
東大院工
-
北原 和夫
日本物理学会会長・国際基督教大学
-
伊東 敏雄
電通大
-
北原 和夫
日本科学教育学会:日本物理学会:国際基督教大学
-
荒船 次郎
東大宇宙線研
-
北原 和夫
東理大理
-
三間 圀興
光産創大
-
鈴木 直
関西大シス理工
-
菅野 雄介
電通大院先進理工
-
佐貫 平二
等離子体物理研・西南物理研
-
高須 昌子
東薬大生命
-
川村 清
慶応大理工
-
東辻 浩夫
JAXA
-
三間 園興
光産業創成大
著作論文
- 21aHW-4 Si/SiO_2量子井戸内D-イオン束縛エネルギーの井戸幅依存性 : valley-orbit相互作用効果(21aHW 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pGL-5 GaAs(110)表面上のMnAs単分子層膜の磁性(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aGL-7 HfO_2・SiO_2薄膜における酸素欠損近傍の局所誘電率評価(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGL-5 GaAs(110)表面上のMnAs単分子層膜の磁性(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 22pPSB-23 酸素吸着グラフェンの構造安定性と凝集性質(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pTA-12 グラフェンリボンのバリスティック熱コンダクタンス(22pTA 領域7,領域4合同 グラフェン・電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aWH-14 多谷半導体中のD^-基底状態 : 磁場効果(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pWF-11 ナノスケールの摩擦機構 : ティップサイズ効果(粉体・摩擦・地震,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 23aWS-9 Sb安定化GaSb(001)-(2x5)表面の原子配列(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子鎖のスピン状態と電子状態
- 23aXB-1 GaAs(001)-(2×4)-Sb吸着構造の再検討(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aXA-14 GaAs(110)表面上のGa置換Mnナノワイヤの原子配置とスピン・電子状態(20aXA 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aXA-14 GaAs(110)表面上のGa置換Mnナノワイヤの原子配置とスピン・電子状態(20aXA 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pVC-4 異方的な超微粒子分散媒質の高周波電気伝導特性(21pVC 確率過程・確率モデル,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 25pTD-3 SiO_2/Si(001)界面におけるナノスケール誘電特性の第一原理計算(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26pTD-9 不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算II : STM像の不純物原子種依存性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22aPS-124 グラフェンのバリスティック熱伝導特性(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23pWG-8 La_Sr_xMnO_単結晶の結晶構造と磁気特性の過剰酸素量依存性(Mn酸化物,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 18pTG-9 第一原理計算によるSiO_2/Si(001)界面のナノスケール誘電特性評価(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23pPSB-7 GaAs(001)-(2×2)Mn表面の原子配列と電子状態評価(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pFN-5 第8回全国物理コンテスト・物理チャレンジ2012理論問題(21pFN 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))