27p-PSA-35 レーザー蒸発で生成したグラファイト表面上のV族元素クラスターのSTM観察
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1992-09-14
著者
関連論文
- 2p-D-5 単層ナノチューブのサイズ分布と制御
- 30a-J-4 単層ナノチューブのサイズ分布とラマン散乱
- 30p-WB-8 単層チューブにおけるラマン散乱ピークの分裂
- 29p-WB-5 単一サイズナノチューブのラマン散乱
- 2a-R-7 Se_xS_y クラスターのラマン散乱と光吸収
- 27a-E-10 アレキサンドライトの強磁場光スペクトル (II)
- 27a-E-9 アレキサンドライトの強磁場光スペクトル I
- 30a-H-6 塩素架橋白金錯体の結晶構造欠陥
- 27p-PS-18 Y-Ba-Cu-O微粒子の赤外吸収
- 3p-YA-9 [Pt(en)_2][Pt(en)_2I_2](ClO_4)_4の基礎吸収端の静水圧依存性
- 31p-J-6 擬一次元白金錯体のキンクの量子揺らぎとミッドギャップ光吸収
- 3p-C-4 GaSe,GaTeの吸収端における圧力効果
- パルス磁場におけるGaSeのFaraday効果 : 光物性・イオン結晶
- GaSeのFaraday効果 : 半導体 : 輸送
- 4p-A2-20 K-MoCl_5-GICのインターカレーション過程のラマン観察
- 27a-ZD-12 擬一次元白金錯体の準安定光誘起吸収
- 28a-G-1 擬一次元白金錯体における光誘起吸収バンドの温度依存性
- 29p-ZF-2 擬一次元白金錯体における光誘起吸収の顕微分及び画像解析II
- 25a-Z-10 擬一次元白金錯体における光誘起吸収の顕微分光及び画像解析
- 2a-M-18 Ni_xTaS_2のラマン散乱
- 1a-KK-10 Ni_xTaS_2の結晶構造
- 1a-KK-9 NixTaS_2の電気的特性
- 5p-H-12 C_を用いたSiC薄膜の成長機構
- 5p-H-11 Si(111)7×7表面に吸着したC_とSiダングリングボンドの相互作用
- 26a-M-7 ナノチューブの共鳴ラマン散乱
- 31p-YX-9 ナノチューブの共鳴ラマン散乱
- 8a-D-4 単層ナノチューブのラマン散乱、波長依存性
- 31a-D-8 単層ナノチューブに於けるラマン散乱の共鳴効果
- 単層ナノチューブにおけるラマン散乱の波長依存性
- 30a-J-5 単層ナノチューブの音響モードのラマン散乱
- 27a-Y-6 Si(100)上のC_2次元三角格子結晶の電子状態の混合基底法による第一原理計算
- 14a-DE-11 高圧下におけるCd_Co_xSe(x=0.012)の強磁場発光スペクトル
- 29a-ZX-7 MBE成長ZnSエピタキシ膜の評価
- 28p-K-9 反変調ドープGaAs/AlGaAs量子井戸における障壁層のフォトリフレクタンス
- 2a-R-3 金属表面における金属内包フラーレン相互作用
- 31p-WB-2 Orientational Geometry and Intramolecular Structure of C_C_ Monolayer on Cu(111) Surface
- 31p-WB-1 Ag(111)表面に於けるフラーレン吸着構造
- 15p-DH-2 Adsorption geometry and intramolecular structures of C_ and C_on the Cu(111)1×1 surface
- 15p-DH-1 Domain Boundary Segregation of the Monomolecular C_-C_ Layer Adsorbed on the Cu(111)1×1 Surface
- 13a-PS-19 Adsorption Geometry and Thin Film Growth of Metallofullerenes on the Si(100)2x1 Surface
- InSbのMagneto-Plasma Reflection : 半導体(光学特性)
- 30p-H-12 Si表面に吸着したフラーレンのFI-STM像における内部構造
- 30p-H-11 FI-STMによる金属表面に於るフラーレンの吸着
- 28p-Y-5 C_ Adsorption on the Si(111)7x7 Surface
- 28p-Y-4 FI-STMによるSi(100)2x1表面におけるC_吸着
