青野 正和 | 理化学研究所
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概要
関連著者
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青野 正和
理化学研究所
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青野 正和
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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小林 中
金沢工大 工
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櫻井 亮
物材機構MANA
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櫻井 亮
理化学研究所表面界面工学研究室
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櫻井 亮
理化学研究所
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小林 中
新技術事業団 青野原子制御表面プロジェクト
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青野 正和
物材機構mana
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青野 正和
理研
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片山 光浩
理化学研究所表面界面工学研究室
-
Grey F
新技術事業団青野原子制御表面プロジェクト
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中山 知信
理化学研究所表面界面工学研究室
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Thirstrup C.
Vir-tech
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片山 光浩
理化学研究所
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Grey F
新技術事業団 青野原子制御表面プロジェクト
-
Grey F.
新技術事業団 青野原子制御表面プロジェクト
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Snyder E.
新技術事業団 青野原子制御表面プロジェクト
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奥田 太一
東大物性研
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青野 正和
東理大理
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喬 山
理化学研究所表面界面工学研究室
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野村 英一
青野原子制御表面プロジェクト
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大川 祐司
物材機構MANA
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GREY Francois
デンマーク工科大学マイクロエレクトロニクスセンター
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Grey F
デンマーク工科大学マイクロエレクトロニクスセンター
-
根城 均
新技術事業団
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呉 章華
理化学研究所表面界面工学研究室
-
大川 祐司
理化学研究所表面界面工学研究室
-
奥田 太一
理化学研究所表面界面工学研究室
-
THIRSTRUP Carsten
理化学研究所表面界面工学研究室
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CARSTEN Thirstrup
理化学研究所表面界面工学研究室
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後藤 栄一郎
理化学研究所
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新岡 勇三
理化学研究所大型放射光計画推進本部
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加藤 茂樹
理化学研究所
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白石 明
理化学研究所
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笹本 哲司
理化学研究所
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内田 裕久
新技術事業団青野原子制御プロジェクト
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HUANG De-Huan
新技術事業団青野原子制御プロジェクト
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GREY Francois
新技術事業団青野原子制御プロジェクト
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青野 正和
新技術事業団青野原子制御表面プロジェクト
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吉信 淳
理化学研究所表面界面工学研究室
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小林 中
新事業団 青野原子制御表面プロジェクト
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Grey F
新事業団 青野原子制御表面プロジェクト
-
F Grey
新技術事業団青野原子制御表面プロジェクト
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原 正彦
理化学研究所
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吉澤 正人
岩手大学工学部
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山口 一郎
理化学研究所
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吉本 則之
岩手大院工
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加藤 政彦
名大工
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内田 裕久
豊橋技術科学大学
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内田 裕久
豊橋技科大
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渡部 秀
理化学研究所
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吉本 則之
岩手大学工学部
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桑原 祐司
理研
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島 弘志
通産省工業技術院
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増沢 隆久
東京大学生産技術研究所
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副島 啓義
島津製作所
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馬場 吉康
日造精密研磨株式会社
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山崎 敬久
理化学研究所
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野村 英一
新技団青野プロジェクト
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河野 彰夫
理化学研究所
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姜 春生
Texas大
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根城 均
日本IBM
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根城 均
物質材料研究機構
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根城 均
物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
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根城 均
金材技研
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金釜 憲夫
理化学研究所
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飯田 詢
アマダ
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島 弘志
科学技術庁
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比屋根 正雄
富士通研究所
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中沢 弘
早稲田大学
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加藤 政彦
理化学研究所
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青野 正和
阪大工:物材研機構
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青野 正和
無機材質研究所
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左右田 龍太郎
無機材質研究所
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橋本 克之
理化学研究所
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羹 春生
理化学研究所表面界面工学研究室
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CHUN-SHENG Jiang
理化学研究所表面界面工学研究室
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SHAN Qiao
理化学研究所表面界面工学研究室
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ZANG-HUA Wo
理化学研究所表面界面工学研究室
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小林 峰
理化学研究所
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Thirstrup C
Vir-Tech.
