小間 篤 | Department Of Chemistry The University Of Tokyo
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概要
関連著者
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小間 篤
Department Of Chemistry The University Of Tokyo
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小間 篤
東大院理
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上野 啓司
埼玉大理
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上野 啓司
東大院理
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Ueno K
Ulsi Device Development Laboratories Nec Corporation
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斉木 幸一朗
東大院創域
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飯泉 謙一
東大院新領域
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木口 学
東工大院理工
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飯泉 謙一
東大院理
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小間 篤
東大理
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Noya Atsushi
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Kitami Institute Of Techn
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Takeyama Mayumi
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Kitami Institute Of Techn
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木口 学
東大院創域
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TAKEYAMA Mayumi
Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Kitami Institute of Tec
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NOYA Atsushi
Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Kitami Institute of Tec
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Maniruzzaman Md.
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Kitami Institute Of Techn
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斉木 幸一朗
東大院理
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木口 学
東大新領域
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小間 篤
東大・理
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Takeyama Mayumi
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Kitami Institute Of Techn
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斉木 幸一朗
東大理
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KOMA Atsushi
Department of Chemistry, The University of Tokyo
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SAIKI Koichiro
Department of Chemistry, The University of Tokyo
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片山 正士
東大院理
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斉木 幸一朗
創域
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Hayasaka Yuichiro
Institute For Materials Research Tohoku University
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AOYAGI Eiji
Institute for Materials Research, Tohoku University
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Aoyagi Eiji
Institute For Materials Research Tohoku University
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島田 敏宏
東大院理
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小間 篤
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
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小間 篤
東京大学大学院理学系研究科
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井上 宏昭
東大院理
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西田 晃一
東大院理
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吉川 元起
東大院理
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KIGUCHI Manabu
Department of Complexity Science and Engineering, The University of Tokyo
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斉木 幸一朗
東大院新領域
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西田 晃一
東大理
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河野 孝臣
東大理
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斉木 幸一朗
東大・理
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上野 啓司
東大・理
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Saiki Koichiro
Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering The University Of Tokyo
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Koma Atsushi
Department Of Applied Physics University Of Tokyo
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UENO Keiji
Department of Chemistry, Faculty of Engineering, Gunma University
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後藤 貴之
上智大理工
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後藤 貴之
東大院理
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池田 進
東大新領域
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上野 啓司
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
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城田 はまな
東大院理
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中原 伴徳
東大院理
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林 利行
東大院理
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斉木 幸一郎
東大院創域
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吉川 元起
東北大金研
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上野 啓司
東大理
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島田 敏宏
東大・理
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吉川 元起
東北大学金属材料研究所
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吉川 元起
東京大学大学院理学系研究科
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市川 央
東大院理
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飯泉 謙一
東大・理
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Sato Masaru
Department of Oral Pathology, Asahi University School of Dentistry
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OHSUNA Tetu
Institute for Materials Research, Tohoku University
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上牟田 雄一
東大・理
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Ohsuna Tetu
Institute For Materials Research Tohoku University
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Sato Masaru
Department Of Applied Chemistry School Of Advanced Science And Engineering Faculty Of Science And En
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Sato Masaru
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Kitami Institute Of Techn
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Noya Atsushi
Institute for Materials Research, Tohoku University
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寺崎 一郎
早大理工
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牧野 淳一郎
国立天文台
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山本 文子
理研
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胡 尉之
超電導工研
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山本 文子
超電導工研
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田島 節子
超電導工研
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三谷 洋興
北陸先端大
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岩佐 義宏
北陸先端大
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岡 良隆
東大・理・動物
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岡 良隆
東京大学大学院理学系研究科
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岡 良隆
東大・院・理・附属臨海実験所
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山本 文子
Jst-trip:理研
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三谷 忠興
北陸先端大
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内野 康訓
東大院理
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稲田 康平
北陸先端大
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永井 清恵
北陸先端大
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内山 裕士
理研播磨研:spring-8 Jasri
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胡 尉之
理研
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井上 宏昭
東大院創域
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宮寺 智彦
東大理
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園谷 志郎
東大新領域
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斉木 幸一朗
東大新領域
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斉木 幸一朗
東京大学大学院 新領域創成科学研究科 複雑理工学専攻
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内山 裕士
超電導工研
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KATAYAMA Masao
Department of Chemistry, The University of Tokyo
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上野 啓司
埼玉大学理学部基礎化学科
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Dai Z.R.
