5p-H-12 C_<60>を用いたSiC薄膜の成長機構
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 1997-09-16
著者
-
脇田 高穂
Jst-crest:岡山大理界面
-
脇田 高徳
東北大院理:東大物性研
-
粕谷 厚生
東北大金研
-
坂本 一之
東北大院理
-
坂木 一之
東北大院理
-
須藤 彰三
東北大院理
-
芦間 英典
東北大院理
-
粕谷 厚生
学際セ
-
鈴木 利尚
東北大院理
-
原田 昌史
東北大院理
-
脇田 高徳
東北大院理
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