村田 好正 | 東大生産研
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概要
関連著者
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村田 好正
東大生産研
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村田 好正
東大物性研
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村田 好正
東大生研
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伊藤 泰男
東京大学原子力研究総合センター
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金沢 育三
東学大・物理
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小森 文夫
東大物性研
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伊藤 泰男
東大原総セ
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福谷 克之
東大物性研
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金沢 育三
東学大物理
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福谷 克之
東大生産研
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村田 好正
電通大
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福谷 克之
東大生研
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寺島 孝武
東学大物理
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福谷 克之
東京大学生産技術研究所
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新井 亮太郎
東学大物理
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岡田 美智雄
阪大大理化学
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寺島 孝武
東学大物理:(現)阪大産研
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岡田 美智雄
大阪大学科学教育機器リノベーションセンター
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岡田 美智雄
東大物性研
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宋 文奉
慶大理工
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和田 輝雄
東京学芸大学物理
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和田 輝雄
東学大物理
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村田 好正
電通大物理
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岩本 哲
東学大物理
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大石 陽次郎
東京学芸大学物理
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岡田 美智雄
阪大院理
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宋 文奉
東大物性研
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笠井 俊夫
大阪大学大学院理学研究科化学専攻反応物理化学研究室
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岩井 秀和
東大物性研
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村田 好正
東京大学物性研究所
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小森 文夫
東京大学物性研究所
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田代 睦
東学大物理
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角田 誠
東大物性研
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首藤 健一
東京大学・物性研究所
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金沢 育三
東京学芸大学物理
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尾崎 新
東学大物理
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小泉 知也
東京学芸大物理
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金沢 育三
東京学芸大
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盛谷 浩右
兵庫県立大学大学院工学研究科機械系工学専攻
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小泉 知也
東学大物理
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盛谷 浩右
大阪大学大学院理学研究科化学専攻
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小林 紘一
東大 原子力研総セ
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中村 真美子
阪大院理
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中條 晃伸
東学大物理
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山下 博
東大理
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山下 博
東大生産研
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伊藤 泰男
東大 原子力研総セ
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村田 好正
東京大学生産技術研究所
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野沢 清和
東京大学物性研究所
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大石 陽次郎
東学大物理
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盛谷 浩右
阪大院理
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笠井 俊夫
阪大院理
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岡田 美智雄
阪大理
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笠井 俊夫
阪大理
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小泉 知也
東学大
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金沢 育三
東学大
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野沢 清和
東大物性研
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岩本 哲
東学大・物理
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寺倉 清之
融合研
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Magkoev T.T
東大物性研
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T.T Magkoev
東大物性研
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首藤 健一
東大 物性研
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小森 文夫
東大 物性研
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服部 賢
東大 物性研
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村田 好正
東大 物性研
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村田 好正
東大・物性研
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山下 博
東京大学理学部物理学科
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辛 埴
東大物性研
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杉本 敏樹
東大生研
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伊藤 泰男
東大・原総センター
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田代 睦
東学大・物理
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小森 文夫
東大・物性研
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松本 益明
東大生研
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長谷川 幸雄
東大物性研
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田丸 謙二
山口東京理科大学教授
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田丸 謙二
山口東理大基礎工
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橋詰 富博
日立製作所基礎研究所
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小牧 研一郎
東大教養
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上田 一之
豊田工大(院)
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小牧 研一郎
東大院総合
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手塚 泰久
東大物性研
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高村 三郎
原研・物理
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櫻井 岳暁
阪大産研
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小林 紘一
東大原子力センター
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一宮 彪彦
名大工
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内田 鳩子
東京学芸大学物理
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八幡 健司
東学大物理
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水野 浩伸
東学大物理
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Herrmann Gero
電通大物理
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盛谷 浩右
阪大理
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岩本 哲
東京学芸大物理
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村田 好正
東京通信大学
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M Wilde
Ruhr-Univ.Bochum
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K Al-Shamery
Fritz-Haber Inst.
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H.J Freund
Fritz-Haber Inst.
