E. Talauer and W. Heiland編: Inelastic Particle-Surface Collisions, Springer-Verlag, Berlin and New York, 1981, viii+329ページ, 24×16.5cm, 8,400円(Springer Series in Chemical Physics, Vol. 17).
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1982-11-05
著者
関連論文
- アルミニウム合金のG.P.ゾーンのAP-FIMによる研究(合金の相変態とその前駆現象,科研費研究会報告)
- 6a-T-6 シリコン上のアルカリ吸着とモンテカルロシミュレーション
- 6a-T-5 FI-STMおよびLEEDによるSi(001)2x1-Liの研究
- 表面物理の国際会議 (第43回)
- イオン中性化スペクトロスコピー(INS)(表面物性 II. 表面を探る)
- 14p-DH-8 STM study of the Pb/Ge(001)system
- 14p-DH-7 A common complex defect on the Ge(001)2x1 surface
- 24p-R-3 Si(111)7x7表面におけるSiの成長過程
- 1a-J-12 STMによる表面ステップ上でのフラーレン分子のクラスター形成過程の研究
- 29p-S-11 GaAs(001)-4x2-Ga表面原子構造のSTMによる研究
- 29p-J-10 銅表面へのBTAの吸着構造
- 28a-J-8 STMによる銅表面上でのフラーレン分子間の相互作用に関する研究
- 5a-Q-12 Surface flatness and reconstructions of the InAs/GaAs and GaAs/InAs interfaces characterized by STM
- 4a-Q-1 STM及びUPSによるCu(110)表面におけるBTAの吸着反応
- 3a-Q-4 FI-STMによるGaAs(001)-(2x4)-y表面構造
- 2a-R-3 金属表面における金属内包フラーレン相互作用
- 31p-WB-6 Cu(110)表面におけるBTA及びTTA吸着構造
- 31p-WB-5 Atomically resolved adsorption structure of Mn on Cu(001) surface
- 31p-WB-4 FI-STMと動力学RHEED解析によるGaAs(001)-(2x4)/c(4x4)表面構造
- 31p-WB-3 Structure and phase transformation of the Ga-stabilized GaAs(001) surface
- 31p-WB-2 Orientational Geometry and Intramolecular Structure of C_C_ Monolayer on Cu(111) Surface
- 31p-WB-1 Ag(111)表面に於けるフラーレン吸着構造
- 15p-DH-2 Adsorption geometry and intramolecular structures of C_ and C_on the Cu(111)1×1 surface
- 15p-DH-1 Domain Boundary Segregation of the Monomolecular C_-C_ Layer Adsorbed on the Cu(111)1×1 Surface
- 14p-DH-9 FI-STM of the GaAs(001)-2x4-As Structure with different Surface Stoichiometry
- 12p-DJ-11 CAICISS・FI-STMによるSi(111)-3x1K表面構造
- 13a-PS-19 Adsorption Geometry and Thin Film Growth of Metallofullerenes on the Si(100)2x1 Surface
- 14a-DH-6 FI-STM Study of Initial Growth Stage of GaAs on Si Epitaxy with Ga Prelayer
- 30p-H-12 Si表面に吸着したフラーレンのFI-STM像における内部構造
- 30p-H-11 FI-STMによる金属表面に於るフラーレンの吸着
- 30p-H-10 FI-STMによる金属表面に於る酸素吸着
- 29p-J-6 FI-STMによる半導体表面
- 28p-Y-5 C_ Adsorption on the Si(111)7x7 Surface
- 28p-Y-4 FI-STMによるSi(100)2x1表面におけるC_吸着
- 28p-Y-3 Structural and Electronic Properties of Alkali Metal Overlayers on the Si(111) Surface
- 28p-Y-2 GaAs(100) surface studied by MBE and FI-STM
- 28p-Y-1 Ag(110)表面における酸素吸着
- 27p-PSA-27 FI-STMによるSi表面上のC_n(n
- FI-STMによるepitaxyの研究 : 招待講演I
- 30p-ZF-2 Cu(111)面におけるイオウ吸着のFI-STM研究
- 30p-ZF-1 Cu(111)面上の塩素吸着のFI-STM研究
- 30a-ZF-13 Atomic hydrogen adsorption on the Si(100)2x1 surface
- 30a-ZF-12 Si(100)2x1におけるNa吸着のFI-STM研究
- 30a-ZF-8 Cl/Si(111)7x7 の 紫外レーザーエッチング
- 30a-ZF-2 Structural Study of the Conversion of the Si(111)7x7 Surface to the Na-Covered 3x1 Surface.
