桜井 利夫 | 東北大金研
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概要
関連著者
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桜井 利夫
東北大金研
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橋詰 富博
日立製作所基礎研究所
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橋詰 富博
東北大金研
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甕 久実
東北大金研
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仁科 雄一郎
東北大金研
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王 向東
東北大学金属材料研究所
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Wang Xiang-dong
東北大金研
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篠原 久典
名大院理
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長谷川 幸雄
東大物性研
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仁科 雄一郎
東北大学金属材料研究所
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岸本 次郎
東北大金研
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王 向東
東北大金研
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Nishina Yuichiro
Institute Of Materials Resesrch Tohoku University
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村田 好正
東大物性研
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陸 華
東北大金研
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篠原 久典
名大理
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酒井 明
京都大メゾ材料セ
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山崎 壮一
東北大金研
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篠原 久典
名古屋大理
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村主 学
東大物性研
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田中 虔一
東大物性研
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桜井 利夫
東北大wpi
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櫻井 利夫
東北大学金属材料研究所
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篠原 久典
三重大工
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Cho K.
東北大金研
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Jeon Dong-ryul
東北大金研
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一宮 彪彦
名大工
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桜井 利夫
東大物性研
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斎藤 弥八
三重大工
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篠原 久典
名古屋大学大学院理学研究科
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Wang X.-D.
東北大金研
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Wang D-X
東北大金研
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Wang Dong-Xiang
東北大金研
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Yurov V.
東北大金研
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茶谷 日出男
東北大金研
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Yoshida N
Institute For Materials Research Tohoku University
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櫻井 利夫
東北大学際センター
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甕 久美
東北大金研
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橋詰 富愽
東北大金研
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斉藤 弥八
三重大工
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深津 晋
東大先端研
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桜井 利夫
東京大学物性研究所
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深津 晋
東大・教養
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Yang W.S.
東北大金研
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長谷川 幸雄
東北大金研
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Xue Q.K
東北大金研
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坂田 東洋
東北大金研
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Zhou M.J
東北大金研
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Xue Q.K.
東北大金研
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Zhou J.M.
東北大金研
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Xue Q.-K.
東北大金研
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Li J.-L.
東北大金研
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Yang W.s.
Bejing Univ
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白 春禮
東北大金研
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佐野 直幸
東大物性研
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神保 明子
東大物性研
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石田 芳也
北見赤十字病院耳鼻咽喉科・頭頸部外科
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青野 正和
理研
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村田 好正
東大生産研
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青野 正和
東理大理
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宝野 和博
(独)物質・材料研究機構
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宝野 和博
物材機構
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井上 明久
東北大金研
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渡辺 洋右
東北大金研
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長谷川 直也
アルプス電気(株)磁気デバイス事業部
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渡辺 洋右
東北大学金属材料研究所
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片山 光浩
理化学研究所表面界面工学研究室
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片山 光浩
理研
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石山 謙吾
豊田中研
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宝野 和博
金属材料技術研究所
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岸田 将明
名大理
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谷口 昌宏
東大・物性研
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宝野 和博
物質・材料研究機構 磁性材料セ
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Ling Yong
東北大金研
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Zhou J.M
東北大金研
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Cho K.H
東北大金研
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Oikun Xue
東北大金研
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Kyehyun Cho
ソウル国立大
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Hyunpil Noh
東北大金研, ソウル国立大
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Young Kuk
ソウル国立大
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稲熊 正康
名大理
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Cho K
東北大金研
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Noh Hyunpil
東北大金研
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Kuk Young
ソウル国立大
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Xue K.Q
東北大金研
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Xue Qikun
東北大金研
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Yurov V
東北大金研
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Jeon D.
Myon Ji Univ.
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Rowe J.E.
AT&T Bell研
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篠原 久典
東北大金研
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除 宏偉
東北大金研
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Pickering H.W.
Penn State Univ.
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谷口 昌宏
東大物性研
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西巻 純輝
東北大金研
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桜井 利夫
東大・物性研
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橘詰 富博
東大・物性研
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神保 明子
東大・物性研
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坂田 東洋
大阪府大総科部
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Noh Hyunpil
東北大金研:ソウル国立大
-
Hyunpil Noh
東北大金研 ソウル国立大
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長谷川 直也
アルプス電気
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坂田 東洋
大阪府大総合科
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桜井 利夫
東京大学・物性研究所
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小林 明子
東京大学・物性研究所
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酒井 明
東京大学・物性研究所
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Rowe J.e.
At&t Bell研
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橋詰 富広
東北大金研
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宝野 和彦
金属材料技術研究所
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張 〓
東北大金研
著作論文
- 表面物理の国際会議 (第43回)
- イオン中性化スペクトロスコピー(INS)(表面物性 II. 表面を探る)
- 14p-DH-8 STM study of the Pb/Ge(001)system
- 14p-DH-7 A common complex defect on the Ge(001)2x1 surface
- 24p-R-3 Si(111)7x7表面におけるSiの成長過程
- 1a-J-12 STMによる表面ステップ上でのフラーレン分子のクラスター形成過程の研究
- 29p-S-11 GaAs(001)-4x2-Ga表面原子構造のSTMによる研究
- 29p-J-10 銅表面へのBTAの吸着構造
- 28a-J-8 STMによる銅表面上でのフラーレン分子間の相互作用に関する研究
- 5a-Q-12 Surface flatness and reconstructions of the InAs/GaAs and GaAs/InAs interfaces characterized by STM
- 4a-Q-1 STM及びUPSによるCu(110)表面におけるBTAの吸着反応
- 3a-Q-4 FI-STMによるGaAs(001)-(2x4)-y表面構造
- 2a-R-3 金属表面における金属内包フラーレン相互作用
- 31p-WB-6 Cu(110)表面におけるBTA及びTTA吸着構造
- 31p-WB-5 Atomically resolved adsorption structure of Mn on Cu(001) surface
- 31p-WB-4 FI-STMと動力学RHEED解析によるGaAs(001)-(2x4)/c(4x4)表面構造
- 31p-WB-3 Structure and phase transformation of the Ga-stabilized GaAs(001) surface
- 31p-WB-2 Orientational Geometry and Intramolecular Structure of C_C_ Monolayer on Cu(111) Surface
- 31p-WB-1 Ag(111)表面に於けるフラーレン吸着構造
- 15p-DH-2 Adsorption geometry and intramolecular structures of C_ and C_on the Cu(111)1×1 surface
- 15p-DH-1 Domain Boundary Segregation of the Monomolecular C_-C_ Layer Adsorbed on the Cu(111)1×1 Surface
- 14p-DH-9 FI-STM of the GaAs(001)-2x4-As Structure with different Surface Stoichiometry
- 12p-DJ-11 CAICISS・FI-STMによるSi(111)-3x1K表面構造
- 13a-PS-19 Adsorption Geometry and Thin Film Growth of Metallofullerenes on the Si(100)2x1 Surface
- 14a-DH-6 FI-STM Study of Initial Growth Stage of GaAs on Si Epitaxy with Ga Prelayer
- 30p-H-12 Si表面に吸着したフラーレンのFI-STM像における内部構造
- 30p-H-11 FI-STMによる金属表面に於るフラーレンの吸着
- 30p-H-10 FI-STMによる金属表面に於る酸素吸着
- 29p-J-6 FI-STMによる半導体表面
- 28p-Y-5 C_ Adsorption on the Si(111)7x7 Surface
- 28p-Y-4 FI-STMによるSi(100)2x1表面におけるC_吸着
- 28p-Y-3 Structural and Electronic Properties of Alkali Metal Overlayers on the Si(111) Surface
- 28p-Y-2 GaAs(100) surface studied by MBE and FI-STM
- 28p-Y-1 Ag(110)表面における酸素吸着
- 27p-PSA-27 FI-STMによるSi表面上のC_n(n
- FI-STMによるepitaxyの研究 : 招待講演I
- 30p-ZF-2 Cu(111)面におけるイオウ吸着のFI-STM研究
- 30p-ZF-1 Cu(111)面上の塩素吸着のFI-STM研究
- 30a-ZF-13 Atomic hydrogen adsorption on the Si(100)2x1 surface
- 30a-ZF-12 Si(100)2x1におけるNa吸着のFI-STM研究
- 30a-ZF-8 Cl/Si(111)7x7 の 紫外レーザーエッチング
- 30a-ZF-2 Structural Study of the Conversion of the Si(111)7x7 Surface to the Na-Covered 3x1 Surface.
- 27p-ZC-4 STMの金属表面への応用
- 29p-BPS-36 Si(100)におけるアルカリ吸着 : FI-STM/STS
- 27p-E-7 Cl/Si(111)7x7のSTM/STS
- 27p-E-2 FI-STMによるAg(110)における酸素吸着
- 26a-ZE-1 STM探針の先端原子配列とSTM像の相関
- 24p-R-11 Cl/Si(111)7x7のSTM/STS
- 3p-E-6 FI-STMとその表面科学における応用
- 5a-PS-19 FI-STMによるSi(111)のハロゲン吸着
- 5a-PS-15 FI-STMによる半導体表面上のアルカリ吸着
- He原子線回折法によるLiF(001)最表面の格子定数と熱膨張測定
- 走査トンネル顕微鏡
- Co-12Cr-2Ta薄膜の3次元アトムプローブ分析
- 走査トンネル顕微鏡
- 走査トンネル顕微鏡 (顕微鏡で表面微細構造を見る)
- 複合型走査トンネル顕微鏡(FI-STM) (マイクロキャラクタリゼ-ション-2-(技術ノ-ト))
- 半導体表面における水素吸着
- 3p-RJ-3 Atom-probeによるGaAs及びGaP表面の研究
- E. Talauer and W. Heiland編: Inelastic Particle-Surface Collisions, Springer-Verlag, Berlin and New York, 1981, viii+329ページ, 24×16.5cm, 8,400円(Springer Series in Chemical Physics, Vol. 17).
- 最新の電界イオン顕微鏡とその応用 (電子顕微鏡による材料研究の最前線-下-) -- (装置および応用編)
- Scanning Tunneling Microscopy〔邦文〕
- 1p-TA-10 FI-STMによるSi(001)上のアルカリ吸着
- 27p-PSA-28 FI-STMによるGaAs(110)表面上のNa吸着
- Fe-Zr-B系軟磁性材料のナノ組織形成と添加元素の影響