- 27p-PSA-27 FI-STMによるSi表面上のC_n(n
- 28p-D-16 高圧下におけるアレキサンドライトのR発光線のゼーマン分裂
- 31a-YX-8 カーボンナノチューブのFEMとFIM
- 12p-W-2 アモルファスSeの遠赤外吸収
- 8a-D-9 カーボンナノチューブからの電界電子放出 II
- 27a-PS-24 Si表面に吸着したC_の振動状態:吸着量及び温度依存性
- Si表面に吸着したC_の振動状態 : 吸着量及び温度依存性
- 29a-RC-6 シリコンの格子振動と正孔の相互作用 : Fano効果
- 25a-Z-13 炭素ススの光散乱
- 31p-D-2 カーボンナノチューブからの電界電子放出
- 31a-WB-2 Geガス中蒸発に伴う発光スペクトル
- 31a-WB-4 レーザー蒸発で生成する炭素クラスター
- 13a-PS-63 Si、グラファイト表面上におけるAuクラスターのSTM/STS測定
- 13a-PS-57 グラファイト表面上に生成したマイクロクラスターのSTMによる観察
- 27p-PSA-35 レーザー蒸発で生成したグラファイト表面上のV族元素クラスターのSTM観察
- 30a-ZS-8 グラファイト表面にレーザー蒸着したクラスター
- 26a-ZE-8 真空蒸着で生成したグラファイト表面上のV族元素クラスター
- 30p-T-2 Na^+(H_2O)_nクラスターの生成と分解
- 2a-R-2 シリコン及びグラファイト表面に吸着したC_60薄膜の構造と振動状態
- 3a-NGH-12 ZnSeにおけるドナー電子の共鳴ラマン散乱
- 25p-PS-67 レーザー蒸発で生成したグラファイト表面上の炭素クラスター
- 31a-YX-7 二元金属触媒を用いたアーク放電法による単層ナノチューブの多量合成II
- 7a-PS-51 金2原子分子からの発光分析:760-800nm
- 5a-TC-2 GaSeにおける積層欠陥のX線解析と励起子発光スペクトル
- 10p-Q-4 PbI_2の非線形光電子放出の温度変化
- 2a-K-9 Siの2光子光電子スペクトルとUPSとの比較
- 3a-B-12 N_2レーザー励起によるSi(111)面からの光電子スペクトル
- 2a-R-1 Si表面上炭素クラスターの化学反応
- 31p-T-1 スペクトルマッピングによるトンネル発光像
- トンネル発光のスペクトル分解測定
- トンネル発光とSTM、STSの同時測定
- 1a-J-13 トンネル発光分布とSTM像の相関
- 1a-C-3 光照射による多層膜内C_の回転と配向
- 29a-T-5 Al3 3原子分子からの発光の分光学的分析
- 30a-T-6 黒鉛表面上Au超微粒子のSTM観察
- 15p-DH-6 カーボン層により包まれたFe, Co, Ni微結晶の合成と構造
- 7a-PS-56 改良型トンネル発光スペクトル空間マッピング装置の製作
- 28p-YR-9 固体-液体界面のトンネル発光スペクトルの空間マッピング
- 31a-PS-27 金微粒子局所プラズモンのトンネル発光スペクトル
- 30a-PS-44 局所トンネル発光測定装置の製作と発光分布の測定
- 25p-PS-69 電気化学反応による黒鉛表面上金属微粒子のSTM観察
- 13a-PS-62 C60気体の光吸収
- 13a-PS-55 不活性ガス中におけるLa分子の発光分光
- 4a-G-10 PbI_2の直接励起子による非線形光電子放出
- 7a-Q-13 レーザー励起によるPbI_2の光電子放出
- 30a-G-4 炭素クラスターのRaman散乱とレーザー照射効果
- 3a-KL-6 GaSe_SxのX線によるESCAスペクトル
- 13a-PS-56 S-Se系マイクロクラスターの質量分析
- 2p-Z-8 熱処理したシリコン添加砒化ガリウムのフォトルミネッセンス
- 2p-F-13 Siを添加したGaAsのフォトルミネッセンス
- 2a-B-6 GaS_xSe_の角度分解AES
- 29p-H-3 レーザー励起IV属元素クラスターの放出特性(表面・界面)
- 31p-M2-7 レーザー励起IV族元素クラスターの時間分解発光測定(表面・界面)
- 28p-TG-6 レーザー照射によるIV属元素マイクロクラスター生成・解離過程の時間/空間解析(28pTG 表面・界面(超微粒子))
- 30p-AA-5 半導体クラスターの生成過程 : 実験(30p AA 半導体,表面.界面合同シンポジウム 主題:マイクロクラスターの物理-分子から固体へ)