29pYB-1 半導体界面における格子不整合歪みの表面構造への影響と構造緩和(29pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
Ge/Si(105)表面の原子間力顕微鏡観察
-
28pWP-2 Ge/Si(105)-2×1表面の高分解能AFM観察(表面界面構造(半導体))(領域9)
-
24aYH-3 ニホウ化ジルコニウム薄膜を介在したシリコン上の窒化ガリウム成長(24aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
27pYH-2 有機薄膜成長における分子の異方性と結晶成長機構(有機分子・半導体・その他,領域9,領域7合同,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
01aD05 H-Si(111)表面上でのペンタセン薄膜結晶の低速電子顕微鏡観察II : ドメイン構造の生成機構(バイオ・有機(1),第36回結晶成長国内会議)
-
01aD04 H-Si(111)表面上で成長するペンタセン薄膜結晶の低速電子顕微鏡観察I : エピタキシャル構造(バイオ・有機(1),第36回結晶成長国内会議)
-
31aWD-9 Ge/Si(105)1×2 のリボンデッド S_B ステップ・モデル
-
シリコン表面上の半金属Bi超薄膜の同素変態
-
22aTB-9 ボトムコンタクトFETにおける電極 : ペンタセン界面の接合形態と輸送特性(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
-
26aYC-6 ペンタセン超薄膜のモルフォロジー変化のLEEMによるin-situ観測(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
26pXD-5 高分解能低速電子線回折による半金属Biナノ薄膜の構造相転移観察(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
28pPSB-38 Bi(001) エピタクシャル超薄膜の構造安定性及び表面融解メカニズム
-
半導体表面とペンタセン薄膜間の界面形成過程の微視的構造観察
-
22aXA-8 エネルギー分析型LEEMを用いた銀表面の顕微分光(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
窒化物半導体薄膜の走査プローブ顕微鏡による微視的評価
-
エピタキシャルZrB_2薄膜を介在したシリコン基板における単一極性GaN薄膜の成長(最近の研究から)
-
29pYB-1 半導体界面における格子不整合歪みの表面構造への影響と構造緩和(29pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
半導体ナノ構造の構成要素としての表面構造 : 高指数表面の研究を通じて(最近の研究から)
-
半導体ヘテロ構造における表面・界面歪み制御
-
Adsorption of Fluorinated C_ on the Si(111)-(7 × 7) Surface Studied by Scanning Tunneling Microscopy and High-Resolution Electron Energy Loss Spectroscopy(Surfaces, Interfaces, and Films)
-
26aXK-6 ビスマス薄膜相の成長制御とその場電気伝導測定(26aXK 表面界面電子物性・トポロジカル,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
26aKF-8 Spin mixing conductance at a well-controlled platinum/yttrium iron garnet interface
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク