涌井 貞一 | 電通大電子

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概要

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• 同名の論文著者
• 電通大電子の論文著者

関連著者

• 中村 淳

  電通大電子

• 名取 晃子

  電通大電子

• 涌井 貞一

  電通大電子

• 名取 晃子

  電気通信大学電子工学科

• 中村 淳

  電通大院先進理工:電通大電子

著作論文

• 21aGL-7 HfO_2・SiO_2薄膜における酸素欠損近傍の局所誘電率評価(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pTD-3 SiO_2/Si(001)界面におけるナノスケール誘電特性の第一原理計算(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18pTG-9 第一原理計算によるSiO_2/Si(001)界面のナノスケール誘電特性評価(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aYE-7 SiO_2超薄膜の誘電特性(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))

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