Univ.Washington
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大内 二三夫
Univ.Washington
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HASEGAWA Hideki
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University
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宮寺 哲彦
理研
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Shimada Toshikazu
Electronics Research Laboratory Nissan Motor Co. Ltd.
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池田 進
東大院新領域
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圓谷 志郎
物質・材料研究機構
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Arita R
Department Of Applied Physics University Of Tokyo:crest Jst
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笹木 敬司
北海道大学電子科学研究所
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千秋 智彦
東大院理
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圓谷 志郎
東大院創域
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宮寺 哲彦
東大院理
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木口 学
東大院創成
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斉木 幸一朗
東大院創成
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片山 正士
東大理
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飯泉 謙一
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
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内野 康則
東大院理
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上野 哲司
東大院理
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橋本 玲
東大院理
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SHIMADA Toshihiro
PRESTO, Japan Science and Technology Corporation and The University of Tokyo, Department of Chemistr
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SASAKI Kentaro
Department of Chemistry, The University of Tokyo
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YAMAMOTO Yoshiro
Department of Chemistry,The University of Tokyo
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CHIAKI Tomohiko
Department of Chemistry, Graduate School of Science, University of Tokyo
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磯部 寛之
東北大 大学院理学研究科
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斉木 幸一郎
東大創域
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林 利行
東大・理
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Shimada T
Presto Japan Science And Technology Corporation (jst) And Department Of Chemistry The University Of
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Ueno Keiji
Department Of Chemistry Faculty Of Engineering Gunma University
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村田 元
東大理
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Kiguchi Manabu
Department Of Chemistry Graduate School Of Science And Engineering Tokyo Institute Of Technology
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Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc
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Takeyama Mayumi
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Kitami Institute Of Techn
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木口 学
東入院創域
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斉木 幸一朗
東入院創域
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Shimada Toshihiro
Prest Japan Science And Technology Corporation (jst)
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Yamamoto Yoshiro
Department Of Chemistry The University Of Tokyo
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市川 央
東大・理
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島田 敏広
東大・理
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Hasegawa Hideki
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, North 13, West 8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, Japan
著作論文
- 25aS-4 La@C_薄膜の電子エネルギー損失スペクトル
- 19pPSB-23 絶縁体薄膜/金属単結晶界面のバンドアライメント
- 28aYQ-1 MgO(100)/Ag(100)界面の構造及び電子状態
- Scanning Tunneling Microscopy and Spectroscopy Study of LiBr/Si(001) Heterostructure
- 表面不活性化シリコン基板上における異方的有機薄膜成長
- 31aWD-13 LiBr 超薄膜の STM 観察
- 表面不活性基板を利用した有機・無機ナノ構造の形成(ナノ結晶)
- 29pPSA-31 Bilayer-GaSe終端Si(111)表面のSTM観察
- 層状物質基板
- 24pPSA-28 Bilaye-GaSe上に形成したGa量子ドットの電子分光
- 24pPSA-24 Bilayer-GaSe終端Si(111)基板の表面構造解析と薄膜成長への応用
- 22aWA-7 C_/Si(111)系におけるC(1s)内殻励起スペクトル
- 23aT-6 MoS_2基板上III-VI層状化合物半導体超薄膜の成長機構
- 22aW-5 (C_,K)/Si(111)系の電子エネルギー損失スペクトル
- 26aPS-34 Si基板上へのGa_2Se_3薄膜のエピタキシャル成長と電子分光測定
- 26aPS-13 Si(111)-√x√Ag表面上に作製したC_単層膜の高分解能電子エネルギー損失スペクトル
- 24aZ-6 Si(111)-7×7および(100)-2×1表面上に作製したC_単層膜の電子エネルギー損失スペクトル
- 研究紹介
- 研究ニュース
- Metal-induced gap states at well defined alkali-halide/metal interfaces.
- 31pWD-6 金属上に成長したオリゴチオフェンの構造および電子状態 II
- 31pWD-5 金属上に成長したオリゴチオフェンの構造および電子状態 I
- 31aZE-7 Cu(110) 表面上ペンタセン薄膜の構造と電子状態
- 28pPSB-21 アルカリハライド/金属界面の構造と電子状態
- Dynamic and Static Disorder of Alkali Halide Solid Solutions studied by Temperature-dependent Extended X-Ray-Absorption Fine Structure
- 19pWD-4 金属単結晶基板上のアルカリ-ハライドのエピタキシャル成長
- 19pWD-3 複合ヘテロ構造によるGaAs(001)基板上へのCoO単結晶薄膜の作製
- 19aTF-12 メチル終端Si(111)表面の電子分光
- 19aRH-3 (C_, In)/Si(111)系における電子状態
- 17aTF-6 変調分子線散乱法を用いた微傾斜基板表面上での有機分子拡散過程の解析
- 29pPSA-17 Cu(100)上のLiClヘテロエピタキシャル膜の電子構造
- 27aY-7 Si単結晶表面上でのNiOの分解
- 29a-L-5 HgBa_2CuO_の光電子分光
- 28p-S-8 Si, GaAs基板上への岩塩型酸化物の成長
- 26p-YR-7 Si(111)面上へのMgのエピタキシャル成長
- 26p-YR-5 高感度RHEED法によるアルカリハライドヘテロ構造の評価
- OME2000-50 金属内包フラーレンのエピタキシャル成長と電子状態
- 24aF-11 KドープC_薄膜の内殻励起電子エネルギー損失スペクトル
- 31a-S-12 不活性基板表面上に成長したC-単層膜の電子エネルギー損失スペクトル
- 27a-PS-64 層状物質基板上エピタキシャルC_薄膜の構造解析
- A novel method to fabricate a molecular quantum structure: Selective growth of C-60 on layered material heterostructures
- Evaluation of [111]-Textured Cu Layer Formed on Thin Nb Barrier Layer on SiO_2(Session 8A Silicon Devices V,AWAD2006)
- Evaluation of [111]-Textured Cu Layer Formed on Thin Nb Barrier Layer on SiO_2(Session 8A Silicon Devices V)
- Formation of Preferentially Oriented Cu [111] Layer on Nb [110] Barrier on SiO_2
- Photoassisted Electrochemical Deposition of Copper from a Bathocuproin Complex
- Electrical Properties of LiF/Ag(001) Heterostructure
- Structural Analyses of Cu[111] Layer on Nb[110] Barrier Formed on SiO_2(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices)
- Structural Analyses of Cu[111] Layer on Nb[110] Barrier Formed on SiO_2 (AWAD2003 (Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices))
- Formation of [111] Preferentially Oriented Cu Layer on [110] Nb Barrier on SiO_2
- Formation of [111] Preferentially Oriented Cu Layer on [110] Nb Barrier on SiO_2
- 27pZ-10 ZnS系有機無機複合クラスター薄膜の電子分光
- 28a-YR-4 層状物質TaSe_2上のC_超薄膜の電子分光
- 24aZ-1 アルカリハライド/半導体ヘテロ接合の光電子イールド測定(II)
- 28p-S-9 アルカリハライド/半導体ヘテロ接合の光電子イールド測定
- 26p-YR-6 MoS_2基板上InSeヘテロエピタキシャル超薄膜の成長機構
- 25pW-6 ドープしたMoS_2、MoSe_2に観測される変調局所軌道のSTM/STS
- 22aT-2 アルカリハライドヘテロ構造界面の格子ひずみ
- 25pWB-14 Cu(100)上のLiClヘテロエピタキシャル膜の構造及び電子状態
- 25aWD-12 LiF/LiBrヘテロ界面の電子状態
- 22aT-9 LiF/LiBr/Si(001)ヘテロ薄膜の原子,電子構造
- 24pY-17 変調分子線散乱法による有機分子の表面拡散過程の解析
- Interfacial Reaction and Electrical Properties in the Sputter-Deposited Al/Ti Ohmic Contact to n-InP
- 24aZ-9 電荷移動錯体のエピタキシャル成長と光励起の影響
- 9aSM-7 STMによるLiBr/Si(001)ヘテロ構造の観察(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 9aSM-6 紫外光照射によるアルカリハライド薄膜可視光応答の発現機構(表面界面構造・電子物性,領域9)