14a-DH-6 FI-STM Study of Initial Growth Stage of GaAs on Si Epitaxy with Ga Prelayer
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 1993-09-20
著者
-
橋詰 富博
日立製作所基礎研究所
-
橋詰 富博
東北大金研
-
桜井 利夫
東北大金研
-
Zhou J.M.
東北大金研
-
Xue Q.-K.
東北大金研
-
茶谷 日出男
東北大金研
-
Li J.-L.
東北大金研
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