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櫻井 岳暁
阪大理
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福谷 克之
東大生産技術研
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櫻井 岳暁
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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吉森 昭夫
岡山理科大学
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大滝 英一
東学大物理
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上田 一之
豊田工業大学 ナノハイテクリサーチセンター
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上田 一之
豊田工
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岡田 美智雄
O.R.N.L.
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阿部 浩之
東洋大工
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岡田 漱平
原研・物理
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村重 祐介
東学大物理
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寺倉 清之
融合研(jrcat)
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小林 紘一
東大原総センター
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中辻 博
京大工
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羽鳥 聡
東京大学原子力研究総合センター
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山下 博
東大原総センター
-
羽鳥 聡
東大原総センター
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平野 元久
日本電信電話(株)入出力システム研究所
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河津 璋
東大・院理・化学、東大・院工・物理工学、京大・理・化学
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朝久野 崇
東学大物理
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新上 和正
(株)ATR環境適応通信研究所
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寺倉 清之
新技団
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一宮 彪彦
名古屋大学
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服部 賢
奈良先端大
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吉森 昭夫
日本真空協会
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吉森 昭夫
岡山理科大学総合情報学部コンピュータシミュレーション学科
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桜井 利夫
東北大金研
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朝久野 嵩
東学大
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末岡 修
山口大工
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吉森 昭夫
岡山理科大学 工学部
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平野 元久
NTT境界領域研究所
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橋詰 富愽
東北大金研
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村主 学
東大物性研
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服部 賢
東大・物性研
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首藤 健一
東大・物性研
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小西 文弥
松下テクノリサーチ
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新上 和正
ATR光電波通信研究所
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宋 奉文
慶応大理工
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田丸 謙二
東京理科大学教授理学部
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村田 好正
東京大学 物性研究所
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河津 璋
東京大学 工学部
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岩澤 康裕
東京大学 大学院理学系研究科
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長谷川 修司
東京大学 大学院理学系研究科
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金子 礼三
NTT境界研
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広瀬 雅文
東大工(元住友重機)
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阿部 浩之
