上野 啓司 | 埼玉大理

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概要

• 同名の論文著者
• 埼玉大理の論文著者

関連著者

• 上野 啓司

  埼玉大理

• 小間 篤

  Department Of Chemistry The University Of Tokyo

• Ueno K

  Ulsi Device Development Laboratories Nec Corporation

• 上野 啓司

  東大院理

• 小間 篤

  東大院理

• 飯泉 謙一

  東大院新領域

• UENO Keiji

  Department of Chemistry, Faculty of Engineering, Gunma University

• 斉木 幸一朗

  東大院創域

• 飯泉 謙一

  東大院理

• KOMA Atsushi

  Department of Chemistry, The University of Tokyo

• 上野 啓司

  東大理

• 小間 篤

  東大理

• 斉木 幸一朗

  東大理

• 上野 啓司

  埼玉大院理工

• SAIKI Koichiro

  Department of Chemistry, The University of Tokyo

• 木口 学

  東工大院理工

• 斉木 幸一朗

  東大新領域

• 小間 篤

  東大・理

• 上野 啓司

  東大・理

• 小野木 亮

  埼玉大理

• 小間 篤

  東京大学大学院理学系研究科化学専攻

• 上野 啓司

  東京大学大学院理学系研究科化学専攻

• Ueno Keiji

  Department Of Chemistry Faculty Of Engineering Gunma University

• Koma Atsushi

  Department Of Applied Physics University Of Tokyo

• 斉木 幸一朗

  東大院理

• 小間 篤

  東京大学大学院理学系研究科

• 斉木 幸一朗

  東大・理

• Saiki Koichiro

  Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering The University Of Tokyo

• 太田 俊明

  東大理

• 太田 俊明

  立命館大学SRセンター

• 木口 学

  東工大理工:jstさきがけ

• 吉川 元起

  東大理

• 中井 郁代

  東大理

• 池田 進

  東大新領域

• 木口 学

  北大理

• 近藤 寛

  東大理

• 木口 学

  東大新領域

• KIGUCHI Manabu

  Department of Complexity Science and Engineering, The University of Tokyo

• 片山 正士

  東大院理

• 城田 はまな

  東大院理

• 中原 伴徳

  東大院理

• 林 利行

  東大院理

• 吉川 元起

  東北大金研

• 近藤 寛

  慶應義塾大学理工学部化学科

• ABE Hideki

  Department of Ophthalmology, Chiba University Hospital

• 中井 郁代

  京都大学大学院理学研究科化学専攻

• 吉川 元起

  東北大学金属材料研究所

• 吉川 元起

  東京大学大学院理学系研究科

• 阿部 重臣

  埼玉大理

• Abe H

  Hokkaido Red Cross Blood Center

• Abe Hideki

  早稲田大学理工学総合研究センター

• Abe Hideki

  Department Of Chemistry The University Of Tokyo

• Yamada Y

  Department Of Quantum Science And Energy Engineering Tohoku University

• Yoshida Y

  Department Of Energy Engineering And Science Nagoya University

• 河野 孝臣

  東大理

• Yamada Y

  Akita Univ. Akita Jpn

• Yamada Yuh

  National Research Institute For Metals

• 飯泉 謙一

  東大・理

• 太田 俊昭

  東大理

• Yokoyama Toshifumi

  Storage Media Systems Development Center Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.

• Kishimoto K

  Nec Corp. Kanagawa Jpn

• SASAKI Kentaro

  Department of Chemistry, The University of Tokyo

• Abe H

  Semiconductor Technology Development Group Semiconductor Solutions Network Company Sony Corporation

• Yokoyama T

  Storage Media Systems Development Center Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.

• Gomi H

  Nec Corp. Kanagawa Jpn

• 佐々木 健太郎

  東大・理

• Abe H

  Department Of Chemistry The University Of Tokyo

• Kawamoto Hideaki

  Ulsi Device Development Laboratories Nec Corporation

• Yokoyama T

  Tokai Univ. Kanagawa Jpn

• Abe Hideki

  Department Of Chemical Pharmaceutical Science Tohoku Pharmaceutical University

• Abe Hideki

  Department Of Biological Sciences Graduate School Of Science The University Of Tokyo

• Yokoyama Yoshihiko

  Superconductivity Research Laboratory, International Superconductivity Technology Center

