小林 中 | 金沢工大 工
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概要
関連著者
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小林 中
金沢工大 工
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小林 中
新技術事業団 青野原子制御表面プロジェクト
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青野 正和
理化学研究所
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青野 正和
理研
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Grey F
新技術事業団青野原子制御表面プロジェクト
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青野 正和
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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GREY Francois
デンマーク工科大学マイクロエレクトロニクスセンター
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Grey F
デンマーク工科大学マイクロエレクトロニクスセンター
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Grey F
新技術事業団 青野原子制御表面プロジェクト
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Grey F.
新技術事業団 青野原子制御表面プロジェクト
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Snyder E.
新技術事業団 青野原子制御表面プロジェクト
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内田 裕久
新技術事業団青野原子制御プロジェクト
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HUANG De-Huan
新技術事業団青野原子制御プロジェクト
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GREY Francois
新技術事業団青野原子制御プロジェクト
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吉信 淳
理化学研究所表面界面工学研究室
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青野 正和
物材機構mana
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内田 裕久
豊橋技科大
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青野 正和
新技術事業団青野原子制御表面プロジェクト
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HUANG Du
新技術事業団青野原子制御表面プロジェクト
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小林 中
新事業団 青野原子制御表面プロジェクト
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Grey F
新事業団 青野原子制御表面プロジェクト
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F Grey
新技術事業団青野原子制御表面プロジェクト
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内田 裕久
豊橋技術科学大学
著作論文
- 28a-S-3 電界蒸発の閾値に及ぼすSTM短針先端の幾何学的形状の効果
- 12p-DH-7 Si(001)2×1表面上の欠陥周辺からの異方的な電界蒸発
- 30p-H-2 STMにおけるSi(001)2×1表面からの電界蒸発
- 原子単位での加工とその機構(「超」を実現するテクノロジー)
- 走査トンネル顕微鏡における探針と Si 表面との相互作用およびその原子操作への応用
- 28a-Y-8 STMにおける電界蒸発の機構
- 28a-Y-6 STMによる電界イオン放出の理論
- 30p-ZF-4 STMにおける電界蒸発と表面加工 II
- 27p-E-6 STMにおける電界蒸発と表面加工
- STMにおける試料と探針からの電界蒸発 (走査プロ-ブ顕微鏡の最前線)