池田 進 | 東大院新領域
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概要
関連著者
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池田 進
東大院新領域
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池田 進
東北大 理GCOE
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池田 進
高エネルギー研
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斉木 幸一朗
東大 新領域
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斉木 幸一朗
東大院新領域
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斉木 幸一朗
東大院理
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吉川 元起
東北大金研
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霍間 勇輝
東大院新領域
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吉川 元起
東北大学金属材料研究所
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吉川 元起
東京大学大学院理学系研究科
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島田 敏宏
東京大学大学院理学系研究科
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島田 敏宏
東大院理
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Shimada T
National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology (aist)
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宮寺 智彦
東大理
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宮寺 哲彦
理研
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嘉治 寿彦
東北大金研
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嘉治 寿彦
東大院理
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和田 恭雄
東洋大学バイオ・ナノエレクトロニクス研究センター
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吉川 元起
東大院理
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金森 由男
東大院理
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園谷 志郎
東大新領域
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圓谷 志郎
東大院新領域
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和田 恭雄
早大ナノテク研
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圓谷 志郎
物質・材料研究機構
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宮寺 哲彦
東大院理
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筒井 謙
東洋大学バイオ・ナノエレクトロニクス研究センター
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小幡 誠司
東大院理
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筒井 謙
早大ナノテク研
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寺嶋 和夫
東大院新領域
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山川 秀充
東大院新領域
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寺嶋 和夫
東京大学大学院新領域創成科学研究科物質系専攻
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和田 恭雄
東洋大 学際・融合
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木口 学
東工大院理工
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櫻井 利夫
東北大金研
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藤川 安仁
東北大金研
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桜井 利夫
東北大wpi
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櫻井 利夫
東北大学金属材料研究所
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森 朋彦
豊田中研
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菊澤 良弘
豊田中研
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竹内 久人
豊田中研
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江面 知彦
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
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白山 和久
東大院新領域
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佐々木 岳彦
東大院新領域
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福辻 貴也
東大院新領域
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齋木 幸一朗
東大理
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Al-Mahboob A.
東北大金研
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伊藤 義泰
リガク
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サドウスキー J.
東北大金研
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江面 知彦
早大ナノテク研
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稲葉 克彦
リガク
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Sadowski Jerzy
東北大金研
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木口 学
東大院新領域
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アルマフーブ A.
東北大金研
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櫻井 利夫
東北大学際センター
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稲葉 克彦
株式会社リガク
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薬袋 祐介
東大院新領域
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佐々木 岳彦
東大新領域
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宮副 裕之
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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三成 剛生
物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
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小間 篤
東大院理
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青柳 克信
立命館大学coe推進機構
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青柳 克信
東工大総合理工学:crest(jst)
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青柳 克信
理化学研究所
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宮寺 哲彦
東大理
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塚越 一仁
産総研:crest(jst)
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小間 篤
Department Of Chemistry The University Of Tokyo
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薬袋 裕介
東大院新領域
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Sadowski J.
東北大金研
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山本 麻由
東大院新領域
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塚越 一仁
物材機構:産総研ナノテクノロジー:理研
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伊藤 裕美
理化学研究所
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宮副 裕之
東大院新領域
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飯泉 謙一
東大院新領域
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三成 剛生
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宮寺 哲彦
理化学研究所
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塚越 一仁
理化学研究所
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和田 恭雄
東洋大院学際・融合
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AL-MAHBOOB Abdullah
東北大金研
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青柳 克彦
理研フロンティア
著作論文
- 21aRB-8 ヘキサベンゾコロネン誘導体薄膜の形態と電界効果トランジスタ特性(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26aYF-9 ヘキサベンゾコロネン誘導体電界効果トランジスタ特性の温度依存性(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 18pRG-12 カーボンナノウォールの作製と電子状態(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aRB-1 ペンタセンFETにおける気体分子吸着効果(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 25aYC-11 有機グラフォエピタキシーの基板依存性から見たその成長機構(25aYC ナノチューブ・ナノワイヤ・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pXJ-9 人工周期構造を持つ熱酸化シリコン基板上におけるsexithiopheneの面内選択配向成長(28pXJ 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pTG-6 電子線照射によるC_FETの特性変化(有機FET・フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aRJ-10 ペンタセン薄膜トランジスタの過渡応答の起源とバイアスストレス(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 31aZE-7 Cu(110) 表面上ペンタセン薄膜の構造と電子状態
- 21aRB-7 グラフォエピタキシーによって面内配向制御した有機FETの特性評価(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aRJ-12 グラフォエピタキシーによる有機半導体薄膜の配向制御とFETへの応用(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 28pRC-5 AlPcCl薄膜のin situ FET特性(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aXA-10 有機薄膜トランジスタの膜厚依存性と電界効果電荷注入(有機FET,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pYK-7 有機薄膜トランジスタ断面の電位分布からみた電界効果電荷注入(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTB-9 ボトムコンタクトFETにおける電極 : ペンタセン界面の接合形態と輸送特性(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aRB-2 周波数応答測定を用いたペンタセンFETの半導体・電極間の接触抵抗の評価(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aXK-1 CVD法により成長したカーボンナノウォールの電子分光(ナノチューブ・ナノワイヤ,表面ナノ構造量子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aRJ-7 真性有機半導体の電荷極性について(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aRJ-11 ペンタセンFETの検索インピーダンス解析II(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pRJ-1 ペンタセン薄膜における表面形態とFET特性の相関(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26aYC-4 ペンタセン薄膜における自発的凝集過程の解析(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aYC-6 ペンタセン超薄膜のモルフォロジー変化のLEEMによるin-situ観測(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pRC-6 有機薄膜のin-situ AFM・FET測定 : 大気暴露による影響の評価(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pRC-4 有機薄膜トランジスタの過渡現象における時定数の評価(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aXA-7 C_-金属薄膜におけるin-situ電気伝導度測定(フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aXA-1 有機薄膜トランジスタの複素インピーダンスIII(有機FET,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aYF-10 ペンタセンFETの複素インピーダンス解析(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pRC-3 C_FETの揮発性有機分子吸着効果(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aYF-9 C_薄膜電気伝導度の膜厚依存性に観察されるピークについて(24aYF フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aTG-10 Pt(111)上に作製したナノグラフェンのSTM観察(ナノチューブ・ナノワイヤー,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27pZP-3 ケルビンプローブフォース顕微鏡による有機薄膜トランジスタ断面の電位分布測定(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)
- 27pZP-3 ケルビンプローブフォース顕微鏡による有機薄膜トランジスタ断面の電位分布測定(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)