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Thirstrup C.
理化学研究所
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Thirstrup C
理化学研究所
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青野 正和
無機材質研
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比屋根 正雄
(株)富士通研究所
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DORENBOS Gert
理化学研究所
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根城 均
新技術事業団青野原子制御表面プロジェクト
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白石 明
理研
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矢田 雅規
理化学研究所
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塩田 哲夫
東京理科大理工
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尾崎 元美
日本電機株式会社
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野村 英一
理化学研究所
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Jiang Chun-Sheng
理化学研究所表面界面工学研究室
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小林 中
青野原子制御表面プロジェクト
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内田 裕久
青野原子制御表面プロジェクト
-
根城 均
青野原子制御表面プロジェクト
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新岡 勇三
理化学研究所
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佐藤 憲二
日造精密研磨 (株)
-
馬場 吉康
日造精密研磨 (株)
著作論文
- 12p-DH-7 Si(001)2×1表面上の欠陥周辺からの異方的な電界蒸発
- 30p-H-2 STMにおけるSi(001)2×1表面からの電界蒸発
- 原子単位での加工とその機構(「超」を実現するテクノロジー)
- 28a-Y-8 STMにおける電界蒸発の機構
- 28a-Y-6 STMによる電界イオン放出の理論
- 30p-ZF-4 STMにおける電界蒸発と表面加工 II
- 27p-E-6 STMにおける電界蒸発と表面加工
- 日本の基礎研究はこれからどうなるか(これからの日本の基礎研究)
- イオンビーム利用の基礎と現状 IV. イオンビームアナリシス 8. 同軸型直衝突イオン散乱スペクトロメトリ
- 4a-PS-39 Si(111)√3x√3-Ag構造におけるAg原子の位置 : CAICISSによる定量解析
- 表面におけるドミノ倒し現象 : STM誘起連鎖重合反応
- 連鎖重合反応のナノスケール制御による導電性分子ワイヤーの作成
- ナノスケールの物性や機能をどう測るか -ナノ構造の「構築」から「計測」へ-
- 走査プローブ法によるリソグラフィーの方向性-ナノ構造の構築からその物性や機能の計測へ-
- 液晶分子を用いたクーロンブロケイド : 単一電子トランジスター
- 液晶分子における常温での単一電子トンネリング
- 514 渦電流法による異材接合界面の微小部電気抵抗測定
- 23aW-12 水素終端Si(001)表面のナノ構造からのSTM発光
- シリコンダングリングボンドからなるナノ構造のSTM誘起発光
- STMリソグラフィーによるシリコンダングリングボンド細線の形成とその修飾
- 水素終端Si(001)表面からのSTMによる水素脱離II
- 1a-YA-3 水素終端Si(100)表面からのSTMによる水素脱離
- 原子のマニピュレーション(トピックス, あんてな)
- 表面計測技術
- 表面解析装置への利用 : 真空を物質解明に利用する
- 低速イオンの固体表面における電荷交換
- 直衝突イオン散乱法 (ICISS)
- 中エネルギー同軸型直衝突イオン散乱分光装置(ME-CAICISS) : 特性と今後の展望
- 電解研磨ステンレス鋼XHV (極高真空) 槽の試作 (I)
- 有機導体β-(ET)_2I_3表面ステップの安定性と走査トンネル顕微鏡探針による分子除去
- 電解研磨および電解複合研磨処理によるステンレス鋼真空槽のガス放出特性
- イオン散乱法 (ISS)
- 走査トンネル顕微鏡 (STM) による表面原子像観察と探針材質
- 新しい材料表面・界面評価法-同軸型直衝突イオン散乱分光法 (CAICISS)
- アトムクラフト (原子層制御から原子制御へ)
- 室温排気の試験容器における極高真空の発生 (極高真空シンポジュ-ムプロシ-ディングス)