21aGL-7 HfO_2・SiO_2薄膜における酸素欠損近傍の局所誘電率評価(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 2010-03-01

著者

• 中村 淳

  電通大電子

• 名取 晃子

  電通大電子

• 涌井 貞一

  電通大電子

• 名取 晃子

  電気通信大学電子工学科

• 中村 淳

  電通大院先進理工:電通大電子

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