• 青木 秀夫

  東京大学理学系研究科

• 藤森 淳

  東大理

• 小林 孝嘉

  東京大学理学系研究科

• 牧野 淳一郎

  国立天文台

• 島田 敏宏

  東大理

• 島田 敏宏

  東京大学大学院理学系研究科化学専攻

• 山本 智

  東京大学大学院理学系研究科物理学専攻

• 酒井 英行

  東大理

• 三谷 洋興

  北陸先端大

• 岩佐 義宏

  北陸先端大

• 岡 良隆

  東大・理・動物

• 岡 良隆

  東京大学大学院理学系研究科

• 岡 良隆

  東大・院・理・附属臨海実験所

• 三谷 忠興

  北陸先端大

• 内野 康訓

  東大院理

• 稲田 康平

  北陸先端大

• 永井 清恵

  北陸先端大

• 藤原 宏平

  理研

• 吉井 賢資

  東大・理

• 藤原 宏平

  東大新領域

• 酒井 志朗

  ウィーンエ科大

• 藤原 英明

  東京大学大学院理学系研究科天文学専攻

• 宮寺 智彦

  東大理

• 小野 木亮

  埼玉大理

• 圓谷 志郎

  東大新領域

• 中原 弘雄

  埼玉大理

• 園谷 志郎

  東大新領域

• 斉木 幸一朗

  東京大学大学院 新領域創成科学研究科 複雑理工学専攻

• 山本 義朗

  東大理

• KATAYAMA Masao

  Department of Chemistry, The University of Tokyo

• NAKAYAMA Manabu

  Department of Complexity Science & Engineering, Graduate School of Frontier Sciences, The University

• FUJIWARA Kohei

  Department of Complexity Science & Engineering, Graduate School of Frontier Sciences, The University

• SHIMADA Toshihiro

  Department of Chemistry, Graduate School of Science, The University of Tokyo

• 中山 学

  東大新領域

• 島田 敏宏

  東大院理

• 上野 啓司

  埼玉大学理学部基礎化学科

• Dai Z.R.

