飯泉 謙一 | 東大院新領域
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概要
関連著者
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飯泉 謙一
東大院新領域
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小間 篤
Department Of Chemistry The University Of Tokyo
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小間 篤
東大院理
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飯泉 謙一
東大院理
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上野 啓司
埼玉大理
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上野 啓司
東大院理
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Ueno K
Ulsi Device Development Laboratories Nec Corporation
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斉木 幸一朗
東大院創域
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東大院新領域
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島田 敏宏
東大院理
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東大理
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城田 はまな
東大院理
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斉木 幸一郎
東大院創域
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小間 篤
東大理
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創域
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斉木 幸一朗
東大・理
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東大・理
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飯泉 謙一
東大理
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飯泉 謙一
東大・理
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上野 啓司
東大・理
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三谷 洋興
北陸先端大
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岩佐 義宏
北陸先端大
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三谷 忠興
北陸先端大
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内野 康訓
東大院理
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稲田 康平
北陸先端大
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永井 清恵
北陸先端大
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斉木 幸一朗
東大院理
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上野 啓司
埼玉大院理工
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宮寺 智彦
東大理
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小間 篤
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
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中原 伴徳
東大院理
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Dai Z.R.
Univ.Washington
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大内 二三夫
Univ.Washington
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宮寺 哲彦
理研
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池田 進
東大院新領域
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小間 篤
東京大学大学院理学系研究科
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木口 学
東大院新領域
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小間 篇
東大院理
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Sokolov N.s.
Ioffe研
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宮寺 哲彦
東大院理
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飯泉 謙一
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
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内野 康則
東大院理
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上野 哲司
東大院理
著作論文
- 25aS-4 La@C_薄膜の電子エネルギー損失スペクトル
- 24pPSA-24 Bilayer-GaSe終端Si(111)基板の表面構造解析と薄膜成長への応用
- 22aWA-7 C_/Si(111)系におけるC(1s)内殻励起スペクトル
- 22aW-5 (C_,K)/Si(111)系の電子エネルギー損失スペクトル
- 26aPS-34 Si基板上へのGa_2Se_3薄膜のエピタキシャル成長と電子分光測定
- 26aPS-13 Si(111)-√x√Ag表面上に作製したC_単層膜の高分解能電子エネルギー損失スペクトル
- 24aZ-6 Si(111)-7×7および(100)-2×1表面上に作製したC_単層膜の電子エネルギー損失スペクトル
- 24aPS-22 異種原子終端Si(111)基板に吸着したC_
- 31aZE-7 Cu(110) 表面上ペンタセン薄膜の構造と電子状態
- 19aTF-12 メチル終端Si(111)表面の電子分光
- 19aRH-3 (C_, In)/Si(111)系における電子状態
- 28a-YC-13 CdF_2の電子エネルギー損失スペクトル
- MF_2(M=Mn, Fe, Co, Ni)の電子エネルギー損失スペクトル
- OME2000-50 金属内包フラーレンのエピタキシャル成長と電子状態
- 24aF-11 KドープC_薄膜の内殻励起電子エネルギー損失スペクトル
- 31a-S-12 不活性基板表面上に成長したC-単層膜の電子エネルギー損失スペクトル
- 27a-PS-64 層状物質基板上エピタキシャルC_薄膜の構造解析
- 25pPSB-17 Cu(100)上に作製したC_60薄膜の構造と電子状態(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))