片山 光浩 | 理化学研究所表面界面工学研究室
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概要
関連著者
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片山 光浩
理化学研究所表面界面工学研究室
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片山 光浩
理研
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青野 正和
理研
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青野 正和
東理大理
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青野 正和
物材機構mana
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野村 英一
新技団青野プロジェクト
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野村 英一
青野原子制御表面プロジェクト
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副島 啓義
島津製作所
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加藤 政彦
名大工
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副島 啓義
島津製作所科学計測
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副島 啓義
島津製作所2科計
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野村 英一
理研
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中山 知信
理研
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青野 正和
理化学研究所
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林 茂樹
島津製作所基盤技術研究所
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神谷 格
理研
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片山 光浩
理化学研究所
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加藤 政彦
愛媛大理
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理研
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Williams R.S.
理研
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丸井 隆雄
島津製作所京阪奈研究所
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早大理工
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Dalley R.
UCLA
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Williams R.
UCLA
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金釜 憲夫
理化学研究所
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青野 正和
理研 青野原子制御表面プロジェクト
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加藤 政彦
理研
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King B.V.
理研
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Ramstad M.
理研
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C.F McConville
Warwick大
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Chasse Thomas
理研
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丸井 隆雄
島津製作所
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川合 真紀
理化学研究所
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川合 真紀
理研
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川合 真紀
理化学研究所:東大新領域
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渡邉 聡
東大院工
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渡邉 聡
東京大学大学院工学系研究科材料学専攻
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渡邊 聡
東大院工
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加藤 政彦
愛大理
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東大理
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島津製作所
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三田村 茂宏
島津製作所
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渡辺 一之
島津製作所
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King B.
Newcastle大
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金釜 憲夫
理研
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東理大理
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小笠原 寛人
理研
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岸本 次郎
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橋詰 富博
東北大金研
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桜井 利夫
東北大金研
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Williams R.S.
UCLA
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山崎 壮一
東北大金研
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片山 光浩
東理大理
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塚越 幹朗
東理大理
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Jeon D.
Myon Ji Univ.
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池上 浩
名大工
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長谷川 高陽
愛大理
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井上 直樹
愛大理
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渡邉 聡
青野原子制御表面プロジェクト
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青野 正和
青野原子制御表面プロジェクト
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加藤 政彦
理化学研究所
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Department of Physics, MIT.
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慶大理工
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理研
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Warwick大
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小笠原 寛人
ストックホルム大学物理学科
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渡辺 一之
都立高専
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白石 明
理研
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白石 明
理化学研究所
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笹本 哲司
理化学研究所
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野村 英一
理化学研究所
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新岡 勇三
理化学研究所
著作論文
- 30p-BPS-26 同軸型直衝突イオン散乱分光装置(CAICISS)の開発とその応用
- 31a-T-1 CAICISSにおけるイオンと中性原子の加速管による分離
- 5p-W-6 CaF_2/Si(111)界面におけるCaSi_2の構造と形成過程のCAICISSによる研究
- 5p-W-5 CAICISSによる表面およびバルクの構造解析
- 29a-P-10 同軸型直衝突イオン散乱分光(CAICISS)の分光器の設計と製作
- イオンビーム利用の基礎と現状 IV. イオンビームアナリシス 8. 同軸型直衝突イオン散乱スペクトロメトリ
- 4a-YD-5 原子層単位で形成されたSrCuO_2薄膜の表面及び基板との界面の状態
- 12p-DJ-11 CAICISS・FI-STMによるSi(111)-3x1K表面構造
- 25p-L-1 イオンビームによって反跳された吸着原子の挙動
- 同軸型直衝突イオン散乱分光法(CAICISS)
- 29p-BPS-54 表面金属クラスターの形成と分解のCAICISSによる時間分解観察
- 27p-R-13 Si(111)√×√-Ag表面の電子状態とSTM像の理論計算
- 24a-PS-37 Si(111)√×√-Ag表面上への原子吸着のCAICISSによる研究
- 24a-PS-4 CAICISSによるイオンの中性化確率の3次元空間分布測定
- イオン散乱分光と表面構造の動的観察 (キャラクタリゼ-ション技術の新しい展開--ナノ-サブナノ領域材料評価技術)
- 4P-E-4 CAICISSによる表面・界面の構造解析
- 4a-ps-40 CaF/Si(111)のT、T_4、H_3サイト構造モデルの比較検討 : CAICISSによる定量解析
- 4a-PS-39 Si(111)√3x√3-Ag構造におけるAg原子の位置 : CAICISSによる定量解析
- 4a-PS-38 Si(111)表面上のAgのエピタキシャル成長における拡散と核発生
- 30a-TA-10 Ag/Si(111)エピタキシャル成長初期過程のCAICISSによるリアルタイム追跡
- 31p-S-3 Si(001)表面上のGe成長におけるサーファクタント被覆率依存性
- 29a-WB-5 CaF/Si(111) の成長と欠陥形成の機構 : STMによる観察
- 15a-DJ-7 Si(111)1x1-CaF表面におけるSTM観察
- 30p-G-10 Si(001)表面上のGeのサーファクタント媒介エピタキシー : CAICISSによるリアルタイム観察・制御
- 27a-ZS-7 Si(111)金属吸着表面上のGe成長 : CAICISSによるリアルタイム追跡
- 6a-B4-12 CaF2(111)表面の欠陥の構造と化学状態
- 6a-B4-11 Si(111)-√3×√3Ag表面の構造のCAICISSによる研究
- 単原子層の原子構造
- 29a-P-9 同軸型直衝突イオン散乱分光(CAICISS) : 新しい材料表面・界面評価法
- 6a-C4-6 CAICISSによる無秩序表面の研究
- 電解研磨ステンレス鋼XHV (極高真空) 槽の試作 (I)
- 新しい材料表面・界面評価法-同軸型直衝突イオン散乱分光法 (CAICISS)