平山 基 | 電通大電子
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概要
関連著者
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平山 基
電通大電子
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中村 淳
電通大電子
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名取 晃子
電通大電子
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名取 晃子
電気通信大学電子工学科
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中村 淳
電通大院先進理工:電通大電子
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大竹 晃浩
物材機構
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大竹 晃浩
独立行政法人 物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
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中村 淳
電通大
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中村 淳
電気通信大学電気通信学部電子工学科
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中村 淳
早大材研
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平山 基
電気通信大学電気通信学研究科電子工学専攻
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名取 晃子
電気通信大学電気通信学研究科電子工学専攻
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名取 晃子
電通大
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名取 晃子
電気通信大学
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中村 淳
電気通信大学大学院先進理工学専攻
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菅野 雄介
電通大院先進理工
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中村 淳
電通大院先進理工
著作論文
- 22pGL-5 GaAs(110)表面上のMnAs単分子層膜の磁性(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGL-5 GaAs(110)表面上のMnAs単分子層膜の磁性(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23aWS-9 Sb安定化GaSb(001)-(2x5)表面の原子配列(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子鎖のスピン状態と電子状態
- 23aXB-1 GaAs(001)-(2×4)-Sb吸着構造の再検討(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aXA-14 GaAs(110)表面上のGa置換Mnナノワイヤの原子配置とスピン・電子状態(20aXA 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aXA-14 GaAs(110)表面上のGa置換Mnナノワイヤの原子配置とスピン・電子状態(20aXA 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 26pTD-9 不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算II : STM像の不純物原子種依存性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18pTG-10 不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24aPS-145 2次元シリコン化合物の原子構造と電子状態(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 23pPSB-7 GaAs(001)-(2×2)Mn表面の原子配列と電子状態評価(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))