成長過程において生じる歪みによる組成的過冷却と多結晶化(半導体結晶成長II)

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概要

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• When a crystal is strained during growth from a solution, the solution in the vicinity of interface is supersaturated. Based on the fact, we proposed the model of poly-crystallization due to strain during solution growth. According to our model, strain free crystals nucleate heterogenerously on the strained crystal and consequently poly-crystallization occurs. The results of Monte Carlo simulations support the model of the poly-crystallization due to strain.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2003-07-05

著者

• 中嶋 一雄

  東北大金研

• 佐崎 元

  東北大金研

• 宇佐美 徳隆

  東北大学金属材料研究所

• 宇佐美 徳隆

  東北大金研

• 宇治原 徹

  名古屋大学工学部

• 宇治原 徹

  東北大金研

• 藤原 航三

  東北大金研

• 藤原 航三

  東北大学金属材料研究所

• 我妻 幸長

  東北大金研

• 宇治 原徹

  名大院・工

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