- 27p-ZC-4 STMの金属表面への応用
- 29p-BPS-36 Si(100)におけるアルカリ吸着 : FI-STM/STS
- 27p-E-7 Cl/Si(111)7x7のSTM/STS
- 27p-E-2 FI-STMによるAg(110)における酸素吸着
- 26a-ZE-1 STM探針の先端原子配列とSTM像の相関
- 24p-R-11 Cl/Si(111)7x7のSTM/STS
- 3p-E-6 FI-STMとその表面科学における応用
- 5a-PS-19 FI-STMによるSi(111)のハロゲン吸着
- 5a-PS-15 FI-STMによる半導体表面上のアルカリ吸着
- He原子線回折法によるLiF(001)最表面の格子定数と熱膨張測定
- 走査トンネル顕微鏡
- Co-12Cr-2Ta薄膜の3次元アトムプローブ分析
- 走査トンネル顕微鏡
- 走査トンネル顕微鏡 (顕微鏡で表面微細構造を見る)
- 11p-A-11 FIM・atom-probeの開発II
- 2p-D-7 FIMアトムプローブの開発とその表面偏析への応用
- 複合型走査トンネル顕微鏡(FI-STM) (マイクロキャラクタリゼ-ション-2-(技術ノ-ト))
- 半導体表面における水素吸着
- 3p-RJ-3 Atom-probeによるGaAs及びGaP表面の研究
- E. Talauer and W. Heiland編: Inelastic Particle-Surface Collisions, Springer-Verlag, Berlin and New York, 1981, viii+329ページ, 24×16.5cm, 8,400円(Springer Series in Chemical Physics, Vol. 17).
- 最新の電界イオン顕微鏡とその応用 (電子顕微鏡による材料研究の最前線-下-) -- (装置および応用編)
- 6a-T-2 FI-STMによるSi表面の水素吸着の研究
- 4p-Y-7 FI-STMによるSi(100)表面の研究
- 3a-B4-11 液体中観察用STMの開発
- Scanning Tunneling Microscopy〔邦文〕
- 6a-T-1 多目的FI-STM(電界イオン-走査トンネル複合顕微鏡)の開発
- 29a-P-1 Cu-Ni合金におけるNiの選択的スパッタリング
- 2a-E-4 atom-probeによるCu-Ni合金分析(II) : 表面偏析に対する雰囲気の影響
- 2a-E-3 atom-probeによるCu-Ni合金分析(I) : 真空中の表面偏析
- 2a-E-2 鉄中のsolute elementの表面偏析
- 2a-E-1 半導体-金属界面のatom-probe FIMによる分析
- 1p-TA-10 FI-STMによるSi(001)上のアルカリ吸着
- 27p-PSA-28 FI-STMによるGaAs(110)表面上のNa吸着
- Fe-Zr-B系軟磁性材料のナノ組織形成と添加元素の影響
- 27p-GA-8 Al-Li合金のアトム・プローブ分析における定量性(表面・界面)
- 31p-F4-14 FIM STMによる半導体表面の研究(表面・界面)
- 29p-TC-15 高分子表面の微視的観察(29pTC 表面・界面)
- 1p-BG-4 SiC-金属界面の研究-パルスレーザー・アトムプローブ法による-(1p BG 表面・界面)
- 29p-TC-11 FI-STMによる、半導体表面の観察(29pTC 表面・界面)
- 1p-BG-3 Cu-Ni合金に於る表面偏析現象への化学吸着の影響(1p BG 表面・界面)
- 1p-BG-5 NeのW中における異常拡散現象(1p BG 表面・界面)
- 31p-BG-9 He原子線回折装置の開発(31p BG 表面・界面)