東海大工
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宋 文奉
慶応義塾大学理工学部
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江部 由紀
東大物性研
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宗 文奉
東大物性研
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福谷 克之
東京大学物性研究所
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金子 礼三
Nttアドバンステクノロジー(株)
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内田 鳩子
東京学芸大物理
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田丸 謙二
東京大学
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深田 啓介
東大生研
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小林 紘一
東大原子力セ
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寺島 孝武
東学大物理(現阪大産研)
著作論文
- 27pXJ-11 Pt(111)に吸着したNO分子のレーザー誘起脱離の脱離機構(27pXJ 表面ダイナミックス(金属表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 14pXF-2 低速陽電子ビームを用いた水素吸着 Ni(111) 表面の評価(表面界面ダイナミクス, 領域 9)
- 28pXM-12 陽電子誘起イオン脱離法を用いた低温金属単結晶表面実験システムの開発および評価(X線・粒子線(陽電子・コンプトン散乱))(領域10)
- 20pXB-6 Ni 表面における再放出陽電子への吸着水素の効果
- 29pXJ-14 陽電子誘起イオン脱離測定装置の評価
- 18aTH-2 陽電子誘起脱離イオン測定装置の開発
- 27pXC-10 陽電子を用いたNi表面からのイオン脱離
- 25aYK-3 陽電子誘起イオン脱離検出器の開発
- 24pPSA-47 金属表面の水素分子吸着脱離過程におけるホットアトム機構の関与
- 22pZL-7 陽電子誘起イオン脱離を用いたNi表面の研究
- 24aPS-48 Ir(001)表面上への水素吸着(II)
- 24aYA-5 陽電子誘起イオン脱離によるNi表面の評価
- 28a-XJ-9 低速陽電子によるNi表面からの陽電子誘起イオン脱離
- 31p-S-11 低エネルギー反応性イオンのPt(111)での散乱
- 29a-PS-47 Ir(001)表面上への水素吸着(I)
- 30a-YC-9 Ni表面からの陽電子刺激イオン脱離
- 金属表面の光化学過程のダイナミックス--吸着分子の解離と脱離 (光化学の基礎と先端研究--気相・液相・表面の光化学から光合成や地球環境光化学まで) -- (表面・界面の光化学)
- 8p-H-4 Pt(111)からのNOのレーザー誘起脱離における中間励起状態での吸着分子の振動状態
- 5p-B-4 Ru(0001)表面上のα-アルミナ結晶成長
- 29a-A-5 陽電子消滅誘起イオン脱離装置開発の現状
- 28p-PSB-30 Au(001)表面逆再構成と吸着塩素層
- 29p-G-1 Au(001)上での塩素の超格子構造
- 陽電子消滅誘起イオン脱離装置の開発II
- 31p-M-13 低速陽電子ビームを用いた金属多層膜Hf/Feの研究
- 1a-YA-8 Au(001)上の原子状水素の挙動
- 1a-H-9 H/Si(111)とH/W(001)へのAg蒸着と水素の拳動 : 共鳴核反応による測定
- 東大物性研における静電型低速陽電子ビームの開発
- 3p-J-11 Pt(111)-Ge表面合金層の電子構造とNO吸着
- 31p-J-10 Pt・Ge表面合金層上のNOとCOの吸着と脱離
- 29p-ZB-12 リニアックを用いた高強度低速陽電子ビーム開発と投下型再放出実験への応用
- 30a-ZF-8 Cl/Si(111)7x7 の 紫外レーザーエッチング
- 31p-PSB-48 シリコン(111)表面上に吸着した水素の光刺激による解離
- 29a-WC-5 塩素吸着シリコン (111) 表面における光照射前後の原子構造変化
- 29p-PSB-11 塩素吸着シリコン表面の光刺激脱離
- 31p-J-2 TOF-ESDによるPt(100)上の水素の振舞い
- 表面科学15年の歩み
- 13a-PS-25 STM法を用いた摩擦力の測定
- 28a-WB-8 超低速イオンビームによるK/A1(110)表面のスパッタリング
- 12a-DH-13 超低速イオンビームによるAl表面のスパッタリングIII
- 1a-YA-7 表面水素の動的ふるまい
- 31p-PSB-71 超低速イオン散乱から求めた反発ポテンシャル
- 1. 理工学利用 1. 2 表面水素の測定
- 表面構造と反応性 : 白金表面に吸着したNOのレーザー光励起過程に見られる高い反応選択性を例にして
- 30p-S-4 Pt(111)表面におけるNOのレーザー光励起過程
- 28a-S-1 真空蒸着による金属-絶縁体-金属トンネル陰極の作成
- 5a-R-3 紫外光照射によるNO/Pt(111)系でNOの解離の研究
- 5a-R-2 レーザー誘起脱離での中間励起状態の寿命の測定
- 金属表面上の分子の動的挙動を光で追う
- 28a-Z-3 塩素吸着によるAu(001)5×20 表面の構造変化
- 29p-G-2 超低速イオンビームによるA1表面のスパッタリングII
- 29p-PS-11 D_2・イオンの解離性散乱
- 29a-WC-3 反射吸収赤外分光を用いたNO/Pt(111)系での光反応の研究
- 表面反応の研究--光励起プロセスを通して
- 13a-PS-34 Pt(111)表面に吸着したCO分子の紫外光刺激脱離
- 12a-DH-8 反射吸収赤外分光を用いたCO/Pt(111)系での光刺激脱離の研究
- 表面における動的過程(第37回物性若手夏の学校(1992年度),講義ノート)
- 物性研将来計画シンポジウムに参加して
- 1a-G-10 Pt(111)表面の光刺激脱離
- 28p-Z-6 紫外レーザー照射によるPt(001)表面の仕事関数の変化
- 26p-R-1 はじめに : 表面物性の今後の発展をめざして
- 23pPSB-6 ルチル型TiO_2(110)面での水素吸着による電子状態の変化(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pXR-1 陽電子脱離イオン検出部の装置開発(25pXR X線・粒子線(陽電子消滅・コンプトン散乱),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))