  Univ.Washington

• 大内 二三夫

  Univ.Washington

• 斉木 幸一郎

  東大院創域

• 野崎 久義

  University Of Tokyo

• 野崎 久義

  国立環境研究所

• 宮寺 哲彦

  理研

• 森 朋彦

  豊田中研

• 山本 秀樹

  東大理

• 森 朋彦

  東大理

• 吉井 賢資

  東大理

• 藤川 安仁

  東大理

• 宮原 ひろ子

  東大・学振

• 藤川 安仁

  東京大学大学院理学系研究科化学専攻

• 井上 宏昭

  東大院理

• 木口 学

  東大院新領域

• 圓谷 志郎

  物質・材料研究機構

• 高 衛

  東大理

• Liu Kuang-yu

  Department Of Chemistry The University Of Tokyo

• Kishimoto Koji

  Ulsi Device Development Laboratories Nec Corporation

• 笹木 敬司

  北海道大学電子科学研究所

• Kataoka Kotaro

  Department Of Chemistry The University Of Tokyo

• 斉木 幸一郎

  東大理

• KISHIMOTO Koji

  NEC Corporation, ULSI Device Development Laboratories

• Kishimoto Koji

  Nec Corporation Ulsi Device Development Laboratories

• YOKOYAMA Takashi

  ULSI Device Development Laboratories, NEC Corporation

• YAMADA Yoshiaki

  VLSI Manufacturing Engineering Division, NEC Corporation

• USAMI Tatsuya

  ULSI Device Development Laboratories, NEC Corporation

• KAWAMOTO Hideaki

  ULSI Device Development Laboratories, NEC Corporation

• UENO Kazuyoshi

  ULSI Device Development Laboratories, NEC Corporation

• GOMI Hideki

  ULSI Device Development Laboratories, NEC Corporation

• YOKOYAMA Takashi

  NEC Corporation, ULSI Device Development Laboratories

• YAMADA Yoshiaki

  NEC Corporation, ULSI Device Development Laboratories

• KAWAMOTO Hideaki

  NEC Corporation, ULSI Device Development Laboratories

• GOMI Hideki

  NEC Corporation, ULSI Device Development Laboratories

• UENO Kazuyoshi

  NEC Corporation, ULSI Device Development Laboratories

• Gomi Hideki

  Ulsi Device Development Laboratories Nec Corporation

• Usami Tatsuya

  Ulsi Device Development Laboratories Nec Corporation

• 磯部 寛之

  東北大 大学院理学研究科

• 斉木 幸一郎

  東大創域

• 林 利行

  東大・理

• レア トーマス

  東大理

• 須貝 真子

  東大理

• FUJIKAWA Yasunori

  Department of Chemistry, The University of Tokyo

• 劉 光佑

  東大理

• Fujikawa Yasunori

  Department Of Chemistry The University Of Tokyo

• Yokoyama Takashi

  Ulsi Device Development Division Nec Corporation

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著作論文

• 研究ニュース
• 25aS-4 La@C_薄膜の電子エネルギー損失スペクトル
• 27aWB-5 SiO_2上に成長したペンタセン薄膜の成長初期過程における分子配向(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 26pXC-7 重合方向を制御した長鎖ジアセチレン誘導体LB膜のNEXAFS解析(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 26pYK-6 有機FETのtime of flight移動度測定(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
• Scanning Tunneling Microscopy and Spectroscopy Study of LiBr/Si(001) Heterostructure
• Accumulation and Depletion Layer Thicknesses in Organic Field Effect Transistors
• 22pXG-2 ペンタセン薄膜における電界効果移動度の膜厚依存性
• 表面不活性化シリコン基板上における異方的有機薄膜成長
• 31aWD-13 LiBr 超薄膜の STM 観察
• 表面不活性基板を利用した有機・無機ナノ構造の形成(ナノ結晶)
• 29pPSA-31 Bilayer-GaSe終端Si(111)表面のSTM観察
• 層状物質基板
• 24pPSA-28 Bilaye-GaSe上に形成したGa量子ドットの電子分光
• 24pPSA-24 Bilayer-GaSe終端Si(111)基板の表面構造解析と薄膜成長への応用
• 22aWA-7 C_/Si(111)系におけるC(1s)内殻励起スペクトル
• OME2000-51 異種原子終端Si基板上でのフラーレン分子のエピタキシー
• 23aT-6 MoS_2基板上III-VI層状化合物半導体超薄膜の成長機構
• 22aW-5 (C_,K)/Si(111)系の電子エネルギー損失スペクトル
• 26aPS-34 Si基板上へのGa_2Se_3薄膜のエピタキシャル成長と電子分光測定
• 26aPS-13 Si(111)-√x√Ag表面上に作製したC_単層膜の高分解能電子エネルギー損失スペクトル
• 24aZ-6 Si(111)-7×7および(100)-2×1表面上に作製したC_単層膜の電子エネルギー損失スペクトル
• 30p-BPS-2 ヘテロエピタキシャル成長した層状物質のSTMによる評価
• 研究ニュース
• 13pWH-8 高誘電率ゲート酸化膜を用いた有機 FET の動作特性(FET, 領域 8)
• 13pWH-8 高誘電率ゲート酸化膜を用いた有機 FET の動作特性(FET, 領域 7)
• 20pYC-14 アルカリハライド/金属ヘテロ構造の STM 観察
• 22pXG-1 異方的成長条件下で成長したペンタセン薄膜を用いた有機 FET
• 31a-S-12 不活性基板表面上に成長したC-単層膜の電子エネルギー損失スペクトル
• 27a-PS-64 層状物質基板上エピタキシャルC_薄膜の構造解析
• Scanning Tunneling Microscope Observation of the Metal-Adsorbed Layered Semiconductor Surfaces
• Heteroepitaxial Growth of Layered GaSe Films on GaAs(001) Surfaces
• 27p-PSA-7 ヘテロ成長した層状物質のHREELSによる評価
• A 0.7-μm-Pitch Double Level Al Interconnection Technology for 1-Gbit DRAMs using SiO_2 Mask Al Etching and Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition SiOF
• A Reliable Double Level Interconnection Technology for Giga Bit DRAMs Using SiO_2 Mask Al Etching and PECVD SiOF
• A novel method to fabricate a molecular quantum structure: Selective growth of C-60 on layered material heterostructures
• Fabrication of GaAs quantum dots on a bilayer-GaSe terminated Si(111) substrate
• 24aZ-1 アルカリハライド/半導体ヘテロ接合の光電子イールド測定(II)
• 28p-S-9 アルカリハライド/半導体ヘテロ接合の光電子イールド測定
• 表面を選ぶサッカーボール
• 26p-YR-6 MoS_2基板上InSeヘテロエピタキシャル超薄膜の成長機構
• 選択成長法による分子性結晶ナノ構造の形成
• 7a-PS-58 層状物質基板上での有機分子性結晶選択成長
• Nanostructure fabrication using selective growth on nanosize patterns drawn by a scanning probe microscope
• 31a-T-12 2D layered material buffer layers in large lattice mismatch heterostructures:The system CdS/InSe/Si
• 29a-PS-31 ヘテロ成長したIII-VI層状化合物半導体薄膜表面のSPM観察
• C_エピタキシャル薄膜の初期成長過程
• Heteroepitaxial Growth of Layered Semiconductor GaSe on a Hydrogen-Terminated Si(111) Surface
• 29p-PS-18 水素終端処理したSi基板上へのファンデアワールス・エピタキシー

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