27p-PSA-27 FI-STMによるSi表面上のC_n(n<300)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1992-09-14
著者
-
橋詰 富博
日立製作所基礎研究所
-
仁科 雄一郎
東北大金研
-
王 向東
東北大学金属材料研究所
-
斎藤 弥八
三重大工
-
Wang Xiang-dong
東北大金研
-
篠原 久典
三重大工
-
篠原 久典
名古屋大学大学院理学研究科
-
岸本 次郎
東北大金研
-
橋詰 富博
東北大金研
-
桜井 利夫
東北大金研
-
王 向東
東北大金研
-
茶谷 日出男
東北大金研
関連論文
- SPMを用いた卓上微細加工装置とその応用(SPMを用いた微細加工)
- 2p-D-5 単層ナノチューブのサイズ分布と制御
- 30a-J-4 単層ナノチューブのサイズ分布とラマン散乱
- 30p-WB-8 単層チューブにおけるラマン散乱ピークの分裂
- 29p-WB-5 単一サイズナノチューブのラマン散乱
- 2a-R-7 Se_xS_y クラスターのラマン散乱と光吸収
- 27a-E-10 アレキサンドライトの強磁場光スペクトル (II)
- 27a-E-9 アレキサンドライトの強磁場光スペクトル I
- 30a-H-6 塩素架橋白金錯体の結晶構造欠陥
- 27p-PS-18 Y-Ba-Cu-O微粒子の赤外吸収
- 3p-YA-9 [Pt(en)_2][Pt(en)_2I_2](ClO_4)_4の基礎吸収端の静水圧依存性
- 31p-J-6 擬一次元白金錯体のキンクの量子揺らぎとミッドギャップ光吸収
- 3p-C-4 GaSe,GaTeの吸収端における圧力効果
- パルス磁場におけるGaSeのFaraday効果 : 光物性・イオン結晶
- GaSeのFaraday効果 : 半導体 : 輸送
- 4p-A2-20 K-MoCl_5-GICのインターカレーション過程のラマン観察
- 27a-ZD-12 擬一次元白金錯体の準安定光誘起吸収
- 28a-G-1 擬一次元白金錯体における光誘起吸収バンドの温度依存性
- 29p-ZF-2 擬一次元白金錯体における光誘起吸収の顕微分及び画像解析II
- 25a-Z-10 擬一次元白金錯体における光誘起吸収の顕微分光及び画像解析
- 2a-M-18 Ni_xTaS_2のラマン散乱
- 1a-KK-10 Ni_xTaS_2の結晶構造
- 1a-KK-9 NixTaS_2の電気的特性
- 26a-M-7 ナノチューブの共鳴ラマン散乱
- 31p-YX-9 ナノチューブの共鳴ラマン散乱
- 8a-D-4 単層ナノチューブのラマン散乱、波長依存性
- 31a-D-8 単層ナノチューブに於けるラマン散乱の共鳴効果
- 単層ナノチューブにおけるラマン散乱の波長依存性
- 30a-J-5 単層ナノチューブの音響モードのラマン散乱
- 27a-Y-6 Si(100)上のC_2次元三角格子結晶の電子状態の混合基底法による第一原理計算
- 14p-DH-8 STM study of the Pb/Ge(001)system
- 14p-DH-7 A common complex defect on the Ge(001)2x1 surface
- 24p-R-3 Si(111)7x7表面におけるSiの成長過程
- 14a-DE-11 高圧下におけるCd_Co_xSe(x=0.012)の強磁場発光スペクトル
- 28p-K-9 反変調ドープGaAs/AlGaAs量子井戸における障壁層のフォトリフレクタンス
- 走査トンネル顕微鏡(STM)によるGaAs(001)表面の研究 [II]
- 走査トンネル顕微鏡(STM)によるGaAs(001)表面の研究[I]
- 1a-J-12 STMによる表面ステップ上でのフラーレン分子のクラスター形成過程の研究
- 29p-S-11 GaAs(001)-4x2-Ga表面原子構造のSTMによる研究
- 29p-J-10 銅表面へのBTAの吸着構造
- 28a-J-8 STMによる銅表面上でのフラーレン分子間の相互作用に関する研究
- 半導体表面のアトムプロセス (表面のアトムプロセス)
- 5a-Q-12 Surface flatness and reconstructions of the InAs/GaAs and GaAs/InAs interfaces characterized by STM
- 4a-Q-1 STM及びUPSによるCu(110)表面におけるBTAの吸着反応
- 3a-Q-4 FI-STMによるGaAs(001)-(2x4)-y表面構造
- 2a-R-3 金属表面における金属内包フラーレン相互作用
- 31p-WB-6 Cu(110)表面におけるBTA及びTTA吸着構造
- 31p-WB-5 Atomically resolved adsorption structure of Mn on Cu(001) surface
- 31p-WB-4 FI-STMと動力学RHEED解析によるGaAs(001)-(2x4)/c(4x4)表面構造
- 31p-WB-3 Structure and phase transformation of the Ga-stabilized GaAs(001) surface
