Grey F | 新技術事業団青野原子制御表面プロジェクト
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概要
関連著者
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Grey F
新技術事業団青野原子制御表面プロジェクト
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小林 中
金沢工大 工
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GREY Francois
デンマーク工科大学マイクロエレクトロニクスセンター
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Grey F
デンマーク工科大学マイクロエレクトロニクスセンター
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小林 中
新技術事業団 青野原子制御表面プロジェクト
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青野 正和
理化学研究所
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内田 裕久
新技術事業団青野原子制御プロジェクト
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GREY Francois
新技術事業団青野原子制御プロジェクト
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Grey F
新技術事業団 青野原子制御表面プロジェクト
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内田 裕久
豊橋技科大
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青野 正和
理研
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HUANG De-Huan
新技術事業団青野原子制御プロジェクト
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青野 正和
新技術事業団青野原子制御表面プロジェクト
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吉信 淳
理化学研究所表面界面工学研究室
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青野 正和
物材機構mana
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内田 裕久
豊橋技術科学大学
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青野 正和
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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HUANG Du
新技術事業団青野原子制御表面プロジェクト
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小林 中
新事業団 青野原子制御表面プロジェクト
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Grey F
新事業団 青野原子制御表面プロジェクト
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渡邉 聡
東大院工
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渡邉 聡
東京大学大学院工学系研究科材料学専攻
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渡邊 聡
東大院工
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渡邉 聡
新技術事業団青野原子制御表面プロジェクト
著作論文
- 原子単位での加工とその機構(「超」を実現するテクノロジー)
- 走査トンネル顕微鏡における探針と Si 表面との相互作用およびその原子操作への応用
- 28a-Y-8 STMにおける電界蒸発の機構
- 28a-Y-6 STMによる電界イオン放出の理論
- 30p-ZF-4 STMにおける電界蒸発と表面加工 II
- STMにおける試料と探針からの電界蒸発 (走査プロ-ブ顕微鏡の最前線)
- Si (111) 7×7表面のSiアドアトムの結合エネルギーの差 : STMを用いた実験と理論計算による解析