- 31p-WB-2 Orientational Geometry and Intramolecular Structure of C_C_ Monolayer on Cu(111) Surface
- 31p-WB-1 Ag(111)表面に於けるフラーレン吸着構造
- 15p-DH-2 Adsorption geometry and intramolecular structures of C_ and C_on the Cu(111)1×1 surface
- 15p-DH-1 Domain Boundary Segregation of the Monomolecular C_-C_ Layer Adsorbed on the Cu(111)1×1 Surface
- 14p-DH-9 FI-STM of the GaAs(001)-2x4-As Structure with different Surface Stoichiometry
- 有機半導体の界面に期待するもの
- 12p-DJ-11 CAICISS・FI-STMによるSi(111)-3x1K表面構造
- 13a-PS-19 Adsorption Geometry and Thin Film Growth of Metallofullerenes on the Si(100)2x1 Surface
- InSbのMagneto-Plasma Reflection : 半導体(光学特性)
- 14a-DH-6 FI-STM Study of Initial Growth Stage of GaAs on Si Epitaxy with Ga Prelayer
- Si表面におけるフラーレン吸着
- 30p-H-12 Si表面に吸着したフラーレンのFI-STM像における内部構造
- 30p-H-11 FI-STMによる金属表面に於るフラーレンの吸着
- 30p-H-10 FI-STMによる金属表面に於る酸素吸着
- 29p-J-6 FI-STMによる半導体表面
- 走査トンネル顕微鏡/分光法によるC60の表面吸着
- Cu(111)面上の硫黄/塩素吸着
- 28p-Y-7 Si(111)および(100)表面に吸着した銅フタロシアニンのSTM観察
- 28p-Y-5 C_ Adsorption on the Si(111)7x7 Surface
- 28p-Y-4 FI-STMによるSi(100)2x1表面におけるC_吸着
- 28p-Y-3 Structural and Electronic Properties of Alkali Metal Overlayers on the Si(111) Surface
- 28p-Y-2 GaAs(100) surface studied by MBE and FI-STM
- 28p-Y-1 Ag(110)表面における酸素吸着
- 27p-PSA-27 FI-STMによるSi表面上のC_n(n
- FI-STMによるepitaxyの研究 : 招待講演I
- 30p-ZF-2 Cu(111)面におけるイオウ吸着のFI-STM研究
- 30p-ZF-1 Cu(111)面上の塩素吸着のFI-STM研究
- 30a-ZF-13 Atomic hydrogen adsorption on the Si(100)2x1 surface
- 30a-ZF-12 Si(100)2x1におけるNa吸着のFI-STM研究
- 30a-ZF-8 Cl/Si(111)7x7 の 紫外レーザーエッチング
- 30a-ZF-2 Structural Study of the Conversion of the Si(111)7x7 Surface to the Na-Covered 3x1 Surface.
- 27p-ZC-4 STMの金属表面への応用
- 電界イオン-走査トンネル顕微鏡
- 29p-BPS-37 Si(111)2x1劈開面のFI-STM観察
- 29p-BPS-36 Si(100)におけるアルカリ吸着 : FI-STM/STS
- 27p-E-7 Cl/Si(111)7x7のSTM/STS
- 27p-E-2 FI-STMによるAg(110)における酸素吸着
- 28p-K-1 FI-STMによるSi中の転位の原子像観察
- 表面を探る : 2. 表面顕微鏡: 吸着表面原子のSTM: Si表面のアルカリ金属 ( 表面)
- 26a-ZE-1 STM探針の先端原子配列とSTM像の相関
- 24p-R-11 Cl/Si(111)7x7のSTM/STS
- 3p-E-6 FI-STMとその表面科学における応用
- 5a-PS-19 FI-STMによるSi(111)のハロゲン吸着
- 5a-PS-15 FI-STMによる半導体表面上のアルカリ吸着
- 28p-D-16 高圧下におけるアレキサンドライトのR発光線のゼーマン分裂
- 31a-YX-8 カーボンナノチューブのFEMとFIM
- 12p-W-2 アモルファスSeの遠赤外吸収
- 半導体国際会議 (1966) の報告
- 水素終端シリコン表面における初期酸素吸着の原子レベル観察
- 水素終端シリコン表面における初期酸素吸着の原子レベル観察